【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高純度の炭化珪素ウィスカーを提供する。
【解決手段】Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である高純度炭化珪素ウィスカー。
珪酸質原料と炭素質原料の混合物からなるペレットを、非酸化性雰囲気下で加熱して高純度炭化珪素ウィスカーを得る方法であって、上記ペレットのかさ密度を上記ペレットの真密度で除した値が０．５〜０．８となるように上記ペレットを集合させて、上記加熱を行う、高純度炭化珪素ウィスカーの製造方法。 （もっと読む）

【課題】中空構造の球状粒子における実効的な比表面積が大きく、触媒として用いた場合の触媒機能が高く、しかも、機械的な耐久性が高く、さらには、内燃機関等から排出される排ガス中に含まれる各種物質の無害化処理や、プロピレン等の有機ガスに対する反応を、効率よく行うことが可能な中空顆粒状粒子及びその製造方法並びにそれを備えたガス処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の中空顆粒状粒子１は、一次粒子２を殻状に凝集してなる粒子径が０．２μｍ以上かつ２０μｍ以下の中空二次粒子４とし、この中空二次粒子４をさらに殻状に凝集してなる粒子径が３μｍ以上かつ５００μｍ以下の中空顆粒状粒子であり、この中空顆粒状粒子１の殻状の部分の厚みｔ_２は、その粒子半径ｒ_２の１／４以上かつ２／３以下である。 （もっと読む）

【課題】電磁放射、特にマイクロ波エネルギーに曝露された場合、アーク放電およびスパークが無く、迅速に効率的にかつ高温に加熱する材料を開発する。また、その材料を使用して調理する方法を提案する。
【解決手段】マトリクス材料において単結晶炭化ケイ素ホイスカおよび繊維を含む、電磁放射に曝露すると温度上昇する複合材料。この材料を利用し、食品が、電磁放射に曝露されず、複合材料が電磁放射によって加熱された後に複合材料から伝達された熱によって加熱され、且つ熱が、加熱された構成材料から、伝導、対流、または赤外放射の再放射によって伝達される、調理する。 （もっと読む）

【課題】生体活性を有する炭化ケイ素（SiC）ナノチューブを提供すること、及びそのようなSiCナノチューブの簡潔な作製方法を提供すること。
【解決手段】生体活性炭化ケイ素ナノチューブは、カーボンナノチューブとSi粉末との真空熱処理により、多結晶SiCナノチューブを合成し、合成された前記多結晶SiCナノチューブをNaOH処理またはKOH処理し、NaOH処理またはKOH処理後、多結晶SiCナノチューブをHCl処理することよって作製される。合成された生体活性SiCナノチューブの外径は200nm以下であり、且つその内径は150nm以下である。 （もっと読む）

【課題】蛍光体に過大な力を加えることなく製造することができ、得られる蛍光体粉末の大きさのばらつきを抑制することのできる直方体状の蛍光体粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素ナノ粒子同士の凝集を抑制することにより分散性及び分散安定性を向上させることが可能な炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法及び炭化ケイ素ナノ粒子分散液、この炭化ケイ素ナノ粒子分散液を用いて得られる耐摩耗性、耐擦傷性、耐熱性、硬質性に優れた炭化ケイ素ナノ粒子膜を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法は、熱プラズマ法またはシリカ前駆体焼成法により作製され、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下の炭化ケイ素ナノ粒子１の表面に酸化処理を施して表面酸化層３を形成し、次いで、この炭化ケイ素ナノ粒子１の表面酸化層３を、フッ酸、フッ化アンモニウム、硝酸の群から選択された１種または２種以上を含む溶液を用いて溶解することにより除去し、次いで、この表面酸化層３が除去された炭化ケイ素ナノ粒子１１を分散媒４中に分散させる。 （もっと読む）

【課題】水系押出成形体の成形精度の向上、特に厚肉長尺型成形体の乾燥工程における変形、寸法変化を抑制できる混合混練物の組成および成形体の乾燥加熱矯正法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセス用ＳｉＣ部材の製造方法として、ＳｉＣの粉体と、水溶性樹脂を主成分とするバインダーと、水とを含む混練材料を混練して混合混練物を得る混練工程と、前記混合混練物を押出成形して成形体を得る成形工程と、高湿環境下で、前記成形体全体を均温化して乾燥体を得る乾燥工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】純度の向上と、収率の低下とのトレードオフ関係を改善した炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素坩堝を用いた昇華再結晶法による結晶成長に際して形成され、炭素坩堝１に結合した再結晶析出物を、炭素坩堝１ごと粉砕し、再結晶析出物が結合した状態で破片となった炭素坩堝材に水を浸透させる、水が浸透した破片状の炭素坩堝材に対して、水が凍結、融解する温度での温度サイクルを複数回繰り返した後、温度サイクルをかけられた炭素坩堝材を粉砕して炭化珪素単結晶育成用原料とする。 （もっと読む）

【課題】導電性かつ耐熱性を有する導電性薄膜を備える導電性基板を、低コストで提供する。
【解決手段】基材上に導電性薄膜を備える導電性基板であって、該導電性薄膜が、周期表（長周期型）第６族遷移金属炭化物及び／又は周期表（長周期型）第６族遷移金属二酸化物を含むナノ粒子が融着した構造を有する、導電性基板、及び、下記工程（Ｉ）及び工程（II）を有する、導電性基板の製造方法である。
工程（Ｉ）：基材上に、周期表（長周期型）第６族遷移金属炭化物を含むナノ粒子を含有する薄膜を形成する工程
工程（II）：不活性ガス及び／又は還元性ガス雰囲気下で該薄膜を焼成する工程 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、昇華再結晶法による単結晶成長において、高くかつ安定した昇華速度を示す炭化ケイ素粉体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が１００℃以上７００μｍ以下であり、かつ比表面積が０．０５ｍ^２／ｇ以上０．３０ｍ^２／ｇ以下である炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。粒子径が５μｍ以上２００μｍ以下の一次粒子が焼結した粒子形態であることが好ましい。平均粒径が２０μｍ以下の炭化ケイ素粉体を、温度１９００℃以上２４００℃以下、圧力７０ＭＰａ以下、非酸化性雰囲気下の条件で加圧焼結させ、密度１．２９ｇ／ｃｍ^３以上の焼結体を得る工程、得られた焼結体の粉砕による粒度調整工程、酸処理による不純物除去工程、を含む炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超硬質多結晶炭化ホウ素材料を提供する。
【解決手段】本発明の多結晶Ｂ_４Ｃ材料は強磁界整列技術及び焼結によって作製することができる。このＢ４Ｃのｃ軸は印加された磁界に垂直に高度に配向されていた。ｃ軸に垂直／平行な表面上で測定された硬度は夫々３８．８６±２．１３ＧＰａ及び３１．３１±０．７９ＧＰａであった。これらの大きな値の硬度、弾性係数及び破壊靱性によりＢ４Ｃ材料の応用分野が拡大する。 （もっと読む）

【課題】反応基質として有機溶媒を使用することなく、化合物ナノ粒子を十分に高度な収率で製造することが可能な化合物ナノ粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】レーザー光Ｌを発生させるためのレーザー発振器１０と、溶媒１３を保持するための処理容器１２と、処理容器１２内に保持されている溶媒１３と、処理容器１２内に配置したターゲット１４とを備える液相レーザーアブレーション装置を用い、ターゲット１４として、レーザー光Ｌを吸収する材料を２種類以上含有するものを用い、ターゲット１４の密度が前記溶媒の密度よりも大きくなるようにターゲット１４及び溶媒１３を選択して用い、ターゲット１４を処理容器１２の底部Ｂに沈殿させて配置し、ターゲット１４に対してレーザー光Ｌを照射して液相レーザーアブレーションを行い、発生させた各微粒子同士を反応た化合物からなるナノ粒子を形成することを特徴とする化合物ナノ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 炭化物は、高硬度、低熱膨張、高熱伝導率で、耐腐食性や耐熱性、耐摩耗性に優れる等の特徴を有するため多方面で使用されており、近年、更に優れた特性を有する物質としてアルミニウムと炭素および他の元素を含む複合炭化物が注目されているが、この複合炭化物も長期間あるいは高温下で水や水蒸気雰囲気にさらされた場合には水和反応が進行して水和物へと変化する場合があり、水や水蒸気が存在する条件下では安定して使用または保管できないという課題がある。従って本発明の目的は、耐熱性、耐食性に優れ、かつ耐水和性に優れた複合炭化物を提供することにある。
【解決手段】 アルミニウムと炭素および他の元素を含む複合炭化物において、表面に酸化被膜を有することを特徴とする複合炭化物およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 凝集性を改良した炭化ケイ素微粉を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素粗粉体に、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子を加えてなる炭化ケイ素微粉であって、そのＢＥＴ比表面積比（＝金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子のＢＥＴ比表面積／炭化ケイ素粗粉体のＢＥＴ比表面積）が２０〜８０で、且つ、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子の含有量が１〜１０％であることを特徴とする。前記炭化ケイ素粗粉体のＢＥＴ比表面積が１〜１０ｍ^２／ｇであること、前記金属酸化物が、ケイ素、アルミニウム、チタンの酸化物の少なくとも１種からなること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】アルミ電解炉におけるエネルギー効率を改善するために、電気比抵抗が低く、熱伝導性の高いアルミニウム精錬用カソードカーボンブロックおよびその製造方法を提供する。アルミニウム溶湯との濡れ性も改善され、且つ電解浴による電気化学的侵食の速度を低下させて長寿命を達成できるアルミニウム精錬用カソードカーボンブロックおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
混合工程では、炭化原料６４〜９７％と炭化チタン３〜３６％の混合比率で混合する。このとき、粒子径１ｍｍ以下の原料組成において炭化チタン比率を５〜１００％とする。捏合・成形工程では、混合工程を経た混合物に有機バインダーを加え捏合し、成形する。焼成工程では、成形体を焼成する。黒鉛化処理工程では、焼成工程を経て焼成された焼成体を２４００〜３０００℃で黒鉛化処理する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反応ガス及び未反応ガスを円滑で、かつ均一に排出できる真空熱処理装置用熱処理容器を提供することをその目的とする。
【解決手段】本発明に従う真空熱処理装置用熱処理容器は、底部と側壁とを含み、側壁の上部に排気通路が形成される。 （もっと読む）

【課題】目的の粒子径の炭化ケイ素粉体を効率よく得ることができるα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法、及び、この粒径制御方法により粒径が制御されたα型炭化ケイ素粉体を用いることで不純物が少なくかつ均質な炭化ケイ素単結晶を提供する。
【解決手段】本発明のα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法は、β型炭化ケイ素または炭化ケイ素前駆体を非酸化性の雰囲気中にて加熱し、前記β型炭化ケイ素、または前記炭化ケイ素前駆体から生成するβ型炭化ケイ素をα型炭化ケイ素に相転移させて生成するα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法であり、雰囲気の圧力を変化させてβ型炭化ケイ素からα型炭化ケイ素への相転移温度を制御し、平均粒子径が１０μｍ以上のα型炭化ケイ素粉体を生成する。 （もっと読む）

本発明は、原料としてのカーボンブラックと超微粉タングステンを用いて超微粉タングステンカーバイドを作成する方法である。本発明方法は以下の工程より成る。（１）純粋二酸化炭素ガスの存在で超微粉タングステンを不活性化する工程と、（２）冷却水と不活性ガスとを導入した後超微粉タングステンとカーボンブラック粉とを混合するカーボン付加工程と、（３）タングステンカーバイド粉を乾留炉内で高温で乾留し、塊状に合成する工程と、（４）塊状のタングステンカーバイド粉を、粉砕し、冷却し、ふるいにかけて超微粉タングステンカーバイドを得る工程。
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