【課題】導電性かつ耐熱性を有する導電性薄膜を備える導電性基板を、低コストで提供する。
【解決手段】基材上に導電性薄膜を備える導電性基板であって、該導電性薄膜が、周期表（長周期型）第６族遷移金属炭化物及び／又は周期表（長周期型）第６族遷移金属二酸化物を含むナノ粒子が融着した構造を有する、導電性基板、及び、下記工程（Ｉ）及び工程（II）を有する、導電性基板の製造方法である。
工程（Ｉ）：基材上に、周期表（長周期型）第６族遷移金属炭化物を含むナノ粒子を含有する薄膜を形成する工程
工程（II）：不活性ガス及び／又は還元性ガス雰囲気下で該薄膜を焼成する工程 （もっと読む）

【課題】使用済みのＳｉＣ−Ａｌ_２Ｏ_３系耐火物から、耐火物原料として通常のＳｉＣ原料と同様に使用できるＳｉＣを高純度で分離回収することができる方法を提供する。
【解決手段】使用済みのＳｉＣ−Ａｌ_２Ｏ_３系耐火物を粉砕し、その粉砕物を陰イオン界面活性剤を添加した水溶液に投入して浮遊選鉱法によりＡｌ_２Ｏ_３を浮上分離させ、沈殿物のＳｉＣを分離回収する。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作方法と手段でシリコンと炭化ケイ素を回収することができるカッティング廃液の処理、回収方法とその手段を提供する。
【解決手段】第一のステップと、第二のステップと、第三のステップと、第四のステップを含んでなり、第一のステップでは、カッティング廃液を希塩酸で攪拌混合して流動し易い混合材料にし、第二のステップでは、混合材料を過熱して液体分離して水とポリエチレングリコールを蒸発させ、冷却、脱水してポリエチレングリコールを回収し、分離して得られる固体が炭化ケイ素とシリコンの固体混合物で、第三のステップでは、固体混合物を二次洗浄して炭化ケイ素とシリコンの二次洗浄の固体混合物を回収し、第四のステップでは硝酸とハフニウムから組成した混合酸性溶液で、炭化ケイ素とシリコンを回収し、廃液重量から計算すると、２６−４６％の回収率に達する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な２Ｈ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ原料粉体にドーパントを混合させた場合に、ＳｉＣの昇華ガスとドーパントの昇華ガスとを均一に種結晶に供給することができると共に、不純物の混入可能性が低い炭化珪素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素粉体の製造方法は、珪素源と、炭素源と、反応触媒と、バナジウム含有化合物と、を混合させて液状混合物７を生成する工程と、液状混合物７を減圧雰囲気下に配置した状態で、液状混合物７に不活性ガスを導入しつつ排出ガスを排気する工程と、液状混合物７を乾燥および硬化させることにより固形物１９を生成する工程と、固形物１９を加熱して炭化および焼成することにより、炭化珪素粉体２５を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハーの製造工程において生じる多量のシリコン切削屑等を原料として、工業材料に適する品質の炭化珪素を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン屑に対してカーボン粉を当量以上混合し、この混合粉を、非酸化性雰囲気下、１０００℃〜１４００℃で、６時間〜２４時間加熱してシリコン屑とカーボン粉を反応させて炭化珪素を製造し、冷却後、酸洗浄して不純物を除去し、乾燥することを特徴とする炭化珪素の製造方法であって、好ましくは、シリコンウエハーの製造工程において生じたシリコン切削屑を用い、シリコン切削屑を脱脂処理ないし脱水処理した後にカーボン粉と混合し、加熱処理後に生成物を酸浸出した後に、水またはアルコールで洗浄して不純物を除去する炭化珪素の製造方法。 （もっと読む）

【課題】飛散等が無い安全なナノファイバー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に高分子薄膜を形成し、高分子薄膜に対して、飛跡が基板に到達可能なイオンビームを複数の方向から照射し、高分子薄膜内に、３次元的に相互接続され、かつ一端が基板表面に固定されている複数個の円筒架橋部を形成した後、これを溶媒で洗浄する工程を経てナノファイバーを製造する。 （もっと読む）

炭素及び硫黄を有する電極材料が提供される。炭素は、ナノ多孔性を有する多孔質マトリックス状であり、硫黄は、炭素のマトリックスのナノ多孔性内に吸着されている。炭素マトリックスが、１０〜９９％のナノ多孔性の体積を有することができる。さらに、硫黄が、ナノ多孔性の少なくとも５％〜９９％を占めることができる。硫黄で部分的にのみ充填された炭素構造の一部が、電解質の放出を可能とする空隙を保持する。いくつかの例において、ナノ多孔性が、１ナノメートル〜９９９ナノメートルの平均直径を有するナノ細孔及びナノチャネルを有する。電子導電性の炭素構造と電気活性な硫黄との間の密接な接触を有する材料を提供する液体輸送または他のメカニズムを用いて、硫黄がナノ多孔性内に吸着される。
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【課題】従来法よりも簡単に、しかも従来法では実現できなかった主として炭素からなる構造体の形態を保持した炭化ケイ素構造体の製造を、低温で、かつ短時間で行うことことができる炭化ケイ素構造体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、シリコンを含むナトリウムの融液を付加した状態で、主として炭素からなる構造体を加熱し、加熱した後に得られる炭化ケイ素構造体中の主たる炭化ケイ素の結晶構造がβ型であり、更に、主として炭素からなる構造体を加熱する温度は、６００℃以上、１２００℃以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

任意にｐまたはｎ型ドープした連続セラミック（例えば炭化ケイ素）ナノファイバ（５０２，６０２，６０４，６０６，６０８，７０２，７０４，１１０２，１１０４）は、ポリマセラミック前駆体をエレクトロスピニングすることによって製造され、ポリマセラミック前駆体の細い繊維を生成し、これは次いで熱分解される。セラミックナノファイバは、強化された複合材料（４００）、熱電発電機（６００，７００）、および高温粒子フィルタ（１２００）に限定されない様々なアプリケーションに用いられる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の表面に反応性イオンエッチングにより微細加工を施す際に、炭化ケイ素の表面を任意形状かつ高精細に微細加工することができ、特に、ナノメートル級の寸法公差による微細加工を行うことができる炭化ケイ素の表面処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により微細加工を施す前に行う表面処理方法であって、単結晶炭化ケイ素基板の表面に、アンモニア及び過酸化水素を含む水溶液、塩酸及び過酸化水素を含む水溶液、硫酸及び過酸化水素を含む水溶液、フッ酸及び過酸化水素を含む水溶液の群から選択される１種または２種以上を順次用いてケミカル洗浄を施し、次いで、この表面に酸素プラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が５０ｎｍ以下でありかつ粒度分布の幅が狭い炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法及び炭化ケイ素粉末を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭素源及びケイ素源を混合した混合物からなる炭化ケイ素前駆体を、不活性雰囲気中にて熱処理し、さらに酸化性雰囲気中にて熱処理し、得られた炭化ケイ素含有物をフッ化水素酸または強塩基性溶液を用いて洗浄し、この炭化ケイ素含有物に含まれる不純物を除去し、平均粒子径が５０ｎｍ以下でありかつ粒度分布の幅が狭い炭化ケイ素粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素による固液混合物質の高効率分離法及びその装置を提供する。
【解決手段】超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素を比重差分離溶媒として用いて、固液混合物質を比重差を利用して分離することからなる固液混合物質の分離方法、上記比重差分離工程と、超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素を抽出分離溶媒として用いた抽出分離工程を組み合わせて、固液混合物質を比重差分離及び抽出分離を利用して分離することからなる固液混合物質の分離方法、固液混合物質と超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素を混合し、固液混合物質と超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素の混合後の流体の密度及び粘性を制御する上記固液混合物質の分離方法、及びその装置。
【効果】超臨界二酸化炭素を比重差分離溶媒として用いた、新しい固液混合物質の高効率分離方法及び装置を提供することができる。 （もっと読む）

ケイ素金属間化合物、例えば金属ケイ化物を特徴とするケイ素金属溶浸法によって作製された複合体。これは、複合材料技術者に、得られる複合材料の物理的性質を設計又は調整するより大きな柔軟性を与えるばかりでなく、該溶浸材を、固化の際の膨張の量をはるかに減少して有するように組成的に設計することができ、それによってネットシェイプ作製能力を高めることができる。ケイ素溶浸によってなされる複合体の金属成分を設計することによるこれらの及びその他の結果は、複雑な形状の大きな構造物の製作を可能にする。 （もっと読む）

【課題】高温冶金操作を使用してタングステン酸ナトリウムを形成する方法が提供される。
【解決手段】タングステン含有精鉱（１２）はシリカ（１４）及び珪酸ナトリウム（１６）と共にスラッギング炉（１８）に導入される。高密度タングステン含有相（２０）は重力により、るつぼ炉の底部に沈殿し、低密度のスラグ相（２２）がるつぼ炉の上部に隔離される。高密度タングステン相（２０）はスパージング炉（２４）に導入される。メタンなどの炭素含有ガス（３４）はスパージング炉（２４）に導入される。スパージング工程により、粗の炭化タングステン生成物（５２）が得られ、それが水浸出工程（５４）に供される。液体部分（５８）は晶出装置（６０）へ送られ、結晶（６４）が水（６８）中で粉砕されるとともに好適な酸（７２）による酸浸出（７０）に供される。高純度の炭化タングステン（７８）がその後に回収される。 （もっと読む）

微粒子を担持する気体用のろ過構造体を選択するための方法であって、そのろ過構造体が、多孔質セラミック材料で形成されかつ少なくとも１つ、好ましくは複数の多孔質壁を含むろ過部材を含んで成り、壁の表面の第１の画像から出発して、壁の微細構造の規則性及び均一性の第２の特徴的画像を得るような形で構造化要素による形態学的侵食を含む処理作業が第１の画像に対し実施されることを特徴とする方法。この方法を応用することにより得られる炭化ケイ素ろ過構造体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＶＤ−ＳｉＣの基材として、繰り返し使用でき、ＣＶＤ−ＳｉＣから簡単に除去でき、ＣＶＤ−ＳｉＣにクラック、割れ、不純物汚染を発生させたりしない基材を採用した、生産性に優れた炭化ケイ素部材の製造法を提供する。
【解決手段】基材上に薬液で溶解可能な中間層を形成後、前記中間層の表面にＣＶＤ法で炭化ケイ素膜を成膜して炭化ケイ素体とした後、前記中間層を薬液で溶解させて除去し前記基材から前記炭化ケイ素体を分離させることを特徴とする炭化ケイ素部材の製造法。 （もっと読む）