【課題】半導体素子のバンプ形成などに用いられる厚膜レジストパターンなどの製造に有用であり、当該レジストパターンが裾引きの発生が極めて抑制されたものである化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）及び
式（Ｘ）


（式（Ｘ）中、
Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基などを表す。
２つのＲ^'は、水素原子、アルキル基、アリール基などを表すが、２つのＲ^'が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともに環を形成する。）
で表される化合物（Ｘ）を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２はエチレン性二重結合を含む基；Ｗは２価の脂環式炭化水素基；Ｔ^１は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基等；Ｔ^２は２価の脂肪族炭化水素基等］ （もっと読む）

【課題】各種溶媒、及び組み合わせるエポキシ基を有する化合物との親和性に優れる光塩基発生剤、並びにこれを含む感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）｛式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は特定の１価基であり、Ｚは未置換または置換アミノ基、環状アミノ基で表される部分構造である。｝で表される、各種溶剤への溶解性が良好な光塩基発生剤である。


更にこれを含有する、高分子前駆体の種類を問わず露光部と未露光部とで大きな溶解性コントラスト（すなわち高い残膜率）が得られ、かつアルカリ現像が可能な、光パターニング性を有する感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造することができる、特定の塩を酸発生剤として含むレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基等を表す。Ｌ^２及びＬ^３は、それぞれ独立に、単結合、２価の炭素数１〜６の飽和炭化水素基等を表す。環Ｗ^１及び環Ｗ^２は、互いに独立に、炭素数３〜３６の炭化水素環を表す。Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ^３は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。ｔは、０〜２の整数を表す。Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、新規な塩基増殖剤、該塩基増殖剤を含む樹脂組成物および該樹脂組成物から得られる硬化物を提供することを課題とする。
【解決手段】斯かる課題を解決する手段として、下記一般式（１）で表される化合物を提供する。
【化１】


［式中、Ｘ、ｎ、Ｒ^１〜Ｒ^４は明細書に定義されるとおりである。］ （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性、塗布性及び引き置き安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】構成単位（ａ０−１）と、酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するる樹脂成分（Ａ１）を含有する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、及び含窒素有機溶剤成分（Ｓ）を含有するレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】高い解像度および低いＬＥＲを有し、かつ加工安定性を伴う、向上した解像度を有するカリックス［４］アレーンベースのフォトレジストの提供。
【解決手段】式（Ｉ）：Ｃ_６Ｒ^１_ｘ（ＯＲ^２）_ｙ（Ｉ）の芳香族化合物と、式（ＩＩ）：Ａｒ^１−ＣＨＯ（ＩＩ）の多環式もしくは縮合多環式芳香族アルデヒドとのテトラマー反応生成物；並びに芳香族化合物のヒドロキシ基、多環式もしくは縮合多環式芳香族アルデヒドのヒドロキシ基、または前記のものの少なくとも１種を含む組み合わせとの付加物としての、酸により除去可能な保護基；を含む分子性ガラス化合物、分子性ガラス化合物を含むフォトレジスト、並びにフォトレジスト組成物の層を含むコーティングされた基体。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として有用な塩、及び当該塩を含有する、優れたマスクエラーファクターを有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^２は、ラクトン環基を表す。Ｒ^３は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、式（ａ−ｇ１）


（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。＊１は、硫黄原子との結合手を表し、＊２は、Ｒ^２又はＲ^３との結合手を表す。Ａ^１０は、脂肪族炭化水素基を表す。Ａ^１１は、脂肪族炭化水素基又は単結合を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基等を表す。ｍ１は１又は２を表し、ｍ２は０又は１を表す。但し、ｍ１＋ｍ２＝２の関係を満たす。Ａ⁻は、スルホン酸アニオン等の有機アニオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として有用な塩、及び当該塩を含有する、優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^２は、塩基解離性基を表す。Ｒ^３は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、式（ａ−ｇ１）


（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ独立に脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ｍ１は１又は２を表し、ｍ２は０又は１を表す。但し、ｍ１＋ｍ２＝２の関係を満たす。Ａ⁻は、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオンから選ばれる有機アニオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】露光ラチチュード、及びＬＷＲなどのパターンラフネスに優れ、発生酸の液浸液への溶出少ない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物、及び（Ｂ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）で、欠陥数の少ないレジストパターンの製造。
【解決手段】式（ａａ）、（ａｂ）の構造単位を有する樹脂（Ｘ）、酸発生剤（Ｂ）を含有する組成物。


［式中、Ａ^aa1は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等で表される基；Ｒ^aa2は、脂肪族炭化水素基；Ｒ^ab2は芳香族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物の酸発生剤として好適な化合物、及び当該化合物を含有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ａ^＋は、有機カチオンを表す。Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子等を表す。Ｌ^ｂ１及びＬ^ｂ１‘は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｙ^ｂ１は、炭素数１〜５のアルキル基を有していてもよいフェニレン基を表す。Ｘ^ｂは、メトキシメトキシ基等を表す。］、および、式（Ｉ）で表される化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】解像度が良好なレジストパターンを製造可能なレジスト組成物に好適な塩及びレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、
Ｒ^１は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^２は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。
Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ａ⁻は、有機アニオンを表す。］、及び、当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含むレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、密集及び孤立の両トレンチパターン形成における焦点深度を共に高いレベルにすることができ、かつ断面形状が良好なレジストパターンを形成することができるフォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有する重合体、及び
［Ｂ］酸発生剤を含有するフォトレジスト組成物であって、［Ｂ］酸発生剤が、下記式（１）で表されるカチオンと、炭素数６〜１５の脂環構造を有するアニオンとを含むことを特徴とする。下記式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基である。但し、Ｒ^１とＲ^２とが互いに結合して、これらが結合している硫黄原子と共に環構造を形成していてもよい。Ｘは、単結合又は酸素原子である。
（もっと読む）

【課題】ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ焦点深度に優れるフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される化合物、及び［Ｂ］下記式（２−１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体を含有するフォトレジスト組成物である。
（もっと読む）

【課題】パターンの線幅の経時安定性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、（Ｂ）下記一般式（１−１）により表される化合物とを含有している。
【化１】
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【課題】軸不斉骨格を有するスルホン酸が担持された担持物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１，１’−ビナフタレン−２，２’−ジスルホン酸ジクロリドとエチレンジアミンを反応させてＮ−（２−アミノエチル）−１，１’−ビナフタレン−２，２’−ジスルホニルイミドとし、次いでこれを加水分解して２−（（２’−ヒドロキシスルホニル-１，１’−ビナフタレン−２−イル）スルホニルアミノ）エチルアミンとし、更にベンゼン−１，３−ジスルホニルクロリドを反応させ、最後にアミノプロピルシリカを反応させることにより得られる、３−（２−（（２’−ヒドロキシスルホニル−１，１’−ビナフタレン−２−イル）スルホニルアミノ）エチルアミノスルホニル）ベンゼンスルホニルアミノプロピルシラン化合物が担体に化学結合している担持物。 （もっと読む）