【課題】発光性半導体ナノクリスタルの表面劣化を抑制しつつ、この発光性半導体ナノクリスタルを透明樹脂組成物中に高濃度で容易に分散可能な発光媒体形成用組成物の提供。
【解決手段】発光媒体形成用組成物に含有する保護化合物として、α末端に反応性シリコーン基を有するとともにω末端に環状エーテル基を有し、反応性シリコーン基と環状エーテル基との間をエーテル結合で接合してなるものを適用した。反応性シリコーン基を発光性半導体ナノクリスタルの表面中に吸着させることで、発光性半導体ナノクリスタルの表面に欠陥が発生することを抑制でき、量子収率を維持することができる。表面修飾が不要となるので、取り扱いを容易にできるとともに、製造工程の煩雑化を防止できる。環状エーテル基およびエーテル結合により、透明樹脂組成物に対する発光性半導体ナノクリスタルの溶融性を高めることができる。 （もっと読む）

三元半導体ナノ結晶のコロイド溶液を生産する方法を提供する。まず二元半導体コアを準備し、その表面上に第１シェルを形成する。第１シェルは、その二元半導体コアを組成している成分のうち一元と、その二元半導体と結合して三元半導体を発生させる別の成分とを含有するよう形成する。そして、第１シェルの形成によって発生するコアシェル構造ナノ粒子をアニーリングすることにより、合金組成勾配のある三元半導体ナノ結晶を発生させる。
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【課題】発光層のバインダー成分との相溶性が高いＱＤ保護材料及び当該保護材料を用いた長駆動寿命な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板上に対向する２つ以上の電極と、そのうちの２つの電極間に配置された発光層を有し、更に、当該電極上には金属層を有していてもよい発光デバイスであって、前記発光層は、その化学構造の一部として、原子量の総和ＭＡが１００以上である部分Ａを有する化合物、及び保護材料により保護された量子ドットを含み、当該保護材料は、その化学構造の一部として、量子ドット表面と連結する連結基、及び原子量の総和ＭＢが１００以上であり、ＭＢとＭＡが｜ＭＡ−ＭＢ｜／ＭＢ≦２の関係を満たし、当該原子量の総和ＭＢが保護材料の分子量の１／３より大きい部分Ｂを有し、部分Ａの溶解度パラメータＳＡと、部分Ｂの溶解度パラメータＳＢが、｜ＳＡ−ＳＢ｜≦２の関係を満たすことを特徴とする発光デバイス。 （もっと読む）

【課題】量子ドットを含む発光層を備えた発光素子において、電荷（ホール、エレクトロン）をトラップして再結合し易く、且つその再結合によって生じた励起子を効果的に発光現象に変換できる発光層を備えた発光素を提供する。
【解決手段】少なくとも、陽極３と、量子ドット１１を有する発光層５と、陰極４とをその順で有する発光素子１であって、その発光層５は、量子ドット１１よりもバンドギャップが大きい半導体微粒子１２を含み、その半導体微粒子１２の粒径が量子ドット１１の粒径よりも大きいように構成して、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、量子ドットを含有する発光層を有し、寿命特性が良好なＥＬ素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、第１電極層と、上記第１電極層上に形成された発光層と、上記発光層上に形成された第２電極層とを有するＥＬ素子であって、上記発光層に、周囲にシランカップリング剤が配置された量子ドットを用いることを特徴とするＥＬ素子を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 電子の入射に応じて蛍光を発する蛍光体を提供する。
【解決手段】 電子線検出器では、ライトガイドにより、化合物半導体基板の蛍光出射表面を光検出器の光入射面に光学的に結合し、且つ、化合物半導体基板と光検出器とを物理的に接続し、もって、化合物半導体基板と光検出器とを一体化している。化合物半導体基板が入射した電子を蛍光に変換すると、ライトガイドが当該蛍光を光検出器に導き、光検出器が蛍光を検出することで、入射した電子線を検出する。 （もっと読む）

第１の材料からなるコア及び第２の材料からなる層を具えるナノ粒子。前記第１及び第２の材料のうち一方は、周期表の第１３族及び第１５族からのイオンを組み込んでいる半導体材料であり、前記第１及び第２の材料のうち他方は、周期表の第１族〜第１２族、第１４族及び第１５族のうち何れか１つから選択される金属イオンを組み込んでいる金属酸化物材料である。このようなナノ粒子の製造方法も説明される。更に、第１の材料からなるコア及び、該コア上に蒸着される第２の材料からなる層を具えているナノ粒子であって、前記第１及び第２の材料のうち一方は半導体材料であり、前記第１及び第２の材料のうち他方は周期表の第３族〜第１０族のうち何れか１つから選択される金属の酸化物であるナノ粒子を提供する。
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【課題】本発明の目的は、量子ドットをベースとするルミネセントマーキング物質を提供することにある。
【解決手段】本発明のルミネセントマーキング物質は、少なくとも１種のルミネセント物質と、そのルミネセント物質を対象物へと送達する少なくとも１種のビヒクルとを含むものであるが、ここでそのルミネセント物質には半導性のナノ粒子（量子ドット）が含まれている。いくつかの実施態様においては、そのマーキング物質がトナー組成物であり、そのビヒクルがトナー粒子であって、量子ドットはそのトナー粒子の中に組み入れられている。 （もっと読む）

マグネシウム含有シェルを含む半導体ナノ結晶組成物、およびそれらを調製する方法を記載する。この組成物は、青色および緑色波長における強い発光を提供し、かつ従来のシェル材料では達成されなかった化学的安定性および光安定性を提供する。

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組成物は、励起状態に励起することができる第1成分及び該第1成分から励起状態エネルギーを受け取ることができる第2成分を含むことができる。該第2成分は、励起される場合、15nm以下のFWHMを有する光を発することができる。該第2成分はJ-会合体であることができ、該第1成分は半導体ナノクリスタルであることができる。 （もっと読む）

ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を形成する方法が、提供される。そのナノ結晶複合材料は、（ａ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、（ｂ）Ｃｄ、Ｓｅ、Ａ、および（ｃ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、Ａのうちの一つの組成を有し、ＭはＣｄ以外のＰＳＥの第１２族元素であり、ＡはＯおよびＳｅ以外のＰＳＥの第１６族元素である。一実施形態において、元素Ｃｄまたはその前駆体と、適宜Ｍまたはその前駆体との溶液を、適当な溶媒で形成する。元素Ｓｅおよび適宜Ａをその溶液に添加して、それにより反応混合物を形成する。反応混合物を、ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料の形成に適した温度で十分な時間加熱し、その後、反応混合物を冷却する。最後に、ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を単離する。別実の施形態において、元素Ｃｄまたはその前駆体、Ｓｅ、適宜Ｍおよび適宜Ａを適当な溶媒に添加することにより、反応混合物を形成する。この実施形態において、反応混合物を加熱して、工程の間に形成された水を除去する。
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本発明は、組成ＣｄＡ（ＡはＳまたはＳｅ）のナノ結晶を形成する方法に関する。方法は、適当な溶媒で、ナノ結晶の生成に適した形式のカドミウムまたはカドミウム化合物の溶液を形成することを含む。溶媒はエーテルおよびアミンから選択された化合物を含む。方法はさらに、溶液を約２０℃から約２００℃までの範囲から選択された温度にすることを含む。方法はさらに、該約２０℃から約２００℃までの範囲から選択された温度で、ナノ結晶の生成に適した形式の元素Ａを添加することを含む。それにより、組成ＣｄＡのナノ結晶が形成される。
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無機発光層を形成する方法は、半導体ナノ粒子を成長させるための溶媒、コア／シェル量子ドットの溶液及び半導体ナノ粒子前駆体を組み合わせること、半導体ナノ粒子を成長させ、コア／シェル量子ドット、半導体ナノ粒子及びコア／シェル量子ドットに接続された半導体ナノ粒子の未精製溶液を形成すること、コア／シェル量子ドット、半導体ナノ粒子及びコア／シェル量子ドットに接続された半導体ナノ粒子の単一のコロイド分散液を形成すること、前記コロイド分散液を堆積させて膜を形成すること、及び、前記膜をアニーリングして無機発光層を形成することを含む。 （もっと読む）

価数制御された半導体ナノクリスタルは、それと結合された所望の数の化合物を有することができる。該半導体ナノクリスタルは、それと結合された正確に1個の化合物を有することができ、該化合物は、親和性標的に対して正確に1個の結合部位を有することができる。該半導体ナノクリスタルは、細胞表面タンパク質の単一コピーをイメージ化するために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】経済的に有利に蛍光体を製造することのできる蛍光体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体とドーピング元素を含む塩とを含む混合物をキャリアガスとともに温度を１７００℃〜２７００℃に制御した火炎内に導入することを特徴とする蛍光体の製造方法によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】制御が難しい欠陥生成工程を利用せずに作製できる新規な蛍光体材料を提供する。
【解決手段】蛍光体材料は、母体材料である第２族元素と第６族元素からなる半導体や第３族元素と第５族元素からなる半導体、アルカリ土類金属と３族と６族からなる三元系蛍光体と、遷移金属を有する固溶物質との共晶構造をなす。このような蛍光体材料は、外部から応力を付与して内部に欠陥をつくる欠陥生成工程がないため、特性ばらつきが少なく、ＥＬ素子に好適である。 （もっと読む）

厚膜誘電体ａｃ電子発光ディスプレイに使用される蛍光体の動作安定性を改善するために、新規かつ改良された複合厚膜誘電体構造が提供される。この新規な構造が、複合厚膜誘電体層とこれらのディスプレイの蛍光体層の底部との間に配置された１つ又はそれ以上のアルミニウム酸化物層を含む。
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本発明は、式（Ｉ） Ｂａ_ｗＳｒ_ｘＣａ_ｙＳｉＯ_４：ｚＥｕ^２＋、式中、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝２および０．００５≦ｚ≦０．３が良好に保持される、で表される発光体の製造方法に関する。本発明はまた、照明ユニット、および白色ＬＥＤのための、またはいわゆるカラーオンデマンドアプリケーションのためのＬＥＤ変換発光体としての発光体の使用に関する。
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【課題】従来の青色蛍光材料が有していた、エネルギー効率、色純度が低く、光源用途、ディスプレイ用途に使用することが難しい、高価である希土類塩を多量に必要とし、経済的に不向きである、などの問題を解消すること。
【解決手段】II−VI族化合物半導体にプラセオジムとアルカリ土類金属がドープされたことを特徴とする青色蛍光体、及びII-VI族化合物半導体にプラセオジムおよびアルカリ土類金属を焼成によって同時にドーピングすることを特徴とする青色蛍光体の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ） Ｂａ_ｗＳｒ_ｘＣａ_ｙＳｉＯ_４：ｚＥｕ^２＋、式中、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝２および０．００５＜ｚ＜０．５が良好に保持される、で表される発光体の製造方法に関する。本発明はまた、照明ユニット、および白色ＬＥＤのための、またはいわゆるカラーオンデマンドアプリケーションのためのＬＥＤ変換発光体としての発光体の使用に関する。
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