【課題】 光照射により高い光変換効率で酸化還元反応を生じさせるIII −Ｖ族窒化物半導体、光触媒半導体素子、光触媒酸化還元反応装置および光電気化学反応実行方法の提供。
【解決手段】 本発明のIII −Ｖ族窒化物半導体は、光触媒酸化還元反応用のものであって、互いに半導体特性の異なる基層およびこの基層に積層された表層を有し、前記基層と前記表層とが接触する界面が形成されることにより、少なくとも表層がキャリア移動促進作用を有し、基層および表層とが、その導電型が同一であって、基層のキャリア濃度が、表層のキャリア濃度よりも高いものであることを特徴とする。 （もっと読む）

ヒドロシリル化反応硬化オルガノポリシロキサン樹脂からなる繊維強化フィルムとその上に形成された酸化窒化ケイ素層、窒化ケイ素層および酸化ケイ素層から選択される透明無機物層からなるガスバリアー性硬化オルガノポリシロキサン樹脂フィルムにおいて、有機官能基、シラノール基、ヒドロシリル基または重合性有機官能基が重合して生成した有機基を有する硬化オルガノポリシロキサン層が該繊維強化フィルムと無機物層間に介在している、ガスバリアー性硬化オルガノポリシロキサン樹脂フィルム、およびこのガスバリアー性硬化オルガノポリシロキサン樹脂フィルムの製造方法。
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アルファ−オレフィンを生成するための方法。この方法は、アルファ−オレフィンをベータ−オレフィンの混合物に選択的に異性化すること、およびエテノリシスによりベータ−オレフィンの混合物の少なくとも一部をアルファ−オレフィンにすることを含む。 （もっと読む）

本発明は、エチレンの三量化による１−ヘキセンの合成用触媒及びその使用に関し、前記触媒は、Ｐ及びＮを含有する化合物ａと、電子供与体ｂと、クロム化合物ｃと、担体ｄと、促進剤ｅとから成り、ａと、ｂと、ｃと、ｄと、ｅとのモル比は、０．５〜１００：０．５〜１００：１：０．５〜１０：５０〜５０００である。不活性溶剤中においてエチレンの三量化による１−ヘキセンの合成を促進するために使用され、エチレンを三量化するための通常設備において、請求項１に記載の触媒の各成分の比率に比例する有効量で、エチレンの圧力下で触媒のその場調整を行うと共に、エチレンを絶えず導入し、エチレンを触媒に十分に接触させることで、エチレンの三量化反応が起こる。反応条件は、温度が３０〜１５０℃であって、圧力が０．５〜１０．０ＭＰａであって、反応時間が０．１〜４時間である。該触媒は、エチレンの三量化による１−ヘキセンの生成に用いられ、触媒の活性が高く、１−ヘキセンの選択性が高く、副生成物であるポリエチレンが釜に付着しない。 （もっと読む）

【課題】メルカプトカルボン酸またはメルカプトカルボン酸エステルと多価アルコールとを反応させるメルカプトカルボン酸多価アルコール部分エステルおよび完全エステルを含むメルカプトカルボン酸多価アルコールエステル混合物の製造方法において、副生成物の生成を抑制し、収率良く得る方法を提供すること
【解決手段】反応器の伝熱面の温度（Ｔ_２）と反応液の還流初期温度（Ｔ_３）との温度差を、０℃〜３５℃の範囲内となるように伝熱面の温度を設定し、メルカプトカルボン酸多価アルコールエステル混合物を製造する。 （もっと読む）

【課題】エチレンのエポキシ化工程の始動方法を提供する。
【解決手段】エポキシ化触媒の存在下でエチレンと酸素を含む供給ガス組成物を約１８０℃〜約２１０℃の温度で反応させることによりエポキシ化反応を開始し、約０．０５ｐｐｍ〜約２ｐｐｍの減速材を供給ガス組成物に添加し、約１２時間〜約６０時間にわたって第１の温度を約２４０℃〜約２５０℃の第２の温度に昇温し、及び、約５０時間〜約１５０時間の間第２の温度を維持する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高シリカのＣＨＡ構造をもつアルミノシリケートの安価で効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】１−アダマンタンアミンから誘導されるカチオン、Ｓｉ元素源、アルカリ金属源、Ａｌ元素源および水を含む混合物の水熱合成により、ＣＨＡ構造を有し、Ａｌ₂Ｏ₃に対するＳｉＯ₂のモル比が５以上のアルミノシリケートを製造する方法において、該反応混合物におけるＳｉ元素に対する１−アダマンタンアミンから誘導されるカチオンのモル比が０．００１以上０．０５以下、かつＳｉ元素に対するアルカリ金属のモル比が０．３以上の条件で水熱合成を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｃ２対称なビスイミダゾリジンを配位子とすることで、より複雑な配位場の構築を目指し、有用な触媒的不斉合成を実現する。
【解決手段】下記式（１）にて示される配位子とする。
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炭化水素の転化反応に用いる触媒の製造方法であって、前記触媒はチタンゼオライトと炭質材料を含み、前記触媒は該触媒に含まれるチタンゼオライトの総重量に対して０．０１〜０．５重量％の量で前記炭質材料を含み、当該方法は、
（ｉ）チタンゼオライトを含む触媒を製造する工程；
（ｉｉ）前記触媒を、前記炭化水素転化反応において使用する前に、不活性雰囲気中で少なくとも一種の炭化水素を含む流体に接触させることにより、炭質材料を、該触媒に含まれるチタンゼオライトの総重量に対して０．０１〜０．５重量％の量で（ｉ）の触媒に付着させて炭質材料含有触媒を得る工程、
を含み、
（ｉｉ）において前記触媒を酸素含有ガスに接触させないことを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

水素化プロセスのバルク触媒が提供される。水素化プロセスのバルク触媒の調製方法も提供される。この水素化プロセス触媒は、式（Ｒ^ｐ）_ｉ（Ｍ^ｔ）_ａ（Ｌ^ｕ）_ｂ（Ｓ^ｖ）_ｄ（Ｃ^ｗ）_ｅ（Ｈ^ｘ）_ｆ（Ｏ^ｙ）_ｇ（Ｎ^ｚ）_ｈ［式中、Ｍは少なくとも１つの「ｄ」ブロック元素金属であり；Ｌも少なくとも１つの「ｄ」ブロック元素金属であるが、Ｍと異なり；ｔ、ｕ、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは各々の成分（Ｍ、Ｌ、Ｓ、Ｃ、Ｈ、Ｏ及びＮに対応して）についての全電荷を表し；Ｒは場合によって使用され、１つの態様において、Ｒはランタノイド元素金属であり；０＜＝ｉ＜＝１；ｐｉ＋ｔａ＋ｕｂ＋ｖｄ＋ｗｅ＋ｘｆ＋ｙｇ＋ｚｈ＝０；０＜ｂ；０＜ｂ／ａ＝＜５；０．５（ａ＋ｂ）＜＝ｄ＜＝５（ａ＋ｂ）；０＜ｅ＜＝１１（ａ＋ｂ）；０＜ｆ＜＝７（ａ＋ｂ）；０＜ｇ＜＝５（ａ＋ｂ）；０＜ｈ＜＝２（ａ＋ｂ）である。］を有する。触媒は、少なくとも３つの回折ピークが２５°を超える２θ角に位置するＸ線粉末回折パターンを有する。１つの態様において、触媒は、少なくとも２つの「ｄ」ブロック元素金属から少なくとも１つの硫化された触媒前駆体を形成するステップ；及び、触媒前駆体を炭化水素化合物と混合して、水素化プロセス触媒組成物を形成するステップ；によって調製される。別の態様において、触媒は、炭化水素油と接触する際の油分散性イオウ含有有機金属前駆体の熱分解によって調製されて、スラリー触媒を生成する。さらに別の態様において、触媒は、溶媒担体中の「ｄ」ブロック元素金属前駆体の系中硫化又は系外硫化から調製される。
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本発明は、主要触媒成分としてクロムを含む脱過酸化触媒の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、クロム酸エステルの有機溶液の調製方法に関し、この溶液は、シクロヘキサンを酸化することによってシクロヘキサノール／シクロヘキサノンを製造するための方法において過酸化アルキルの脱過酸化工程における触媒として用いられる。 （もっと読む）

【課題】 ３Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテンと４Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテンを異性化する方法を提供する。
【解決手段】 ３Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテン及び／又は４Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテンを金属フッ化物に接触させると、１Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテンに異性化できる。これを応用することで、より高純度の１Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテンを得ることができる。具体的には１Ｈ，２Ｈ−オクタフルオロシクロペンタンを脱フッ化水素化し、得られた１Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテン中の３Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテン及び／又は４Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテンを異性化後に、更に精留を行うことで高純度の１Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテンが得られる。 （もっと読む）

【課題】優れた触媒反応活性を示し、低コストで生産できる、天然セルロース繊維の表面に金属触媒ナノ粒子が担持されたセルロース触媒およびその製造方法を提供する。
【解決手段】天然セルロース繊維の表面に金属触媒ナノ粒子が担持されたセルロース触媒およびその製造方法に関し、特定の前処理を通じて天然セルロース繊維の表面の表面積を向上させ、欠陥を形成した後、前記天然セルロース繊維の表面に金属触媒ナノ粒子が担持する。 （もっと読む）

本発明は、個人の肺に治療量の一酸化窒素を送達する移動式、又は固定式装置に関する。一実施形態は、治療量の一酸化窒素を送達するシステムであって、四酸化二窒素を保有する液体タンク；該タンクに接続された管；該管に接続された第1の波状管であって、該第1の波状管が、還元剤と共に表面活性物質を含む、該第1の波状管；及び該第1の波状管に接続された患者用インターフェイスであって、該第1の波状管が、該患者用インターフェイスに到達する前に二酸化窒素を一酸化窒素に変換する、該患者用インターフェイスを備える、前記システムを含む。 （もっと読む）

本発明は、４−ニトロ−オキシ−メチル−安息香酸を調製する新規方法であって、ａ）４−クロロメチル−安息香酸をアセトニトリル中、触媒である酸の存在下に硝酸銀と還流温度で反応させ、続いて冷却し、極性非プロトン性溶媒を添加するステップと、ｂ）銀塩を濾過分別し、続いて極性非プロトン性溶媒で洗い出しするステップと、ｃ）水を加えて、ステップｂ）において得られた濾液から４−ニトロ−オキシ−メチル−安息香酸を沈殿させるステップと、ｄ）４−ニトロ−オキシ−メチル−安息香酸を乾燥させるステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高価な触媒や煩雑な製造工程を必要とせずに、高い収率、選択率でジカルボン酸ジエステルを製造することができ、工業的なジカルボン酸ジエステルの製造に好適なジカルボン酸ジエステルの製造方法を提供する。
【解決手段】ビニル基に直接カルボキシル基が結合した構造を有するカルボン酸エステルからジエステルを製造する方法であって、該製造方法は、芳香族スルフィン酸塩の存在下でビニル基に直接カルボキシル基が結合した構造を有するカルボン酸エステルを反応させてジエステル化する工程を含むことを特徴とするジカルボン酸ジエステルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】エポキシド類のカルボニル化に用いる触媒系の触媒活性がそのカチオンの修飾により調整されること、および触媒系中のカチオンとしてカチオン性ルイス酸の使用が新しい手段を提供すること。
【解決手段】エポキシド類、アジリジン類、チイラン類、オキセタン類、ラクトン類、ラクタム類および類似化合物を一酸化炭素と、触媒性有効量の下記一般式［ルイス酸］^z+｛［QM(CO)_x］^w-｝_y を有する触媒
（式中、Q はなんらかのリガンドで必ずしも存在せず、Mは元素周期表の 4、5、6、7、8、9および10 族の遷移金属よりなる群から選ばれる遷移金属であり、z はルイス酸の原子価で1 〜 6 の範囲にあり、w は金属カルボニルの電荷で1〜 4 の範囲にあり通常 1 であり、y は w 倍の y が z に等しいような数であり、x は｛［QM(CO)_x］^w-｝_yについての安定なアニオン金属カルボニルを提供するような数で 1 〜 9 の範囲にあり典型的には1 〜 4 である）
の存在下に反応せしめる。 （もっと読む）

【課題】高温の水蒸気に曝された場合でもＺＳＭ−５骨格中のアルミが脱離し難い（永久劣化に強い）ＺＳＭ−５を得ることができ、且つ、稼動させるプロセスに応じてＺＳＭ−５の一次粒子径を制御することが可能なＺＳＭ−５型ゼオライトの製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｘ線回折パターンがＺＳＭ−５型ゼオライトであり、結晶化度が８％以上のＺＳＭ−５型ゼオライトを含む、種スラリーを本合成の原料に加える工程を含み、下記（１）から（５）の条件を満たすＺＳＭ−５型ゼオライトの製造方法。
（１）前記本合成の原料に加える前記種スラリーの量が、原料混合物の全質量に対して５質量％以上５０質量％以下である；
（２）前記種スラリーのＳｉＯ₂／Ａｌ₂Ｏ₃モル比が２０以上８０以下である；
（３）前記本合成の原料におけるＳｉＯ₂／Ａｌ₂Ｏ₃モル比が４５以上１００以下である；
（４）（前記本合成の原料におけるＳｉＯ₂／Ａｌ₂Ｏ₃モル比）／（前記種スラリーのＳｉＯ₂／Ａｌ₂Ｏ₃モル比）が０．６以上４．０以下である；
（５）前記本合成により得られるＺＳＭ−５型ゼオライトの結晶化度が１２０％以上である。 （もっと読む）

本発明は、改善された耐摩耗性を有する、Ｓｉ結合された微粒子状流動層触媒を製造するための方法に関し、当該方法は、以下の工程Ｉ〜ＩＶを有するものである：Ｉ．ゼオライト粒子含有水性懸濁液を用意する工程、ＩＩ．１種又は複数種の加水分解性シリコーン樹脂予備縮合物を含有するシリコーン樹脂混合物を添加し、前記水性懸濁液と前記シリコーン混合樹脂とを混合する工程、ＩＩＩ．前記工程ＩＩから得られる混合物をスプレー乾燥する工程、ここで前記混合物はスプレー乾燥前に均質化し、ＩＶ．前記工程ＩＩＩから得られるスプレー乾燥した流動層触媒をか焼する工程。本発明はさらに、この方法により製造可能なＳｉ結合された流動層触媒、並びに当該触媒を、Ｃ₁〜Ｃ₄脂肪族化合物を非酸化的に脱水素芳香族化するために用いる使用に関する。 （もっと読む）

【課題】残存ハロゲン含有量が極めて少なく、低粘度であり、保存安定性および安全性にすぐれ且つ淡色である高品位のポリグリシジルアミノ化合物を製造する方法を提供する。
【解決手段】下記工程を含むポリグリシジルアミノ化合物の製造方法。
（Ｉ） 特定のジアミンと該ジアミンに対して過剰のエピハロヒドリンとを水の存在下に反応させる付加反応工程
（II） 工程（Ｉ）で得られた付加反応生成物を、相間移動作用を有する特定の化合物のすくなくとも１種の共存下にハロゲン除去反応剤と反応させる第一次脱ハロゲン化水素反応工程
（III） 工程（II）の反応生成物から未反応のエピハロヒドリンを留去して得られる粗ポリグリシジルアミノ化合物を、相間移動作用を有する特定の化合物のすくなくとも１種の共存下に特定のハロゲン除去反応剤で処理する第二次脱ハロゲン化水素反応工程、および
（IV） 工程（III）で得られる脱ハロゲン化水素反応生成物を水洗する工程 （もっと読む）