【課題】高温・高圧条件下で実施される水熱合成法ではなく、より穏和な反応条件の下で、双晶構造を有するII-VI族化合物半導体を製造する方法を開発すること。
【手段】キレート剤またはキレート剤溶液の存在下、アモルファスII-VI族化合物半導体を０〜２００℃、好ましくは８０〜１２０℃の温度に加熱することにより、双晶構造を有するII-VI族化合物半導体結晶を生成させる方法を開示する。該製造方法では、腐食性の高い原料や、高温高圧の製造条件の使用によって生じる製造プロセスの安全面、コスト面での問題を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】加速電圧が１５ｋＶ以下で照射時間が０．１〜２０μｓの電子線により励起されて発光する輝度の高い赤色発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の赤色発光素子は、３価のＥｕで付活されたイットリウム酸硫化物蛍光体を主体とし、加速電圧が１５ｋＶ以下で照射時間が０．１〜２０μｓの電子線により励起されて赤色に発光する発光素子であり、蛍光体表面に存在する蛍光体母体および付活剤を構成する元素以外の元素の含有割合が、１重量％未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】近紫外領域ないし青色領域の光で励起されて、深赤色領域に発光ピークを有する蛍光を発する蛍光体を提供する。
【解決手段】蛍光体を下記式で表わされる化学組成にする。
Ｍ¹_aＭ²_bＸ_cＭ³_dＭ⁴₃Ｏ_e
（Ｍ¹は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＰｂを表わし、Ｍ²は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｒ、Ｃｄ及びＢａを１種以上含むＭ¹として挙げられた元素以外の２価の金属元素を表わし、Ｘは、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＳｂを表わし、Ｍ³は３価の金属元素を表わし、Ｍ⁴は４価の金属元素を表わし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは各々０＜ａ≦１．５、１．５≦ｂ≦３．３、０＜ｃ≦０．５、１．５≦ｄ≦２．２、及び、１１≦ｅ≦１３を満たす正の数を表わす。） （もっと読む）

【課題】希土類元素をＲとし、ＭはＡｌ、Ｍｎ又はＣｒを示すものとし、一般式：ＲＭＯ_３で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物を電界発光材料として含む電界発光素子であって、紫外光を発光する素子を提供する。
【解決手段】対向する電極間に電界発光層を有する酸化物電界発光素子であって、
（１）前記電界発光層は、希土類元素をＲとし、ＭはＡｌ、Ｍｎ又はＣｒを示すものとし、一般式：ＲＭＯ_３で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物を含有し、
（２）前記酸化物は、遷移金属及びアルカリ土類金属からなる群から選ばれる少なくとも１種を更に含有し、
（３）前記電極間に流れる電流密度の極大値が１０μＡ／ｃｍ^２以上となるように、前記電極間に、周波数０．１Ｈｚ〜１０ｋＨｚのパルス電圧を電界強度１０^４Ｖ／ｃｍ以上で印加することにより、２００〜４００ｎｍの波長の光を発光する、
ことを特徴とする電界発光素子。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層に亀裂の発生がなく、断裁が容易で、画質も向上し、生産性の良好な放射線画像変換パネル、その製造方法及びカセッテの提供。
【解決手段】支持体上に、少なくとも１層の柱状結晶構造を有する蛍光体層が形成されている放射線画像変換パネルにおいて、該支持体の表面に該蛍光体層が形成されていない領域が、該支持体の端部より０．５ｍｍ以内であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 （もっと読む）

【課題】従来のＹＡＧ蛍光体に比べて、高温での発光特性に優れた蛍光体を提供する。
【解決手段】下記式で表わされる蛍光体を提供する。
Ｌｎ_x（Ｃａ_(1-y-z)Ｓｒ_yＭ^II_z）_(1-x-w)Ｍ^III_aＭ^IV_bＮ_(c×(1-d))Ｏ_(c×d)) ［１］
（Ｌｎは少なくともＣｅを含む付活剤元素を表わし、Ｍ^IIはＳｒ及びＣａ以外の２価の金属元素を表わし、Ｍ^IIIは３価の金属元素を表わし、Ｍ^IVは４価の金属元素を表わし、ｘは０＜ｘ≦０．５、ｙは０＜ｙ＜１、ｚは０≦ｚ＜１、ｗは０≦ｗ≦０．２５、ａは１≦ａ≦１．５、ｂは０．５≦ｂ≦１、ｃは２．５≦ｃ≦３．５、ｄは０≦ｄ≦０．１をそれぞれ満足する数を表わす。） （もっと読む）

１００から２０００ｎｍの間の範囲の平均繊維径を有するナノ繊維の繊維マットを含み、ナノ繊維と結合して配置された複数の刺激粒子を含む刺激光放射デバイスである。刺激粒子が、波長ｘの一次光を受け二次光を放射する。繊維マット内に一次光に対する散乱部を提供するように、平均繊維径が、波長ｘと同等の大きさを有する。適切な発光ナノ繊維マットを形成する様々な方法が、刺激粒子を含む又は含まないポリマー溶液をエレクトロスピンする段階、及びエレクトロスパン溶液から、１００から２０００ｎｍの間の平均繊維径を有するナノ繊維を形成する段階含む。刺激粒子を含まずにエレクトロスピンする方法では、エレクトロスピニングの間又はエレクトロスピニングの後に、刺激粒子を、繊維に、従って結果として得られる繊維マットに導入する。
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【課題】従来では、発光材料の種類が乏しいために、材料選択の余地が少なく、発光材料の供給メーカーが限定されるために、結果として発光装置が高価になる課題があった。また、大量生産に適し、安価に製造しうる全く新規な発光材料の製造方法、及び強い発光強度が得られる全く新規な発光材料を提供する。
【解決手段】ＺｎＳを母体材料とし、ＺｎＳに対してＣｕＡｌＳ_２を微量に添加した混合物を反応容器に密閉封止し、焼成する。なお、密閉封止する際に減圧に保った状態で密閉封止することが好ましい。また、得られた発光材料を用いた発光素子は、強い輝度のＥＬ発光が得られた。 （もっと読む）

【課題】有機系蛍光体を気密に封止するに当たって、その耐熱温度に充分耐えられる気密封止法を提案することによって、色ばらつきの少ない白色ＬＥＤを実現できる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２本の絶縁されたリード線が付いた円筒状のステムと、発光素子と、前記ステムに嵌合し、その天面に光出射用の透明部材を有し、かつその内部に有機系蛍光体を有する金属キャップとを備え、前記ステム上に前記発光素子を実装し、前記金属キャップに前記ステムを圧入して前記有機系蛍光体を気密封止した発光装置と、その製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高鮮鋭性、且つ、耐久性に優れた放射線像変換パネル及び放射線像変換パネルの製造方法の提供。
【解決手段】支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽性蛍光体層が、下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体層が気相成長法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ〜２０ｍｍの膜厚を有するように形成され、且つ、輝尽性蛍光体層の蛍光体の平均結晶サイズが９０ｎｍ〜１０００ｎｍであることを特徴とする放射線画像変換パネル。
一般式（１） Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｅＡ （もっと読む）

【課題】高輝度・高エネルギー効率を示す蛍光体を製造するために、付活剤（付活金属）を任意にドープすることにより蛍光体母材として利用可能なII−VI族化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】II族およびVI族元素の化合物から構成される六方晶系II−VI族化合物半導体から、六方晶と立方晶を含むII−VI族化合物半導体の結晶多形体混合物を製造する方法であって、六方晶系II−VI族化合物半導体に１０ｋｇ／ｃｍ^２〜５００ｋｇ／ｃｍ^２の範囲の圧縮圧力を加えて、六方晶系の結晶相の少なくとも一部を立方晶系に相転移させることを特徴とするII−VI族化合物半導体の結晶多形体混合物の製造方法によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】結晶の密度や実効原子番号を小さくすることなく、しかもシンチレータとして用いると光電子増倍管に十分適したものとなるシンチレータ用結晶及びこれを用いた放射線検出器を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるシンチレータ用結晶である。Ｌｎ_{（１−ｙ）}Ｃｅ_ｙＸ_３：Ｍ （１）（一般式（１）中、Ｌｎ_{（１−ｙ）}Ｃｅ_ｙＸ_３は母体材料の化学組成を示し、Ｌｎは希土類元素からなる群より選択される１種以上の元素を示し、Ｘはハロゲン元素からなる群より選択される１種以上の元素を示し、Ｍは母体材料中にドープされているドーパントの特定の構成元素を示し、ｙは下記式（Ａ）： ０．０００１≦ｙ≦１ （Ａ）で表される条件を満足する数値を示す。） （もっと読む）

【課題】蛍光体表面の過剰な金属-VI族化合物を除去し、量子効率の高い蛍光体を与える蛍光体の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】II-VI族化合物半導体を主成分として構成される蛍光体を酸でエッチングした後に、キレート剤またはキレート剤溶液で洗浄する蛍光体の処理方法。この処理方法では、キレート剤が水酸基および窒素原子を含むこと、水酸基および窒素原子含有キレート剤が８−キノリノールであること、キレート剤溶液が水およびアルコール類から選ばれる少なくとも1種を溶媒とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い発光輝度を示す蛍光体を提供する。
【解決手段】Ｍ¹、Ｍ²およびＭ³（ここで、Ｍ¹はＢａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる２種以上の元素であり、Ｍ²はＴｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ³はＳｉおよび／またはＧｅである。）を含有する酸化物を母体として、付活剤が含有されてなる蛍光体。
以下の式で表される蛍光体。
（Ｂａ_1-x-yＳｒ_xＥｕ_y）ＺｒＳｉ₃Ｏ₉
（ここで、ｘは０．２以上０．８以下の範囲の値であり、ｙは０．０００１以上０．５以下の範囲の値であり、かつｘ＋ｙは０．８以下である。） （もっと読む）

【課題】発光素子の発光輝度等の発光特性を十分とし得る蛍光体を提供する。
【解決手段】以下の式（１）で表される化合物を母体として付活剤（付活剤１）が含有されてなる第１の蛍光物質と、以下の式（２）で表される化合物を母体として付活剤（付活剤２）が含有されてなる第２の蛍光物質とを含む蛍光体。
ｍＭ¹Ｏ・ｎＭ²Ｏ・２Ｍ³Ｏ₂ （１）
（式（１）中のＭ¹はＣａ、ＳｒおよびＢａからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ²はＭｇおよび／またはＺｎであり、Ｍ³はＳｉおよび／またはＧｅであり、ｍは０．５以上３．５以下の範囲の値であり、ｎは０．５以上２．５以下の範囲の値である。）
ＺｎＭ⁴ （２）
（式（２）中のＭ⁴はＯおよび／またはＳである。） （もっと読む）

本明細書において開示するのは、フォトルミネッセンスを誘起するために受ける励起放射に変動があっても、放出の色度を実質的に一定の値に調節することができる「スマート」蛍光体組成物である。スマート組成物の一つの蛍光体は、励起放射の波長が増加するにつれ、放出強度の増加が増加することを実証する。他の蛍光体は、励起波長の増加と共に放出強度の減少を示す。この文脈での一定の色度とは、ＣＩＥ ｘまたはｙ座標の変化が励起波長の１０nm範囲にわたっておよそ５パーセント未満であることとして画定される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的はＥＬランプのための黄色発光燐光体ブレンドを提供することによってＥＬランプ製造者に利用可能なカラーパレットを拡張する。
【解決手段】緑発光エレクトロルミネセント燐光体及び赤色発光光ルミネセント燐光体を含むエレクトロルミネセントランプのための燐光体混合物であって、電場によって刺激されたときに０.２２０〜０.３５０のｘ色座標、及び０.４５０〜０.４７５のｙ色座標を呈する燐光体混合物を提供することによって上述の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体膜18の機械的強度および耐湿性などの信頼性を向上でき、小形化、薄形化できる放射線検出装置11を提供する。
【解決手段】放射線検出装置11は、放射線を光に変換する蛍光体膜を有する蛍光体膜部12と、蛍光体膜部12で変換した光を電気信号に変換する光電変換素子部13とを備える。蛍光体膜18は、膜面方向に複数の柱状結晶17を形成した柱状結晶17の集合体であり、かつ膜面方向に隣り合う柱状結晶17が界面を介して隙間なく接触して結合する。蛍光体膜18の機械的強度および耐湿性などの信頼性が向上する。蛍光体膜18の機械的強度が向上するため、蛍光体膜18を保持する基板16を省略したり、基板16の小形化、薄形化し、放射線検出装置11を小形化、薄形化する。 （もっと読む）

【課題】高純度の発光材料の製造方法、及びこの発光材料を用いた高輝度発光素子の提供。
【解決手段】容器内に、発光中心元素を含む第１の層を形成し、第１の層を覆うように、母体材料を含む第２の層を形成し、容器内の前記第１の層および第２の層に加熱処理を施すことによる、前記発光中心元素を第２の層に添加させる発光材料の製造方法である。加熱処理は、７００℃以上１５００℃以下の温度で加熱される。母体材料は、例えば硫化亜鉛等、発光中心元素は、銅、塩素、マンガン等である。１対の電極間に、バインダ中に分散された粒子状の該発光材料からなる発光層を有する高輝度な発光素子がえられる。 （もっと読む）

【課題】発光材料に無機化合物を用いた電荷注入型の発光素子において、発光材料の電気伝導度を向上させて、直流電圧で駆動させる。
【解決手段】母材として硫化物が用いられる。発光材料の電気伝導度を高めるため、ドナー元素が添加される。ドナー元素は、当該ドナー元素がつくるドナー準位と伝導帯下端とのエネルギーギャップが０．３ｅＶ以内である元素が選択される。母材が硫化亜鉛（ＺｎＳ）であれば、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ボロン（Ｂ）が選択される。 （もっと読む）