【課題】洗浄後の基板の表面のコーティング性を向上する洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の親水性表面改質が可能な洗浄剤組成物は、組成物の総重量を基準にして、（ａ）０．０００１重量％以上且つ５重量％以下のポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、セルロース、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンからなる群から選ばれる１種以上の水溶性高分子化合物と、（ｂ）０．０１重量％以上且つ５重量％以下の多価アルコール系化合物と、（ｃ）０．０５重量％以上且つ１０重量％以下の第４級アンモニウム水酸化物と、（ｄ）０．０５重量％以上且つ４０重量％以下の特定のグリコールエーテル系有機溶剤と、（ｅ）残量の水とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面にＣｕ配線を有する半導体デバイス用基板におけるＣＭＰ工程後の洗浄工程に用いられ、Ｃｕ配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】以下の成分（Ａ）〜（Ｅ）を含有してなり、かつｐＨが１０以上である半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物
（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ＯＨ^- （１）
（但し、Ｒ¹は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ¹は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。）
（Ｂ）界面活性剤
（Ｃ）キレート剤
（Ｄ）硫黄原子を有するアミノ酸
（Ｅ）水 （もっと読む）

【課題】溶剤系洗浄剤は引火の危険性や揮発による環境や人体への影響があり、水系洗浄剤は洗浄後の界面活性剤やアルカリ剤などの残留物を除去するために、さらに水ですすぐといった手間があり、また洗浄面の腐食といった問題があった。
【解決手段】非水溶性溶剤、界面活性剤およびアルカリ剤を使用せず、（Ａ）界面活性化作用および耐腐食性を有する気化性化合物、（Ｂ）水、（Ｃ）水溶性溶剤を使用し、ｐＨの範囲が５．０〜１３．５である水系洗浄剤を用いて前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】カビ胞子を殺す効果と洗浄効果を有するカビ防除洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）カチオン界面活性剤、（ｂ）両性界面活性剤、（ｃ）非イオン界面活性剤、（ｄ）グリコールエーテル系溶剤、並びに水を含有することを特徴とする液状カビ防除洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 金属配線を腐食することなく、化学的機械研磨工程で発生した結晶シリコンやアモルファスシリコンシリコン表面に残留した金属残渣や砥粒残渣を除去することができる洗浄剤を提供することを目的とする
【解決手段】 表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、４級アンモニウムヒドロキシド（Ａ）、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ）および水を必須成分として含み、そのｐＨが１２．５〜１４．０であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が３０°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板、電極または配線上に存在する有無機汚染物またはパーティクルを除去することが可能な平板表示装置用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】本発明の平板表示装置用洗浄剤組成物は、組成物の総重量に対して、第４級アンモニウム塩化合物０．０１〜１０重量％、グリコールエーテル化合物０．０１〜１０重量％、リン酸エステル化合物０．０１〜１０重量％、グリセリン化合物０．０１〜５重量％及び接触角低下剤０．０１〜１重量％を含有し、残部が水からなる。 （もっと読む）

【課題】真菌類および一般細菌に対して殺菌効果を有すると共に、第四級アンモニウム塩および／またはビグアナイド系殺菌剤に抵抗性を有する微生物に対しても殺菌効果を有し、それ自体に対する薬剤抵抗性菌が発生し難く、かつ、高い洗浄力を有する殺菌洗浄剤組成物を提供すること。
【解決手段】下式の化合物、非イオン界面活性剤およびトリエタノールアミンを含有する殺菌洗浄剤組成物を提供する：


［式中、Ｒ_１は炭素数１〜３の飽和直鎖アルキル基、Ｒ_２は炭素数８〜１２の飽和直鎖アルキル基、Ｘ⁻はハロゲンイオン、Ｙは炭素数８〜１２の飽和直鎖アルキレン基を表す］。 （もっと読む）

【課題】半導体製造における大型のメタル等の洗浄において、プラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去する高い洗浄力を発揮し、部材の剥離や変色を抑制し、さらには必要によりメタル材料の表面荒れをも抑制しうる半導体基板用洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】洗浄組成物により、エッチング工程及び／又は前記アッシング工程において半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣を洗浄除去する洗浄工程を含む半導体素子の製造方法であって、該洗浄組成物は、水と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、有機溶媒とを組み合わせて含有し、ｐＨが１．５〜５．０に調整されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、有機残渣がベンゾトリアゾールが防錆剤の場合はもちろんのこと、カルボキシル基や水酸基などの官能基を有するHLBの高い防錆剤の場合においても、銅配線を腐食させることなく、有機残渣除去性に優れ、かつ金属残渣の除去性に優れる銅および銅合金配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】
水酸基を１個以上有するアミン（Ａ１）、および特定の化学構造を有する脂肪族ポリアミン（Ａ２）からなる群より選ばれる１種以上のアミン（Ａ）、２〜５個の水酸基を有し、それらの水酸基のうちの少なくとも２個が芳香環のオルト位もしくはパラ位に結合し、かつＨＬＢが１５〜４０であるポリフェノール化合物（Ｂ）、塩基性化合物（Ｃ）、並びに水を必須成分とし、使用時のｐＨが８．０〜１３．０であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトレンズ用液剤として安全性の高いカチオン性抗菌剤を使用するとともに、洗浄効果を維持・増進させうるアニオン性界面活性剤を併用しても、それぞれの所期の目的を達成できる新規な液剤を提案すること
【解決手段】（ａ）ポリクオタニウム−４、ポリクオタニウム−６、ポリクオタニウム−１１、ポリクオタニウム−１６、ポリクオタニウム−２２とからなる群より選ばれた少なくとも一種のカチオン性抗菌剤と、（ｂ）アニオン性界面活性剤と、（ｃ）ノニオン性界面活性剤とを含み、前記（ｂ）成分が０．００５〜１．０ｗ／ｖ％であり、（ｂ）：（ｃ）が１：０．０５〜１：２００の比率で含有することを特徴とするコンタクトレンズ用液剤。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特に、IC、ウェーハ基板上のWLP回路、及びPCBから、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための組成物と方法を提供することによって、上記限界及び欠点を克服する。
【解決手段】配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 洗浄時において電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 アルカリ成分（Ａ）、下記一般式（１）で表わされるポリオキシアルキレン化合物（Ｂ）および水を必須成分とすることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
ＨＯ−（ＥＯ）ｍ−（ＰＯ）ｎ−（ＥＯ）ｍ−Ｈ （１）
［式（１）中、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基；ｍはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜２５０の数、ｎはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜１００の数である。式（１）中の（ＥＯ）ｍと（ＰＯ）ｎと（ＥＯ）ｍは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。］ （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水に、洗浄剤と、塩基性化合物と、酸性有機化合物とを含有させ、実質的に中性に調整された洗浄組成物であって、さらに高分子化合物を含有させた洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のタングステンの腐食を抑制でき、かつ、半導体基板上のプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣の除去性に優れた洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）糖、（成分ｃ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、並びに、（成分ｅ）有機酸、を含み、ｐＨが６〜９であることを特徴とする半導体基板洗浄用の洗浄組成物。前記洗浄組成物を用いた洗浄方法、及び、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のタングステンの腐食を抑制でき、かつ、半導体基板上のプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣の除去性に優れた洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）アミン化合物、（成分ｃ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、（成分ｅ）有機酸、並びに、（成分ｆ）水溶性有機溶剤、を含み、ｐＨが６〜９であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 製造工程時に使用する装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 オキシカルボン酸（Ａ）とｐＨ６．０における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が７．０以上であって該オキシカルボン酸以外のキレート剤（Ｂ）およびアルカノールアミン（Ｃ）を必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】便器への塗布容易性と洗浄力の持続性に優れた便器用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）アルキル基の炭素数が１４〜２２でエチレンオキサイド平均付加モル数が２０〜８０であるポリオキシエチレンアルキルエーテル、及び（ｂ）エタノールを含有し、２５℃における粘度が５０〜３０００ｍＰａ・ｓである、便器用洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】５７〜９５重量％の（成分ａ）水、１〜４０重量％の（成分ｂ）第２級水酸基及び／又は第３級水酸基を有するヒドロキシ化合物、（成分ｃ）有機酸、並びに、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、を含有し、ｐＨが５〜１０であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）