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Fターム[4H003DA15]の内容

洗浄性組成物 (67,184) | 洗浄剤の使用対象・使用方法 (7,895) | 電気関係(ハンダフラックス、レコード、テープ) (560)

Fターム[4H003DA15]に分類される特許

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【課題】極めて微細且つ高精度パターンを洗浄乾燥するための、フッ素イオンを遊離せず、且つ引火点を持たない洗浄乾燥剤、および基板の洗浄乾燥方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄乾燥剤は、一般式(1)


で表される含フッ素3級アルコールまたは一般式(2)


で表される含フッ素3級ジオールを含む。 (もっと読む)


【課題】フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ用剥離液は、(A)フッ化水素酸、(B)一般式(b−1)で表される塩基性化合物、及び(C)水を含有する。式中、R1bからR5bは、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基等を示し、R1bからR5bの少なくとも1つは水素原子である。R1bからR4bのうちいずれか1つとR5bとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Y1b及びY2bは炭素数1〜3のアルキレン基を示し、nは0〜5の整数を示す。nが2以上のとき、複数のR5b同士及び複数のY1b同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、R5b同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。
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【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、a)少なくとも約50重量%の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、1,4−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒;b)約0.005〜約0.8重量%のフッ素ソース;c)上限約49.9重量%の水;及び、d)上限約20重量%の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び/又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 (もっと読む)


【課題】エレクトロニクス材料、金属、ガラス、サファイア、樹脂等の洗浄工程で要求される製品表面の高清浄度を実現することができる、水溶性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)アルキルアミンオキサイド0.01〜10重量%、(B)硫酸残基を有する陰イオン界面活性剤0.01〜20重量%、(C)スルホン酸基を有する陰イオン界面活性剤0.01〜20重量%、(D)キレート剤0.01〜20重量%を含有することを特徴とする水溶性洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】研磨後の基板の表面に、有機残渣が生じることの少ないCMP研磨液用添加液を提供するものである。また、欠陥の発生数を低減できることが可能なCMP研磨液を提供し、半導体デバイス生産のスループットを向上させることを目的とする。
【解決手段】アルコール類及びフェノール類からなる群から選択される少なくとも1種の有機残渣抑制剤と、含有率が0.1質量%以上であるポリカルボン酸と、水と、を含有するCMP研磨液用添加液である。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、金属層表面の微小な凹みの少ない銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの表面に乾式めっき法により形成した1次金属層上に湿式めっき法で銅層を積層した銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法において、湿式めっき法を用いて銅層を積層する前に、ポリイミドフィルム或いは乾式めっき法により形成された1次金属層を有するポリイミドフィルムを、グリコール酸および硫酸を含有する水溶液中に浸漬する浸漬処理を施すことを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルムの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】鉛を含む高融点はんだを実装した電子部品を洗浄する際、水すすぎにて鉛崩壊現象を抑制することができ、すすぎ剤を使用した場合と同等の洗浄性を有する洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)一般式(1):


(式中、Rは炭素鎖8〜72の直鎖若しくは分岐鎖の不飽和または飽和のアルキル基又はアルキレン基を、nは2〜4を示す。)で表わされ、かつ、非水溶性のポリカルボン酸系化合物、(B)リン酸エステル系界面活性剤、及び、(C)有機溶剤を含むはんだ付けフラックス用洗浄剤組成物を用いる。 (もっと読む)


【課題】洗浄後の基板の表面のコーティング性を向上する洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の親水性表面改質が可能な洗浄剤組成物は、組成物の総重量を基準にして、(a)0.0001重量%以上且つ5重量%以下のポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール(PEG)、セルロース、ポリアクリル酸(PAA)、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンからなる群から選ばれる1種以上の水溶性高分子化合物と、(b)0.01重量%以上且つ5重量%以下の多価アルコール系化合物と、(c)0.05重量%以上且つ10重量%以下の第4級アンモニウム水酸化物と、(d)0.05重量%以上且つ40重量%以下の特定のグリコールエーテル系有機溶剤と、(e)残量の水とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス用基板、特に表面にCu配線を有する半導体デバイス用基板におけるCMP工程後の洗浄工程に用いられ、Cu配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】以下の成分(A)〜(E)を含有してなり、かつpHが10以上である半導体デバイス用基板洗浄液。
(A)一般式(1)で表される有機第4級アンモニウム水酸化物
(R14+OH- (1)
(但し、R1は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、4個のR1は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。)
(B)界面活性剤
(C)キレート剤
(D)硫黄原子を有するアミノ酸
(E)水 (もっと読む)


【課題】油中製造法等の液中製造法により造粉された粉末に好適な洗浄剤、及びその洗浄剤を用いて油中製造法等により高い清浄度ではんだ粉末を製造する。
【解決手段】液中ではんだ粉末を造粉する造粉工程と、該造粉工程で得られたはんだ粉末を洗浄剤にて洗浄する洗浄工程とを有し、その洗浄剤として、N−メチルピロリドン、2−ピロリドンジメチルスルホキシド、炭酸プロピレン、スルホラン、γ―ブチロラクトンの中から選ばれる一種以上の成分を含む洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


【課題】
化合物半導体基板の予備洗浄(プレ洗浄)技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄(プレ洗浄)剤組成物を提供することにある。
【解決手段】
炭化水素、グリコールエーテル、ノニオン性界面活性剤、分岐炭素鎖を有するエタノールアミンを含有する洗浄剤組成物により、研磨処理後の半導体基板、特にGaAs、サファイア、SiCのような化合物半導体と呼ばれる基板、に付着したワックス、研磨剤、パーティクル(研削屑等の異物)の汚れの除去に好適に使用しうるプレ洗浄剤組成物を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】安定的に溶解性を保持し、接着剤を迅速に溶解することが可能な、接着剤を剥離するための剥離用組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、接着剤を剥離するための剥離用組成物であって、下記化学式(I)
【化1】


で示される骨格を有する化合物を含み、上記化合物の純度が92%以上であって、かつ、上記化合物のトランス体を当該化合物のシス体よりも多く含んでなる。 (もっと読む)


【課題】 金属配線を腐食することなく、化学的機械研磨工程で発生した結晶シリコンやアモルファスシリコンシリコン表面に残留した金属残渣や砥粒残渣を除去することができる洗浄剤を提供することを目的とする
【解決手段】 表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、4級アンモニウムヒドロキシド(A)、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物(B)および水を必須成分として含み、そのpHが12.5〜14.0であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が30°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


【課題】クーラント、砥粒、あるいはシリコン粉に対する優れた洗浄性能を有し、かつ、その後のエッチング工程において良好なテクスチャーを形成することができるウェハ表面を作り上げることができるシリコンウェハ用表面処理剤組成物を提供する。
【解決手段】次の成分(a)〜(d)からなる;(a)エーテル型非イオン界面活性剤0.1〜40重量%、R−O−(AO)n−H、R:炭素数8〜24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基、AO:炭素数2〜4のオキシアルキレン基、n:1〜100(b)アルキルポリグルコシド5〜40重量%、R−O−(G)n−H、R:炭素数1〜22の直鎖又は分岐のアルキル基、G:炭素数5〜6の還元糖、n:1〜5(c)アルカリ剤1〜30重量%(d)水、前記成分(a)、(b)、(c)との合計量100重量%中の残部。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板、電極または配線上に存在する有無機汚染物またはパーティクルを除去することが可能な平板表示装置用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】本発明の平板表示装置用洗浄剤組成物は、組成物の総重量に対して、第4級アンモニウム塩化合物0.01〜10重量%、グリコールエーテル化合物0.01〜10重量%、リン酸エステル化合物0.01〜10重量%、グリセリン化合物0.01〜5重量%及び接触角低下剤0.01〜1重量%を含有し、残部が水からなる。 (もっと読む)


【課題】研磨材や研磨屑等の無機粒子に対する洗浄性が向上したガラスハードディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】以下の工程(1)〜(4)を含む、ガラスハードディスク基板の製造方法。(1)pHが1.0〜4.0である研磨液組成物を用いて被研磨ガラス基板を研磨する工程。(2)工程(1)で得られた基板を、pH1.0〜4.0の酸性洗浄剤組成物Aに浸漬しながら、洗浄工程(3)に搬送する工程。(3)工程(2)で搬送された基板を、pH8.0〜13.0のアルカリ性洗浄剤組成物Bを用いて浸漬洗浄する工程。(4)工程(3)で得られた基板を、pH1.0〜4.0の酸性洗浄剤組成物Cを用いてスクラブ洗浄する工程。 (もっと読む)


【課題】研磨後の表面粗さの悪化を抑制し、かつ、洗浄性に優れる酸性洗浄剤組成物の提供。
【解決手段】平均付加モル数が10〜90である炭素数2〜4のオキシアルキレン基と、アニオン性基(カルボン酸基を除く)又はその塩とを有する水溶性化合物、酸、及び水を含み、25℃におけるpHが0.5を超え5.0未満である、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した電子材料基板を洗浄するための電子材料基板用酸性洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】半導体製造における大型のメタル等の洗浄において、プラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去する高い洗浄力を発揮し、部材の剥離や変色を抑制し、さらには必要によりメタル材料の表面荒れをも抑制しうる半導体基板用洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】洗浄組成物により、エッチング工程及び/又は前記アッシング工程において半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び/又はアッシング残渣を洗浄除去する洗浄工程を含む半導体素子の製造方法であって、該洗浄組成物は、水と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、有機溶媒とを組み合わせて含有し、pHが1.5〜5.0に調整されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れを良好に除去できるハードディスク基板用洗浄剤を提供する。
【解決手段】(A)成分:ホスホン酸系キレート剤と、(B)成分:アニオン界面活性剤と、(C)成分:ノニオン界面活性剤とを含有し、(B)成分/(C)成分で表される質量比が0.05〜15、(A)成分/[(A)成分+(B)成分+(C)成分]で表される質量比が0.35〜0.95であり、純水で2質量%に希釈した希釈液の25℃におけるpHが5.0以下であることよりなる。 (もっと読む)


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