【課題】中空構造の球状粒子における実効的な比表面積が大きく、触媒として用いた場合の触媒機能が高く、しかも、機械的な耐久性が高く、さらには、内燃機関等から排出される排ガス中に含まれる各種物質の無害化処理や、プロピレン等の有機ガスに対する反応を、効率よく行うことが可能な中空顆粒状粒子及びその製造方法並びにそれを備えたガス処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の中空顆粒状粒子１は、一次粒子２を殻状に凝集してなる粒子径が０．２μｍ以上かつ２０μｍ以下の中空二次粒子４とし、この中空二次粒子４をさらに殻状に凝集してなる粒子径が３μｍ以上かつ５００μｍ以下の中空顆粒状粒子であり、この中空顆粒状粒子１の殻状の部分の厚みｔ_２は、その粒子半径ｒ_２の１／４以上かつ２／３以下である。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素（炭化ケイ素）を母材とする微細周期構造を有するモールドにおいて、ガラスの成型などの用途に適した傾斜した断面形状の微細周期構造を有するモールドを、比較的簡単な方法によって再現性良く形成出来る方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素基板上に、開口部を有するタングステンシリサイドからなるドライエッチング用マスクを形成した後、エッチングガスとしてフッ素含有ガス単独又はフッ素含有ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によって炭化ケイ素基板をドライエッチングすることを特徴とする炭化ケイ素製モールドの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材上に炭化タンタル被覆形成工程により炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程とタンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを経て第１炭化タンタル被覆膜を形成する第１炭化タンタル被覆膜形成工程と、前記第１炭化タンタル被覆膜上に新たな第２炭化タンタル被覆膜を形成する第２炭化タンタル被覆膜形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、単結晶炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、単結晶炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度900℃以上で照射され、その照射量がはじき出し量として5dpa以上である。 （もっと読む）

本発明は、β−ＳｉＣ多孔質基板上に、ナノファイバまたはナノチューブを含む複合材の製造方法において、（ａ）前記β−ＳｉＣ多孔質基板の中またはＳｉＣ前駆体の中に、ナノチューブまたはナノファイバの成長触媒を取込む過程と、（ｂ）少なくとも一つの炭化水素および水素を含む混合物からカーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバを成長させる過程と、（ｃ）任意には、前記カーボン製ナノチューブまたはカーボン製ナノファイバをＳｉＣナノファイバへと変換する過程とを含む方法に関する。この複合製品は、触媒または触媒担体として利用可能である。 （もっと読む）

この発明は少なくとも95％の炭化珪素ＳｉＣを含む多孔質セラミック物質からなる構造物を得る方法に関し、前記方法は前記構造物が少なくとも
― 中位数径が5ミクロン未満であるα-ＳｉＣ結晶粒子の第１画分；
― 中位数径がα-ＳｉＣ結晶粒子の第１画分より少なくとも２倍大きく、しかも中位数径が5ミクロン以上であるα-ＳｉＣ結晶粒子の第２画分；および
― β-ＳｉＣ結晶粒子もしくは少なくともβ-ＳｉＣ結晶粒子の先駆物質の画分
を含むα-ＳｉＣ結晶粒子の混合物から得られることを特徴とする。
この発明はまた当該方法により得られる多孔構造物に関する。 （もっと読む）

炭化タングステンを処理するための方法が提供される。出発材料は、液相線によって上方に画定された、面心立方構造を有するγ相の単相領域を示す状態図に表されるW-C系の炭化タングステン粒子を含有する。粒子は、単相領域において均質化処理にかけ、その後、融解させて球状化することができる。次いで焼入れを行って、単相化構造を周囲温度で凍結させる。任意選択で、単相領域を広げるために、少なくとも1種の合金元素を出発材料に添加することができ、それによって、単相化粒子の焼入れ性を増大させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高品質かつ目的の特性を有するＳｉＣ単結晶ウェハを高歩留りで作製できるＳｉＣ単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素単結晶のドーパント元素濃度の最大値が５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満で、かつ、ドーパント元素濃度の最大値が最小値の５０倍以下である炭化珪素単結晶インゴット、及びその製造方法である。 （もっと読む）