Fターム[4G169BE36]の内容
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新規光学活性リンキラルジホスフェタン化合物、該化合物の中間体、及び該化合物を配位子とする遷移金属錯体
本発明は、中心金属に配位する際に安定した不斉空間が構築され、不斉水素化反応などの触媒的不斉合成の際に用いられる遷移金属触媒の配位子として有用な新規光学活性リンキラルジホスフェタン化合物、該化合物の中間体、及び該化合物を配位子とする遷移金属錯体触媒を提供する。
本発明に係る化合物は、一般式(1)
【化1】
(式中、Rは直鎖状、分岐状または環状の炭素数2〜20のアルキル基を示す)で表わされる構造を有する光学活性ジホスフェタン化合物である。
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共役ジエンのカルボニル化方法
(a)パラジウム源、および
(b)式II
R1R2>P1−R3m−R−R4n−P2<R5R6 (II)
(式中、P1およびP2は、リン原子を表し、R1、R2、R5およびR6は、第3級炭素原子を含みそれを介してそれぞれの基が前記リン原子に結合している、同じか異なる、場合により置換されている有機基を独立に表し、R3およびR4は、同じか異なる、場合により置換されているメチレン基を独立に表し、Rは、二価の架橋基C1−C2を含みそれを介してRがR3およびR4に結合している有機基を表し、mおよびnは、0〜4の範囲の自然数を独立に表し、前記架橋基の炭素原子C1およびC2間の結合の周りの回転は、0℃〜250℃の範囲の温度において制限され、C1、C2およびC1に直接結合したP1の方向にある原子から成る3つの原子配列が占める面ならびにC1、C2およびC2に直接結合したP2の方向にある原子から成る3つの原子配列が占める面との間の二面角は、0〜120°の範囲にある)の2座ジホスフィンリガンド、および、
(c)アニオン源
を含む触媒系の存在下で、共役ジエンを、一酸化炭素および易動性水素原子を有する共反応体と反応させることを含む、共役ジエンのカルボニル化方法。
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炭素−ヘテロ原子結合を形成する方法
本発明は、脱離基不飽和化合物と求核性化合物とを反応させることによって、炭素−ヘテロ原子結合を、好ましくは炭素−窒素原子結合を生成する方法に関する。特に本発明は、窒素有機誘導体のアリール化を含む方法を使用する、炭素−窒素原子結合の生成に関する。本発明の方法は、パラジウムベースの触媒、場合によって配位子の存在下で、脱離基担持不飽和化合物と、脱離基を置換することができ、それにより炭素−ヘテロ原結合子を生じるヘテロ原子を導入した求核性化合物とを反応させることによって、炭素−ヘテロ原子結合を生成することにある。本発明は、アルコールタイプの溶媒を伴って、有効量の金属水酸化物またはアンモニウム存在下で、反応が生じることを特徴とする。 (もっと読む)
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