【課題】高濃度の界面活性剤を含有する濃縮タイプの組成において、被洗物への除菌性付与効果と外観安定性のいずれも優れた液体洗浄剤を提供すること。
【解決手段】非イオン界面活性剤（Ａ）と、一般式（ｂ１）で表される化合物（Ｂ）と、酵素（Ｃ）と、水（Ｄ）５０質量％以下と、を含有することを特徴とする液体洗浄剤。式（ｂ１）中、ｎは２〜６の整数である。Ｒ^１は炭素数８〜１８のアルキル基であり、Ｒ^２は水素原子、炭素数８〜１８のアルキル基、又は（ＣＨ_２）_ｍＮＨ_２である。ｍは２〜６の整数である。
［化１］
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【課題】洗浄時には豊かな泡立ちと洗浄時の泡の持続性を示すが、すすぎ時には瞬時に泡が消え、少量の水ですすぎが完了する手洗い用食器洗浄剤を提供する。
【解決手段】（ａ）特定のスルホコハク酸ジ若しくはモノアルキルエステル又はその塩、（ｂ）炭素数８〜２１の炭化水素基と、硫酸エステル塩基又はスルホン酸塩基とを有する陰イオン界面活性剤〔但し（ａ）を除く〕５〜３５質量％、及び（ｃ）スルホベタイン型界面活性剤を含有する手洗い用食器洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ用剥離液は、（Ａ）フッ化水素酸、（Ｂ）一般式（ｂ−１）で表される塩基性化合物、及び（Ｃ）水を含有する。式中、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基等を示し、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂの少なくとも１つは水素原子である。Ｒ^１ｂからＲ^４ｂのうちいずれか１つとＲ^５ｂとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Ｙ^１ｂ及びＹ^２ｂは炭素数１〜３のアルキレン基を示し、ｎは０〜５の整数を示す。ｎが２以上のとき、複数のＲ^５ｂ同士及び複数のＹ^１ｂ同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^５ｂ同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。
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【課題】特定の洗浄剤成分及び袋を併用することで、洗濯機あるいはブラシでこする等の機械力を必要とせず、優れた洗浄力とすすぎ性、泡切れ性に優れる洗浄剤組成物及び使用方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）：下記一般式（１）で示される非イオン性界面活性剤１〜１０質量％


［式中、Ｒ１は炭素数８〜２２の疎水基であり、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数２〜６のアルケニル基であり、−Ｘ−は連結基を示し、ＥＯはエチレンオキサイド基、ＰＯはプロピレンオキサイド基を示す。ｎ及びｍはこれらの基の平均付加モル数、ｎは３〜２０の整数であり、ｍは０〜６の整数である。］（Ｂ）：金属イオン封鎖剤３０を超える５０質量％以下。（Ｃ）：脂肪酸塩を除く陰イオン性界面活性剤。（Ｄ）：水に溶解して過酸化水素を発生する過酸化物。（Ｅ）：アルカリ剤１〜５０質量％以下。上記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、ａ）少なくとも約５０重量％の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒；ｂ）約０．００５〜約０．８重量％のフッ素ソース；ｃ）上限約４９．９重量％の水；及び、ｄ）上限約２０重量％の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時には豊かな泡立ちを示すが、すすぎ時には瞬時にヌルツキがなくなることにより、少量の水ですすぎが完了する手洗い用食器洗浄剤を提供する。
【解決手段】（ａ）特定のスルホコハク酸アルキルエステル又はその塩、（ｂ）炭素数８〜２１の炭化水素基と、硫酸エステル塩基又はスルホン酸塩基とを有する陰イオン界面活性剤〔但し（ａ）を除く〕、及び、（ｃ）分岐の炭化水素基を有する炭素数８〜２４のアルコール０．０００１〜０．１質量％を含有する手洗い用食器洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】洗浄時には豊かな泡立ちと洗浄時の泡の持続性を示すが、すすぎ時には瞬時に泡が消え、少量の水ですすぎが完了する手洗い用食器洗浄剤を提供する。
【解決手段】（ａ）特定のスルホコハク酸ジ若しくはモノアルキルエステル又はその塩、（ｂ）炭素数８〜２１の炭化水素基と、硫酸エステル塩基又はスルホン酸塩基とを有する陰イオン界面活性剤〔但し（ａ）を除く〕５〜３５質量％、及び（ｃ）スルホベタイン型界面活性剤を含有する手洗い用食器洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】洗浄力に優れ、洗浄時には豊かな泡立ちと洗浄時の泡の持続性を示すが、すすぎ時には瞬時に泡が消え、少量の水ですすぎが完了する手洗い用食器洗浄剤を提供する。
【解決手段】（ａ）炭素数８〜２１の炭化水素基と、硫酸エステル塩基又はスルホン酸塩基とを有する陰イオン界面活性剤１〜５０質量％、（ｂ）重量平均分子量１００，０００〜３，０００，０００のカチオン化セルロース、並びに（ｃ）含マグネシウム無機化合物及び／又はアルキレンジアミン化合物を含有し、（ｄ）アミンオキシド型界面活性剤及びアルカノールアミド型界面活性剤から選ばれる界面活性剤、及び（ｅ）シリコーン系消泡剤を実質的に含有しない、手洗い用食器洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の金型表面の発錆を抑える洗浄液を提供する。
【解決手段】脂肪酸グリセリルのモノエステル、ジエステル、および、トリエステルの３種混合物とジメチルスルホキシドを含む洗浄液である。脂肪酸グリセリルのモノエステル、ジエステル、およびトリエステルの混合比としては、好ましくは、モノエステル：ジエステル：トリエステル＝３０〜７０：２０〜６０：１〜３０、より好ましくは、モノエステル：ジエステル：トリエステル＝４０〜６０：３０〜５０：２〜２０である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面にＣｕ配線を有する半導体デバイス用基板におけるＣＭＰ工程後の洗浄工程に用いられ、Ｃｕ配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】以下の成分（Ａ）〜（Ｅ）を含有してなり、かつｐＨが１０以上である半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物
（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ＯＨ^- （１）
（但し、Ｒ¹は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ¹は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。）
（Ｂ）界面活性剤
（Ｃ）キレート剤
（Ｄ）硫黄原子を有するアミノ酸
（Ｅ）水 （もっと読む）

【課題】幅広い臭気を防臭できる繊維製品用洗浄剤を提供する。
【解決手段】アニオン界面活性剤（Ａ）と、銅、マンガン、ニッケル、鉄及び亜鉛から選択される少なくとも１種（Ｂ）と、前記（Ｂ）成分に含まれる金属と錯体を形成するアミノカルボン酸型金属イオン封鎖剤（Ｃ）と、カチオン化セルロース（Ｄ）とを含有することよりなる。前記（Ｂ）成分／前記（Ｃ）成分で表されるモル比は、１／３〜５であることが好ましく、特定の有機過酸前駆体（Ｅ）と、過酸化水素又は水中で過酸化水素を発生する過酸化物（Ｆ）とを含有することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】溶剤系洗浄剤は引火の危険性や揮発による環境や人体への影響があり、水系洗浄剤は洗浄後の界面活性剤やアルカリ剤などの残留物を除去するために、さらに水ですすぐといった手間があり、また洗浄面の腐食といった問題があった。
【解決手段】非水溶性溶剤、界面活性剤およびアルカリ剤を使用せず、（Ａ）界面活性化作用および耐腐食性を有する気化性化合物、（Ｂ）水、（Ｃ）水溶性溶剤を使用し、ｐＨの範囲が５．０〜１３．５である水系洗浄剤を用いて前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】起泡性界面活性剤と共に使用することにより泡立ち速度に優れる増泡剤及びそれらを含む洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）


［但し式中Ｒ^１は炭素数６〜１０のアルキル基を示し、Ａ^１Ｏ、Ａ^２Ｏは、各々独立にオキシエチレン基、オキシプロピレン基から選ばれる基を示し、Ａ^１Ｏ、Ａ^２Ｏが同時にオキシエチレン基、オキシプロピレン基の混合でも良い。ｍ，ｎは互いに独立に０以上の整数であり、１≦ｍ＋ｎ≦２の関係がある。］で表される脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物からなる増泡剤。 （もっと読む）

【課題】繊維製品から発生する生乾き臭、特に、繊維製品を乾燥後、湿潤（湿気を帯びること）によって生じる再発性の生乾き臭に対して優れた抑制能を有する衣類用液体洗浄剤組成物、及びこれを用いた効率的な生乾き臭抑制方法の提供。
【解決手段】成分(A)、(B)、(C)及び(D)を含有する繊維製品用液体洗浄剤組成物。(A)一般式(1)で表される非イオン界面活性剤15〜70質量％。Ｒ(ＣＯ)_pＯ−[(Ｃ₂Ｈ₄Ｏ)_q／(ＡＯ)_r]Ｒ'(1)、(B)水混和性有機溶剤１〜40質量％、(C)一般式(2)〜(4)のいずれかで表される１以上のカルボニル化合物0.01〜５質量％、(D)水。
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【課題】起泡性界面活性剤と共に使用することにより泡立ち速度に優れる増泡剤及びそれらを含む洗浄剤組成物の提供。
【解決手段】一般式（１）の構造を有する３級アミン化合物からなる増泡剤および増泡剤と起泡性界面活性剤を含有する洗浄剤組成物。


［但し式中Ｒ^１は炭素数５〜９のアルキル基を示し、Ｘは連結基であり−ＮＲ^４−，−（ＯＲ^５）pＯ−（ただし、式中Ｒ^５は分枝してよい炭素数１〜３のアルキレン基、ｐは０〜３の数、Ｒ^４は水素原子、ヒドロキシ基を含んで良い炭素数１〜３のアルキル基を示す。）を示し、ｍは０又は１の数を示し、ｎは１〜３の数を示す。Ｒ^２、Ｒ^３は互いに独立に水酸基を含んで良い炭素数１〜３のアルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】人体や環境への影響が小さくしつつも、有機酸を高濃度に溶解でき、且つ、さびとの反応速度が速いさび除去剤水溶液を提供する。
【解決手段】水溶液全体を基準（１００重量％）として、有機酸（Ａ）を０．５重量％以上２５重量％以下含有し、有機酸（Ａ）に対する中和率が１００％以上１５０％以下となるようにアミンを含有し、さらに、アミンに対する中和率が８０％以上となるように有機酸（Ｂ）及び／又は無機酸を含有し、有機酸（Ａ）が、蓚酸、スルファミン酸、グリシン、マロン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、グリコール酸及びグリオキシル酸のうちの少なくとも１種であり、有機酸（Ｂ）が、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、ブチル酸及びメタンスルホン酸のうちの少なくとも１種であり、無機酸が、塩酸、硝酸、硫酸及び燐酸のうちの少なくとも１種である、さび除去剤水溶液とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高濃度酸などによる過酷な酸洗条件下であっても、鉄鋼に対しては勿論、その他の金属に対しても極めて高い腐食抑制効果を示す酸洗浄用腐食抑制剤組成物、当該組成物を含む金属腐食抑制性酸洗浄液、および当該酸洗浄液を用いる金属の洗浄方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る金属腐食抑制剤組成物は、ロジンアミン、および、無機リン酸塩または有機ホスホン酸塩の少なくとも１種を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属配線を腐食することなく、化学的機械研磨工程で発生した結晶シリコンやアモルファスシリコンシリコン表面に残留した金属残渣や砥粒残渣を除去することができる洗浄剤を提供することを目的とする
【解決手段】 表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、４級アンモニウムヒドロキシド（Ａ）、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ）および水を必須成分として含み、そのｐＨが１２．５〜１４．０であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が３０°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】研磨材や研磨屑等の無機粒子に対する洗浄性が向上したガラスハードディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】以下の工程（１）〜（４）を含む、ガラスハードディスク基板の製造方法。（１）ｐＨが１．０〜４．０である研磨液組成物を用いて被研磨ガラス基板を研磨する工程。（２）工程（１）で得られた基板を、ｐＨ１．０〜４．０の酸性洗浄剤組成物Ａに浸漬しながら、洗浄工程（３）に搬送する工程。（３）工程（２）で搬送された基板を、ｐＨ８．０〜１３．０のアルカリ性洗浄剤組成物Ｂを用いて浸漬洗浄する工程。（４）工程（３）で得られた基板を、ｐＨ１．０〜４．０の酸性洗浄剤組成物Ｃを用いてスクラブ洗浄する工程。 （もっと読む）