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Fターム[4G146QA03]の内容

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Fターム[4G146QA03]に分類される特許

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【課題】高純度の炭化珪素ウィスカーを提供する。
【解決手段】B及びPの各々の含有率が1ppm以下である高純度炭化珪素ウィスカー。
珪酸質原料と炭素質原料の混合物からなるペレットを、非酸化性雰囲気下で加熱して高純度炭化珪素ウィスカーを得る方法であって、上記ペレットのかさ密度を上記ペレットの真密度で除した値が0.5〜0.8となるように上記ペレットを集合させて、上記加熱を行う、高純度炭化珪素ウィスカーの製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置100は、基板7の温度を測定する放射温度計24a、24bと、基板7の周辺にガス噴出部19が設けられたガス流路18と、ガス流路18に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、放射温度計24a、24bによる測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路18に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部26とを有する。ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部28と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部29とを有する。 (もっと読む)


【課題】純度の向上と、収率の低下とのトレードオフ関係を改善した炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素坩堝を用いた昇華再結晶法による結晶成長に際して形成され、炭素坩堝1に結合した再結晶析出物を、炭素坩堝1ごと粉砕し、再結晶析出物が結合した状態で破片となった炭素坩堝材に水を浸透させる、水が浸透した破片状の炭素坩堝材に対して、水が凍結、融解する温度での温度サイクルを複数回繰り返した後、温度サイクルをかけられた炭素坩堝材を粉砕して炭化珪素単結晶育成用原料とする。 (もっと読む)


【課題】ガスノズルのガス供給口を閉塞させること無く、歩留まりを良くする。
【解決手段】複数積層されたウェーハ14を処理(熱処理)する反応管42(マニホールド36)と、反応管42内を加熱する加熱体48と、反応管42内に設けられ、各ウェーハ14の積層方向に延びる第1ガス供給ノズル60と、第1ガス供給ノズル60の基端部60aから先端部60bに向けて複数並んで設けられ、各ウェーハ14に向けてSi原子含有ガス(成膜ガス)およびCl原子含有ガス(エッチングガス)を供給する第1ガス供給口68と、第1ガス供給ノズル60の先端部60bに設けられ、ガス供給方向に向けて延びる整流板61とを備えている。これにより、最上段の第1ガス供給口68の周辺におけるエッチングガスの濃度低下を抑えることができ、第1ガス供給口68を閉塞させることが無いので、歩留まりを良くすることができる。 (もっと読む)


【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ7に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン55を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス56、57を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜10を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド59を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 (もっと読む)


【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な2H炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス23に炭化珪素単結晶基板25を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン26を導入し、前記リチウムフラックス23に前記メタン26を接触させることにより、前記リチウムフラックス23から前記単結晶基板25上に2H炭化珪素単結晶27を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 (もっと読む)


【解決手段】
0.01重量%未満の総鉱物性不純物と選択的に決定された炭素:シリコンの比率を含む、シリコン、炭化ケイ素および窒化ケイ素などのシリコン含有生成物。その生成物は、少なくとも3重量%のシリカを含む、籾殻および稲藁などの植物に由来する。制御された温度、圧力および反応時間の下、固定炭素:シリカのモル比を調節しながら、シリコン含有植物を硫酸水溶液で浸出して鉱物および金属を除去し、次いで、制御された条件下、熱的に処理して所望の生成物を生産することを特徴とする、そのような高純度のシリコン含有生成物を作るための方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】SiC原料粉体にドーパントを混合させた場合に、SiCの昇華ガスとドーパントの昇華ガスとを均一に種結晶に供給することができると共に、不純物の混入可能性が低い炭化珪素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素粉体の製造方法は、珪素源と、炭素源と、反応触媒と、バナジウム含有化合物と、を混合させて液状混合物7を生成する工程と、液状混合物7を減圧雰囲気下に配置した状態で、液状混合物7に不活性ガスを導入しつつ排出ガスを排気する工程と、液状混合物7を乾燥および硬化させることにより固形物19を生成する工程と、固形物19を加熱して炭化および焼成することにより、炭化珪素粉体25を生成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】不純物の含有量が低減されたより高純度の炭化珪素粉体を製造できる焼成炉、及び炭化珪素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼成炉100は、マッフル4によって区画された処理室3と、処理室3内に配設され、被焼成物8が収められる坩堝5と、外部から不活性ガスを供給する不活性ガス供給管6とを備え、マッフル4と坩堝5との間には空隙45が形成され、不活性ガス供給管6の開口端部62は、空隙45に配設される。 (もっと読む)


【課題】希望する組成を有し、かつ、使用特性に優れ、材料組成の選択により、各種機能を有する高効率の素子、デバイスを実現するのに好適なナノ球状粒子、粉末、工業的利用性を充分に満たす捕集率を実現しえるナノ球状粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルゴン不活性ガス雰囲気中で、原料金属の溶融物を高速回転する皿ディスク上に供給し、遠心力を作用させて小滴として飛散させ、ガス雰囲気との接触により急冷して球状粒子とした後、得られた球状粒子に対し、プラズマ旋回流内でアルゴンイオンと衝突反応させて、原料金属の成分をナノサイズに分解すると同時に反応性のあるガス成分又は蒸気成分と接触させるプラズマ反応結晶化処理をする。これにより、1μm未満の粒径を有し、真球度20%以内のナノコンポジット構造を有するナノ球状粒子、粉末が得られる。 (もっと読む)


本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、i)ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ii)i)の円筒状反応セルを密封する工程と、iii)ii)の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、iv)iii)の加熱炉を排気する工程と、v)iv)の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、vi)v)の加熱炉の中の円筒状反応セルを1600〜2500℃の温度に加熱する工程と、vii)vi)の円筒状反応セルの中の圧力を0.05torr(約6.7Pa)以上50torr(約6.7kPa)未満まで低下させる工程と、viii)vii)の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 (もっと読む)


任意にpまたはn型ドープした連続セラミック(例えば炭化ケイ素)ナノファイバ(502,602,604,606,608,702,704,1102,1104)は、ポリマセラミック前駆体をエレクトロスピニングすることによって製造され、ポリマセラミック前駆体の細い繊維を生成し、これは次いで熱分解される。セラミックナノファイバは、強化された複合材料(400)、熱電発電機(600,700)、および高温粒子フィルタ(1200)に限定されない様々なアプリケーションに用いられる。 (もっと読む)


【課題】 複合材料の原料として均一分散が可能な微粒で均粒、且つ化学量論的に炭素と充分に結合し、且つ酸素含有量の少ない炭化タンタル粉末、および炭化タンタル−ニオブの固溶体とそれらの製造方法とを提供すること。
【解決手段】 炭化タンタル粉末および炭化タンタル−ニオブ複合粉末は、比表面積法(BET法)で測定した1次粒子平均粒径が0.10〜0.40μmで、FSSS法で測定した2次粒子平均径が0.40〜1.0μmであり、且つ(1次粒子平均粒径/2次粒子平均径)が0.21〜0.40の範囲内である。 (もっと読む)


【課題】シリコンおよび炭化珪素砥粒を含む使用済スラリから、シリコンと炭化珪素を分離抽出して、双方を回収する方法およびそれに用いる装置を提供することを課題とする。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下、容器中で炭化珪素粒とシリコン粒とを含む混合物を第1温度に加熱してシリコン粒を溶融させ、次いで得られた溶融シリコンを含む融液を第2温度に保持し、次いで融液の上層部位に取り出し治具を浸漬して取り出し治具に炭化珪素を析出させ、析出した炭化珪素を回収し、かつ容器から精製された溶融シリコンを回収することにより炭化珪素とシリコンとを分離することを特徴とする炭化珪素とシリコンとの分離方法により、上記の課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】高温冶金操作を使用してタングステン酸ナトリウムを形成する方法が提供される。
【解決手段】タングステン含有精鉱(12)はシリカ(14)及び珪酸ナトリウム(16)と共にスラッギング炉(18)に導入される。高密度タングステン含有相(20)は重力により、るつぼ炉の底部に沈殿し、低密度のスラグ相(22)がるつぼ炉の上部に隔離される。高密度タングステン相(20)はスパージング炉(24)に導入される。メタンなどの炭素含有ガス(34)はスパージング炉(24)に導入される。スパージング工程により、粗の炭化タングステン生成物(52)が得られ、それが水浸出工程(54)に供される。液体部分(58)は晶出装置(60)へ送られ、結晶(64)が水(68)中で粉砕されるとともに好適な酸(72)による酸浸出(70)に供される。高純度の炭化タングステン(78)がその後に回収される。 (もっと読む)


【課題】 NaCl型炭化ケイ素を容易に製造すること。
【解決手段】 孔径が0μmより大きく1μm以下で柱状の細孔1が形成された中空体2の細孔内にクロロシラン3を1Torr〜100Torrの減圧下で流通させ、900℃〜1300℃の温度で熱分解させて、中空体の内壁にNaCl型炭化ケイ素を生成させる。 (もっと読む)


【課題】 超微粒超硬合金の特性改善のために、合金での分散性のよい均粒で微粒な高純度の炭化バナジウム粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化バナジウム粉末は、結合炭素量が15.0wt%以上、酸素量が0.5wt%以下で、水素気流中で処理された炭化バナジウム粉末において、Fsss平均粒径が0.49〜0.98μm、比表面積BET値が2.45〜3.95m/gである。 (もっと読む)


1400℃超に過熱された溶融アルミニウム中に炭素及びアルミナを注入することによって炭化アルミニウム含有塊を生成するためのカーボサーミック法。炭素が溶融アルミニウムと反応して炭化アルミニウム・アルミナ塊を生成する。この塊を1700℃〜2000℃の範囲に加熱してアルミニウム金属及び一酸化炭素を生成することができる。
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