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Fターム[4G146PA08]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 処理、後処理、取扱 (281) | 物理的、機械的処理(粉砕、成形、加工等) (17)

Fターム[4G146PA08]に分類される特許

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【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】より容易に製造することができ、炭化珪素を高純度で含む炭化珪素粉末および炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末であって、シリコン小片と炭素粉末との混合物を加熱した後に粉砕することによって形成されており、実質的に炭化珪素で構成されている炭化珪素粉末とその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】水系押出成形体の成形精度の向上、特に厚肉長尺型成形体の乾燥工程における変形、寸法変化を抑制できる混合混練物の組成および成形体の乾燥加熱矯正法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセス用SiC部材の製造方法として、SiCの粉体と、水溶性樹脂を主成分とするバインダーと、水とを含む混練材料を混練して混合混練物を得る混練工程と、前記混合混練物を押出成形して成形体を得る成形工程と、高湿環境下で、前記成形体全体を均温化して乾燥体を得る乾燥工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】純度の向上と、収率の低下とのトレードオフ関係を改善した炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素坩堝を用いた昇華再結晶法による結晶成長に際して形成され、炭素坩堝1に結合した再結晶析出物を、炭素坩堝1ごと粉砕し、再結晶析出物が結合した状態で破片となった炭素坩堝材に水を浸透させる、水が浸透した破片状の炭素坩堝材に対して、水が凍結、融解する温度での温度サイクルを複数回繰り返した後、温度サイクルをかけられた炭素坩堝材を粉砕して炭化珪素単結晶育成用原料とする。 (もっと読む)


【課題】導電性かつ耐熱性を有する導電性薄膜を備える導電性基板を、低コストで提供する。
【解決手段】基材上に導電性薄膜を備える導電性基板であって、該導電性薄膜が、周期表(長周期型)第6族遷移金属炭化物及び/又は周期表(長周期型)第6族遷移金属二酸化物を含むナノ粒子が融着した構造を有する、導電性基板、及び、下記工程(I)及び工程(II)を有する、導電性基板の製造方法である。
工程(I):基材上に、周期表(長周期型)第6族遷移金属炭化物を含むナノ粒子を含有する薄膜を形成する工程
工程(II):不活性ガス及び/又は還元性ガス雰囲気下で該薄膜を焼成する工程 (もっと読む)


【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H−SiC単結晶基板上にSiCのエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】音声再生装置に関し、特にマグネシウム基複合材料を利用した音声再生装置を提供する。
【解決手段】音声再生装置は、筺体及び音声装置を備える。前記筺体の前部12及び後部16の少なくとも一つは、マグネシウム基複合材料からなる。該マグネシウム基複合材料は、マグネシウム基材料及び該マグネシウム基材料の中に分散したナノ材料を含む。該ナノ材料は、カーボンナノチューブ、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化チタン、炭化ホウ素、黒鉛のいずれか一種又はその多種の混合物である。 (もっと読む)


【課題】炭化アルミニウムの水和反応が進まないように、炭素で被覆されたカーボン被覆炭化アルミニウム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化アルミニウム微粒子が、炭素で被覆されたことを特徴とするカーボン被覆炭化アルミニウムであり、また、金属アルミニウム粉末と炭素粉末とを用いて、所定の雰囲気下で加熱処理することで、炭化アルミニウム微粒子が、炭素で被覆されたカーボン被覆炭化アルミニウムを得ることを特徴とするカーボン被覆炭化アルミニウムの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】表面の平滑度の高い炭化ケイ素部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、β型炭化ケイ素部材を表面加工する工程と、この表面加工を施したβ型炭化ケイ素部材を、Siを含有する雰囲気中において1400〜1900℃の加熱温度で熱処理することにより、β型炭化ケイ素部材の表面における炭化ケイ素の粒成長を促進させる工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、カーボンナノチューブ複合材料体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ複合材料体の製造方法は、少なくとも一本のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ構造体を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体における少なくとも一本のカーボンナノチューブの表面に金属被覆層を形成させる第二ステップと、真空条件でカーボンナノチューブ構造体に電流を通して、前記少なくとも一本のカーボンナノチューブの外表面に形成された金属被覆層を溶融させると同時に、金属被覆層における金属をカーボンナノチューブの炭素と反応させて、前記カーボンナノチューブの外表面に複数の金属炭化物粒子を形成させる第三ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ナノ粒子生成技術の内、アークプラズマを利用した技術をより一層改良することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、炉内に設置した両電極間に発生したアークプラズマにより、無機塊状物からナノ粒子を生成するナノ粒子作製装置であって、前記無機塊状物の設置個所にカーボンるつぼが配置され、当該カーボンるつぼに前記無機塊状物を保持させて、前記アークプラズマを発生させ得るようにしてあることを特徴とするナノ粒子作製装置を採用した。また、前記ナノ粒子作製装置を用いたナノ粒子作製方法であって、ナノ粒子生成中の前記炉内の雰囲気は、窒素単独若しくは窒素が50vol%以上含有されている不活性ガスとしたことを特徴とする手段を用いた。 (もっと読む)


【課題】 超硬合金の高硬度と高強度(抗折力)を両立可能な炭化タングステン粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭化タングステン粉末は、レーザー回折・散乱法にて粒度測定した際に得られる粒度分布の累積パーセント径、D10%、D50%、D90%のそれぞれの値をX、Y、Zμmとしたとき、0.35≦X/Y、Z/Y≦2.85、0.20≦Y≦1.20である。
本発明の炭化タングステン粉末は、金属タングステン粉末またはタングステン酸化物粉末のいずれかと炭素源粉末との混合物を原料として、加熱処理にて得られた炭化タングステン粉末を、気流式粉砕機にて、粉砕ガス圧力0.4〜0.7MPaで粉砕し、その後、遠心分級機にて、分級風量4.0〜6.0m/分、分級機周速2200〜3500m/分で分級して得られる。 (もっと読む)


この発明は少なくとも95%の炭化珪素SiCを含む多孔質セラミック物質からなる構造物を得る方法に関し、前記方法は前記構造物が少なくとも
― 中位数径が5ミクロン未満であるα-SiC結晶粒子の第1画分;
― 中位数径がα-SiC結晶粒子の第1画分より少なくとも2倍大きく、しかも中位数径が5ミクロン以上であるα-SiC結晶粒子の第2画分;および
― β-SiC結晶粒子もしくは少なくともβ-SiC結晶粒子の先駆物質の画分
を含むα-SiC結晶粒子の混合物から得られることを特徴とする。
この発明はまた当該方法により得られる多孔構造物に関する。 (もっと読む)


【課題】 複合材料の原料として均一分散が可能な微粒で均粒、且つ化学量論的に炭素と充分に結合し、且つ酸素含有量の少ない炭化タンタル粉末、および炭化タンタル−ニオブの固溶体とそれらの製造方法とを提供すること。
【解決手段】 炭化タンタル粉末および炭化タンタル−ニオブ複合粉末は、比表面積法(BET法)で測定した1次粒子平均粒径が0.10〜0.40μmで、FSSS法で測定した2次粒子平均径が0.40〜1.0μmであり、且つ(1次粒子平均粒径/2次粒子平均径)が0.21〜0.40の範囲内である。 (もっと読む)


微粒子を担持する気体用のろ過構造体を選択するための方法であって、そのろ過構造体が、多孔質セラミック材料で形成されかつ少なくとも1つ、好ましくは複数の多孔質壁を含むろ過部材を含んで成り、壁の表面の第1の画像から出発して、壁の微細構造の規則性及び均一性の第2の特徴的画像を得るような形で構造化要素による形態学的侵食を含む処理作業が第1の画像に対し実施されることを特徴とする方法。この方法を応用することにより得られる炭化ケイ素ろ過構造体。 (もっと読む)


炭化タングステンを処理するための方法が提供される。出発材料は、液相線によって上方に画定された、面心立方構造を有するγ相の単相領域を示す状態図に表されるW-C系の炭化タングステン粒子を含有する。粒子は、単相領域において均質化処理にかけ、その後、融解させて球状化することができる。次いで焼入れを行って、単相化構造を周囲温度で凍結させる。任意選択で、単相領域を広げるために、少なくとも1種の合金元素を出発材料に添加することができ、それによって、単相化粒子の焼入れ性を増大させる。 (もっと読む)


【課題】物理的手法によって熱伝導率を制御する炭化ケイ素粉末の製造法、および高熱伝導率炭化ケイ素の提供。
【解決手段】 アチソン法により製造された炭化ケイ素をバッチ式にて粉砕し、得られた粉砕品を分級して、熱伝導率の異なる炭化ケイ素粉末を製造することを特徴とする、炭化ケイ素粉末の製造法。より小さい平均粒子径に粉砕し、より大きな平均粒子の粉末を分級により分取することで、熱伝導率の高い炭化ケイ素を得ることができる。 (もっと読む)


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