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Fターム[4G146NA04]の内容

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【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してSiC等のSiC系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板200を処理室201内に収容する工程と、加熱された処理室201内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板200上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室201内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室201内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室201内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室201内を排気する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置100は、基板7の温度を測定する放射温度計24a、24bと、基板7の周辺にガス噴出部19が設けられたガス流路18と、ガス流路18に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、放射温度計24a、24bによる測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路18に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部26とを有する。ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部28と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部29とを有する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも低温での熱処理により得られ、しかも高臨界電流密度を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物1を含ませることで、従来よりも低温での熱処理により得られ、高臨界電流密度を有する超電導線材10及びその製造方法を提供することができる。Mg(B1−x・・・(1)(ただし、式(1)中、xは0<x<1を満たす数であり、yは2.1≦yを満たす数である。) (もっと読む)


【課題】新規な炭化ケイ素−炭素複合材の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素が表面に付着した炭素質材料2を含む成形体を焼成することにより炭化ケイ素−炭素複合材1を製造する。 (もっと読む)


【課題】化学気相成長法などの多くのエネルギを消費する方法によらず電気めっきによる環境に優しい方法により作製された金属炭化物めっき膜を提供する。
【解決手段】金属イオンと、シアンイオンと、前記金属イオンと錯体を形成する有機酸イオンとを含む電気めっき液に、陰極として電解脱脂処理及び酸活性処理されたNi基板と、陽極として網状の白金被覆チタン電極を浸漬し、電流密度を調整してめっきすることにより、金属炭化物Ni3Cに相当する主相を有するめっき膜B、C、Dを得た。 (もっと読む)


【課題】純度の向上と、収率の低下とのトレードオフ関係を改善した炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素坩堝を用いた昇華再結晶法による結晶成長に際して形成され、炭素坩堝1に結合した再結晶析出物を、炭素坩堝1ごと粉砕し、再結晶析出物が結合した状態で破片となった炭素坩堝材に水を浸透させる、水が浸透した破片状の炭素坩堝材に対して、水が凍結、融解する温度での温度サイクルを複数回繰り返した後、温度サイクルをかけられた炭素坩堝材を粉砕して炭化珪素単結晶育成用原料とする。 (もっと読む)


【課題】導電性かつ耐熱性を有する導電性薄膜を備える導電性基板を、低コストで提供する。
【解決手段】基材上に導電性薄膜を備える導電性基板であって、該導電性薄膜が、周期表(長周期型)第6族遷移金属炭化物及び/又は周期表(長周期型)第6族遷移金属二酸化物を含むナノ粒子が融着した構造を有する、導電性基板、及び、下記工程(I)及び工程(II)を有する、導電性基板の製造方法である。
工程(I):基材上に、周期表(長周期型)第6族遷移金属炭化物を含むナノ粒子を含有する薄膜を形成する工程
工程(II):不活性ガス及び/又は還元性ガス雰囲気下で該薄膜を焼成する工程 (もっと読む)


【課題】ガスノズルのガス供給口を閉塞させること無く、歩留まりを良くする。
【解決手段】複数積層されたウェーハ14を処理(熱処理)する反応管42(マニホールド36)と、反応管42内を加熱する加熱体48と、反応管42内に設けられ、各ウェーハ14の積層方向に延びる第1ガス供給ノズル60と、第1ガス供給ノズル60の基端部60aから先端部60bに向けて複数並んで設けられ、各ウェーハ14に向けてSi原子含有ガス(成膜ガス)およびCl原子含有ガス(エッチングガス)を供給する第1ガス供給口68と、第1ガス供給ノズル60の先端部60bに設けられ、ガス供給方向に向けて延びる整流板61とを備えている。これにより、最上段の第1ガス供給口68の周辺におけるエッチングガスの濃度低下を抑えることができ、第1ガス供給口68を閉塞させることが無いので、歩留まりを良くすることができる。 (もっと読む)


【課題】反応室内のSiC基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化することで、基板上での原料ガスを消費しやすくし、基板面内でのガス流れを均等化し、積層された基板間の下方方向への流れ落ちを抑制するSiC縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】炭化珪素膜を成長させることを可能とする反応室とその中に配置されたボートを有し、且つそのボートには、複数枚の基板14が平行に縦積みで配置され、反応室内に設けられたガス供給ノズル60,70の基板の配列領域に設けられた第一のガス供給ノズルから少なくともシリコン原子含有ガスを供給し、ガス供給ノズルとは異なる箇所であって、基板の配列領域に設けられた第二のガス供給ノズルから少なくとも炭素原子含有ガスを供給して、基板上に炭化珪素膜を成膜する縦型基板処理装置において、反応室内の基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化するための壁体300を設ける。 (もっと読む)


【課題】従来のガスノズルの固定構造においては、ガス供給ポートへの接続に際し、ガスノズルの破損のリスクがあり、ノズルの位置、方向の調整に時間を要していたため、ガスノズルの破損のリスクの低減、ノズルの調整の簡略化という課題があった。
【解決手段】
マニホールドの上面の処理室内側に設けられ、前記ノズル固定プレートを介し、マニホールドを貫通して前記処理室外に延在するガス供給ポートとを有し、前記ガス供給ノズルは前記ノズル固定プレートに嵌合して支持されるガス供給ノズル構造。 (もっと読む)


【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H−SiC単結晶基板上にSiCのエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ヒータの長寿命化を図り、高温下での使用を可能とする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、チャンバ1と、チャンバ1内に設けられて半導体基板6が載置されるサセプタ7と、サセプタ7の上方に位置する上部ヒータ18と、サセプタ7の下方に位置する下部ヒータ8とを有し、上部ヒータ18と下部ヒータ8とが不活性ガス雰囲気に置かれる。サセプタ7の周囲の空間Aの圧力は、上部ヒータ18の周囲の空間Bの圧力および下部ヒータ8の周囲の空間Cの圧力のいずれよりも低いことが好ましい。また、不活性ガスはアルゴンガスであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素との固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素の固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する方法を提供する。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金をチューブ状の形状に加工し、チューブの中に炭素粉末を圧入し、その後、チューブをコイル形状に加工した後に真空熱処理炉内に設置し、タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるTa25を除去した後、タンタル若しくはタンタル合金チューブ内面と前記炭素粉末PITを固相拡散結合で分子接合させるとともに、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入してタンタル若しくはタンタル合金チューブの外表面に炭素を侵入させてTaCを形成する。 (もっと読む)


【課題】連続した試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】第1の軸に沿ってレーザ光線11を照射するレーザ10と、第1の軸と垂直な方向から試薬流13を流し第1の相互作用ゾーン15でレーザ光線と交差するように構成された第1の注入装置と、第1の軸に沿って第1の相互作用ゾーンの下流側に第2の相互作用ゾーン15’を形成する第2の試薬流13’を与える第2の注入装置と、レーザ光線のエネルギーをレーザ光束の幅及び高さを独立して変更可能な光学部材12を備え、レーザ光密度が第1の相互作用ゾーンと第2の相互作用ゾーンにおいて同一の水準にすることが可能なシステムを用い、試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造する。 (もっと読む)


【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ7に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン55を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス56、57を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜10を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド59を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 (もっと読む)


【課題】ナノスケールの炭化コバルト粒子に基づく結晶性強磁性体炭化コバルトの組成物、及びポリオール反応を介して本発明に係る強磁性体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶性強磁性体炭化コバルトナノ粒子は、高性能永久磁石用途に有用である。本発明のプロセスは、炭化Fe、炭化FeCoの如き他の炭化物相に拡張可能である。炭化Fe、炭化FeCoは、鉄塩、コバルト塩の前駆体として使用することによって実現可能で、取り分け、酢酸塩、硝酸塩、塩化物、臭化物、クエン酸塩及び硫酸塩の様なFe−及びCo−塩の混合物および/または混和剤として使用される。本発明の材料は、CoC、CoCの両相の如き炭化コバルトの混合物を含む。混合物はCoC及びCoCの独立した粒子の収集物の形体或いは個別の粒子内でCoC及びCoC各相の密接な組合せからなる粒子の収集物としての形態をも取り得る。各相の形態と同様にこれら2つの相の相対比は、特に室温から400K超の低温でそれらの誘引的永久磁性へ貢献する。 (もっと読む)


【課題】低いケイ素/炭素比を有するオーバーコートを提供すること。
【解決手段】情報記憶システムのスライダ。単一のオーバーコート層を備えるスライダであって、層は、フィルタ陰極アークプロセスによりスライダのABS上に堆積し、層は、約10%未満のSi/C比を有すると共に、約15Å未満の厚さを有する、スライダ。 (もっと読む)


【課題】ホウ素含有量が高く、炭化ケイ素および炭化ホウ素相が良好に分散し、組成が制御された、炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を得ることができる方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を調製するための方法に関し、このケイ素は炭化ケイ素の形態であり、ホウ素が、炭化ホウ素および/または遊離ホウ素の形態である。本発明の方法は、炭素系前駆体、ケイ素系前駆体およびホウ素系前駆体BX(Xがハロゲン原子である)を、これらの3つの前駆体の混合物を得るために接触させる工程と、得られた混合物をレーザー熱分解に供する工程と、を含み、ホウ素系前駆体BXは、接触工程の前におよび/または接触工程と同時に、この前駆体の縮合温度よりも高い温度に加熱される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を利用し、高機能材料の物質となる、微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素を作製する製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素等、高機能材料の前記物質は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を活かして作製する。たとえば微細炭化珪素の場合は、珪藻土原土又は焼成珪藻土内部に、コロイド溶液化した活性炭や黒鉛等の粉末炭素、フラーレンやカーボンナノチューブ等の炭素物質を含浸させ、乾燥後、不活性ガス雰囲気下、1500℃まで加熱して得られる。炭素源は珪藻土内に無数に存在する珪藻土粒子の粒界や細孔内で二酸化珪素と反応を起こし、炭素源の形状を維持した、微細炭化珪素が合成される。又、炭素源の形状が維持される性質を利用し、予め炭素源を等粒に揃えておくことにより、等粒微細炭化珪素も作製できる。 (もっと読む)


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