【課題】アチソン炉を用いて、安価にかつ大量に、しかも安全に高純度炭化珪素粉末を製造することができ、かつ、高純度炭化珪素粉末を製造する際の消費電力量を低減することができる高純度炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、高純度炭化珪素粉末を得る、高純度炭化珪素粉末の製造方法。上記シリカとカーボンからなる粒子は、好ましくは、粒子内のいずれの地点においても、シリカの含有率が９０質量％以下であり、かつ、カーボンの含有率が１０質量％以上のものである。 （もっと読む）

【課題】
電磁波照射を用いた炭化ケイ素合成における上記の問題を解決するためになされたものであり、投入原料全体にわたり均一に反応を生じさせ、反応温度の制御や管理も容易であり、しかも、省エネルギー、高効率かつ短時間で高純度・高品質の炭化ケイ素微粉末を製造する方法と、そのための製造装置を提供する。
【解決手段】
電磁波照射を利用するシリカの炭素熱還元による炭化ケイ素粉末の製造方法において、副生ガス通気孔１４を有するとともに外周部に自己発熱材料１３が、さらに、該自己発熱材料１３の周囲に耐熱性多孔質断熱材料６が配置された耐熱性反応器５内に、シリカ源と炭素源を含む原料４を充填した後、電磁波を照射することにより、自己発熱材料１３を介して原料４を非酸化雰囲気中で加熱して炭化ケイ素微粉末を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒータの長寿命化を図り、高温下での使用を可能とする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７の上方に位置する上部ヒータ１８と、サセプタ７の下方に位置する下部ヒータ８とを有し、上部ヒータ１８と下部ヒータ８とが不活性ガス雰囲気に置かれる。サセプタ７の周囲の空間Ａの圧力は、上部ヒータ１８の周囲の空間Ｂの圧力および下部ヒータ８の周囲の空間Ｃの圧力のいずれよりも低いことが好ましい。また、不活性ガスはアルゴンガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】連続した試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】第１の軸に沿ってレーザ光線１１を照射するレーザ１０と、第１の軸と垂直な方向から試薬流１３を流し第１の相互作用ゾーン１５でレーザ光線と交差するように構成された第１の注入装置と、第１の軸に沿って第１の相互作用ゾーンの下流側に第２の相互作用ゾーン１５’を形成する第２の試薬流１３’を与える第２の注入装置と、レーザ光線のエネルギーをレーザ光束の幅及び高さを独立して変更可能な光学部材１２を備え、レーザ光密度が第１の相互作用ゾーンと第２の相互作用ゾーンにおいて同一の水準にすることが可能なシステムを用い、試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造する。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一な粒径を有する品質の高い、珪素微粒子が炭化珪素に被覆されてなる珪素／炭化珪素複合微粒子を高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の珪素微粒子が炭化珪素で被覆された珪素／炭化珪素複合微粒子の製造方法は、酸化珪素の粉末を、炭素を含む液体状の物質に分散させてスラリーにし、このスラリーを液滴化させて酸素を含まない熱プラズマ炎中に供給して珪素／炭化珪素複合微粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】炭化タングステンを生成する方法が提供される。
【解決手段】ハロゲン化物塩の不在下において、タングステン酸化物の塩を、その溶融温度よりも高い温度まで加熱して溶融物を形成する。その溶融物に炭化水素ガスをスパージングして炭化タングステンを形成する。溶融物の残留物から炭化タングステンを分離する。 （もっと読む）

【課題】セラミック化に伴う体積収縮を低減しクラックの発生を防止できると共に、ピンホール等の欠陥発生も抑制できるガス分離用セラミック薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガス分離用セラミック薄膜は、セラミックス前駆体であるポリカルボシラン(PCS)またはPCSに他の高分子材料を混合したポリマーブレンドなどのケイ素系混合高分子材料をセラミック基材上に成膜し、真空中や不活性ガス中などの無酸素環境下において電離放射線により架橋した後、アルゴンガスなどの高級不活性ガス中で焼成することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ粒子生成技術の内、アークプラズマを利用した技術をより一層改良することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、炉内に設置した両電極間に発生したアークプラズマにより、無機塊状物からナノ粒子を生成するナノ粒子作製装置であって、前記無機塊状物の設置個所にカーボンるつぼが配置され、当該カーボンるつぼに前記無機塊状物を保持させて、前記アークプラズマを発生させ得るようにしてあることを特徴とするナノ粒子作製装置を採用した。また、前記ナノ粒子作製装置を用いたナノ粒子作製方法であって、ナノ粒子生成中の前記炉内の雰囲気は、窒素単独若しくは窒素が５０ｖｏｌ％以上含有されている不活性ガスとしたことを特徴とする手段を用いた。 （もっと読む）

本発明は、酸化ケイ素と、炭水化物を有する炭素源との高めた温度での反応による炭化ケイ素の製造方法、特に炭化ケイ素の製造のため又は炭化ケイ素を含有する組成物の製造のための工業的方法に関する。更に、本発明は、高純度の炭化ケイ素、これを含有する組成物、触媒としての使用並びに電極及び他の物品の製造の際の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】従来よりもホウ素の含有量が低い炭化珪素粉体を製造することができる炭化珪素粉体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】低ホウ素化坩堝に炭化珪素粉体の原料を収納し、低ホウ素化坩堝を加熱する。 （もっと読む）

【課題】気相中で合成したナノ粒子の表面を改質して凝集を防止することができ、或いは、粒子表面に電荷を付加することなく他物質を被覆することができるナノ粒子の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】内部にマイクロ波２が共鳴可能な共鳴空間９を有し、マイクロ波の吸収が少ない材料からなる中空共鳴容器１０と、中空共鳴容器内に所定の周波数のマイクロ波を供給して共鳴空間にマイクロ波の共鳴状態を形成するマイクロ波供給装置１２と、中空共鳴容器の外部から、共鳴空間を通って、その外部まで連続して延びる連続中空管２０と、連続中空管の内側を通してその一端から他端に向けて、ナノ粒子を含む混合ガスを連続的に供給するナノ粒子供給装置２２と、連続中空管の他端から排出された混合ガスからナノ粒子１を分離するナノ粒子分離装置２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ₂Ｏ₅を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 （もっと読む）

本発明は、それぞれの割合がｎ＋１±ε_１、１±ε_２及びｎ±ε_３である少なくとも１つの要素Ｍ、少なくとも１つの要素Ａ及び少なくとも１つの要素Ｘを含む粉末であって、Ａは、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳから選択され、Ｍは、遷移金属であり、Ｘは、Ｂ、Ｃ及びＮから選択され、ｎは、１、２または３に等しい整数であり、ε_１、ε_２及びε_３は、独立して０から０．２の範囲の数を表し、５００ｎｍ未満の平均粒径を有する粉末に関する。
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ケイ素金属間化合物、例えば金属ケイ化物を特徴とするケイ素金属溶浸法によって作製された複合体。これは、複合材料技術者に、得られる複合材料の物理的性質を設計又は調整するより大きな柔軟性を与えるばかりでなく、該溶浸材を、固化の際の膨張の量をはるかに減少して有するように組成的に設計することができ、それによってネットシェイプ作製能力を高めることができる。ケイ素溶浸によってなされる複合体の金属成分を設計することによるこれらの及びその他の結果は、複雑な形状の大きな構造物の製作を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 高温で安定なナノスケール寸法の階層的規則性セラミック材料及びその製造方法の提供。
【解決手段】 ナノスケールセラミック複合材（１００）の製造方法は、一般に、ポリマーセラミック前駆体を改質する段階、改質ポリマーセラミック前駆体をブロック共重合体と混合して混合物を形成する段階、混合物から規則構造体を形成する段階であって、改質ポリマーセラミック前駆体がブロック共重合体の特定の種類のブロックと選択的に会合する段階、及びナノスケールセラミック複合材（１００）の形成に有効な時間及び温度で規則構造体を加熱する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 超微粒超硬合金の特性改善のために、合金での分散性のよい均粒で微粒な高純度の炭化バナジウム粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化バナジウム粉末は、結合炭素量が１５．０ｗｔ％以上、酸素量が０．５ｗｔ％以下で、水素気流中で処理された炭化バナジウム粉末において、Ｆｓｓｓ平均粒径が０．４９〜０．９８μｍ、比表面積ＢＥＴ値が２．４５〜３．９５ｍ^２／ｇである。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、珪砂とコークスから精製した炭化珪素を製造することを目的としたものである。
【解決手段】 この発明は、コークスと珪砂の混合物をゼットガス炉に送り込み、その上部からゼットガスバーナーでゼットガス炎を吹きつけて、８００℃〜１２００℃に加熱し、珪砂の酸素を分離して炭化珪素を精製することを特徴とした炭化珪素の精製方法により目的を達成した。 （もっと読む）

【解決手段】金属カーバイドと、該金属カーバイドをワンステップのプロセスによって合成する方法に関するものである。各種金属(例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＭｏであり、これらに限定されるものではない)の酸化物を、球状又は繊維状のナノ構造カーボン前駆物質と物理的に混合し、９００〜１９００℃の温度まで誘導加熱して、金属酸化物をカーボンと反応させて、異なる金属カーバイドを生成するものである。このプロセスでは、得られた金属カーバイドの中でカーボン前駆物質は元の形態が維持される。得られたナノサイズの金属カーバイドは、高結晶性である。金属カーバイド製品は、高温熱電装置、量子井戸、光電子装置、半導体、防護服、装甲車、触媒等の用途に用いられ、アルミニウム及びその他合金に不連続補強材として用いられる。 （もっと読む）

本発明は、基板上で金属M1の炭化物からナノロッドを合成する方法に関する。該発明の方法は、(a)基板上での、金属M1の酸化物のナノ結晶および金属M1とは異なる少なくとも1種の金属M2の酸化物のナノ結晶の層(M1金属酸化物ナノ結晶は、この層に分散している)を蒸着させるステップ、(b)金属M1およびM2の酸化物ナノ結晶を対応する金属に還元するステップ、および(c)金属M1のナノ結晶を選択的に成長させるステップよりなる。本発明は、また、基板上で前記材料のナノ結晶から金属M1の炭化物のナノロッドを成長させる方法、かくして得られた基板、およびそれらの用途、例えば化学的または生物学的機能性を含むミクロシステム、特にバイオセンサー、例えばフラットテレビまたはコンピュータスクリーンなどのための電子放射源の製造における用途にも関する。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣナノ粒子を高効率で製造すること。
【解決手段】 窒素雰囲気中でアークプラズマを発生させ、アークプラズマを塊状ＳｉＣまたはＳｉとＣの混合粉末成形体に照射してＳｉＣのナノ粒子を生成させる。 （もっと読む）