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Fターム[4G169HC35]の内容

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Fターム[4G169HC35]に分類される特許

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チタニアもしくはチタニア含有物の薄膜を主たる反応源として常圧グロー放電プラズマを使用してCVDによって堆積させ、通常の場合に非常に高い基板温度でのみ達成可能(常圧CVDによる)であった薄膜特性及び薄膜成長速度を導く方法が記載される。 (もっと読む)


本発明は、基材上における酸化チタンのコーティング膜の付着方法において、光化学的性質を備えた該コーティング膜が、特に該金属酸化物の少なくとも1種の有機金属前駆体及び/又は金属ハロゲン化物を含むガス混合物から、気相において化学的に蒸着され、しかもこの蒸着がプラズマ源により援助されることを特徴とする方法に関する。 (もっと読む)


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