【課題】この開示は、半導体装置を製造する間に、半導体ウェハの化学機械平坦化（ＣＭＰ）後のウェハの洗浄を扱う。
【解決手段】金属、特に銅、相互接続、を含むウェハの後ＣＭＰ洗浄用アルカリ化学薬品が開示される。残留スラリーパーティクル、特に銅および他の金属パーティクルは十分に金属をエッチングしたり、表面に堆積物を放置したりまたは金属を酸化および腐食から保護する間、ウェハに対して十分な汚染物を被ったりせずにウェハ表面から除去される。また、少なくとも１つの強キレート剤は溶液中の金属イオンと錯体を形成するための存在し、誘電体から金属の除去を促進し、かつウェハ上への再堆積を防ぐ。 （もっと読む）

本発明は、（ｉ）５重量％〜５５重量％のアニオン性洗浄性界面活性剤と、（ｉｉ）０．５重量％〜１０重量％の非イオン性洗浄性界面活性剤と、（ｉｉｉ）０．５重量％〜５重量％のカチオン性洗浄性界面活性剤と、（ｉｖ）０重量％〜４重量％のゼオライトビルダーと、（ｖ）０重量％〜４重量％のリン酸塩ビルダーとを含む、粒状洗濯洗剤組成物に関するものである。 （もっと読む）

本発明は、酸化防止剤を液状洗剤組成物に添加することによって、90%より少ない水を含んでなる液状洗剤組成物中の洗浄性酵素を貯蔵間に安定化することに関する。このような酸化防止剤は非常に少量で添加することのみが必要である。酸化防止剤はオキシドレダクターゼ、例えば、カタラーゼであることができる。 （もっと読む）

本発明は、置換又は非置換３，４−ジヒドロイソキノリンの双性イオン性サルフェート類の調製に関する。 （もっと読む）

ビスコリンおよびトリスコリン化合物に基づいた新規洗浄化学が、基板のエッチングを最小限に抑えながらフォトレジストおよびフラックスを除去することを目的として提供される。 （もっと読む）