【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分（Ｂ）は、式（ｂ１−１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有する［Ｚ^＋は有機カチオン；Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数１〜６のフッ素化アルキル基；Ｘは−（ＣＨ_２）_ｍ１−；Ｙは単結合、−Ｏ−（ＣＨ_２）_Ｌ１−又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_Ｌ１−；Ｌ１、ｍ１は１〜６の整数；ＲｘはＣ＝Ｃ不飽和結合を有し、置換基を有していてもよい炭素数２〜３６の２価の脂肪族炭化水素基；Ｒｙは酸解離性基である。］。
［化１］
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【課題】露光ラチチュード、及びＬＷＲなどのパターンラフネス特性に優れ、経時による性能の変動が少ない感放射線性樹脂組成物、それを用いた感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】放射線の照射により分解して酸を発生させる下記一般式（１）で表される化合物、及び酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感放射性樹脂組成物。一般式（１）中、Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立に、アリールを表し、Ｒ_１とＲ_２が連結していてもよい。Ｒ_３及びＲ_４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又はアリール基を表す。また、Ｒ_３とＲ_４が連結していてもよい。Ｒ_５は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、又はアルキルカルボニル基を表す。Ｒ_５は、Ｒ_３もしくはＲ_４と連結していてもよい。
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【課題】
パターン形成後にラフネスが発生したり、パターン自体をうまく描けないなどの欠陥を防止するために、樹脂中に光酸発生機能を組み込んだレジスト樹脂であって、「酸の作用によって現像液への溶解性が変化する部位」と「光酸発生機能を有する部位」が規則正しく配置されたレジスト樹脂を提供する。
【解決手段】
下記一般式（３）で表される繰り返し単位を有する含フッ素スルホン酸塩樹脂。
【化１】


（式中、Ａはそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。ｎは１〜１０の整数を表す。Ｗは２価の連結基を表す。Ｒ^１は酸不安定基を表す。M⁺は、１価のカチオンを表す。） （もっと読む）

【課題】感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式（１−１）により表される化合物とを含有している。
【化１】
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【課題】本発明の目的は、ＥＬに優れると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減し、リソグラフィー特性を向上させることができるフォトレジスト組成物を与え得る感放射線性酸発生剤を提供することである。
【解決手段】本発明の化合物は、下記式（１）で表される。また、下記式（１）におけるＲ^２は、炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基であることが好ましい。さらに、本発明は、［Ａ］本発明の化合物、及び［Ｂ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有する重合体を含有するフォトレジスト組成物も含む。
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【課題】レジスト組成物の酸発生剤として好適な化合物、及び当該化合物を含有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ａ^＋は、有機カチオンを表す。Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子等を表す。Ｌ^ｂ１及びＬ^ｂ１‘は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｙ^ｂ１は、炭素数１〜５のアルキル基を有していてもよいフェニレン基を表す。Ｘ^ｂは、メトキシメトキシ基等を表す。］、および、式（Ｉ）で表される化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】設計寸法の微細化に伴い、より優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）の特性が求められている。
【解決手段】式（Ｉ）


［式（Ｉ）中、Ａ^１及びＡ^２は炭素数１〜１８の１価の脂肪族炭化水素基等を表し、Ａ^３は炭素数１〜１８の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｘ^１は炭素数１〜１０の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。］で表される塩（Ｉ）と、式（Ｂ１）


で表される塩（Ｂ１）と樹脂とを含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体微細加工の設計寸法がますます微細化していくことに従い、より優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）を有するレジストパターンの製造が求められている。
【解決手段】分子内に、３級硫黄原子及びカルボキシレート基をそれぞれ１つずつ有する塩、該塩を含有するレジスト組成物、並びに該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法。該塩としては、式（Ｉ）で表される塩が好ましい。


［式（Ｉ）中、Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の１価の有機基であり、Ａ^３は炭素数１〜１８の２価の有機基である。Ａ^１及びＡ^２が互いに結合して、これらが結合している硫黄原子とともに複素環を形成していてもよく、Ａ^１及びＡ^３が互いに結合して、これらが結合している硫黄原子とともに複素環を形成していてもよい。］ （もっと読む）

【課題】
容易に光学活性なβ-アミノチオールおよびβ-アミノスルホン酸へと変換ができる前駆体の簡便かつ高エナンチオ選択的合成法の創生を目的とする。
【解決手段】
アジリジン類の窒素上にヘテロアレーンスルホニル基を導入し、不斉有機分子触媒とアルコール存在下でイソチオシアネート類を反応させ不斉開環反応により光学活性β-アミノチオール酸誘導体または光学活性β-アミノスルホン酸誘導体を合成する方法を創生した。 （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、得られるパターンのフォーカスマージンの点で、必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２はそれぞれ独立に、フッ素原子等を表す。Ｌ^１は炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基等を表す。Ｌ^２は炭素数１〜６の２価の脂肪族飽和炭化水素基等を表す。環Ｗは炭素数３〜３６の脂肪族環等を表す。Ｒ¹は、アントラセン環、フルオレン環又はフェナントレン環を含む１価の有機基であり、該有機基は置換基を有していてもよい。Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ネガ型現像プロセスにおいて、エッチング耐性に優れたレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及び該レジストパターン形成方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、及びレジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、基材成分（Ａ）として、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を用い、酸発生剤成分（Ｂ）が、環構造をアニオン部に有する酸発生剤（Ｂ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】基質一般性の問題が克服できる水中での不斉アルドール反応用の触媒を開発し、ホルムアルデヒド以外のアルデヒド化合物を反応基質として用いることのできる反応系を提供する。
【解決手段】水中で下式で表される配位子とスカンジウムドデシルサルフェート等のルイス酸とを混合させて得られる触媒の存在下、１−ｔ−ブチルチオ−１−プロペニルオキシトリメチルシラン等のケイ素エノラートとホルムアルデヒド等のアルデヒド化合物とを反応させるβ−ヒドロキシカルボニル化合物の製法。


（式中、Ｒ^１及びＲ^２はイソプロピル基、ｔ−ブチル基等を表し、Ｒ^３及びＲ^４は水素原子等を表し、Ｘ^１及びＸ^２は水酸基等を表す。） （もっと読む）

【課題】熱硬化組成物の硬化開始剤として有用な新規なスルホニウム化合物の提供。
【解決手段】


（Ｒ₁は水素，Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基のいずれかを、Ｒ₂はＣ₁〜Ｃ₄のアルキル基で置換されていてもよいベンジル基を、Ｒ₃はＣ₁〜Ｃ₄のアルキル基を示す。）で表わされる新規スルホニウム化合物。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンを有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩を有効成分として含有する酸発生剤と、式（ａ３−２）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基；Ｌ^２は単結合又は２価の飽和炭化水素基；Ｒ^１は脂肪族炭化水素基；Ｒ^２は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基等；Ｚ^＋は有機対イオン；Ｌ^a5は、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−、ｋ３は１〜７の整数、＊は−ＣＯ−との結合手；Ｒ^a22はカルボキシ基、シアノ基又は脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】 ラフネス特性に優れ、且つ、膜減りや裾引きのない良好なパターン形状を形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）カチオン部に窒素原子を含み且つ活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩、及び（Ｃ）下記一般式（１−１）または（１−２）で表される、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。（一般式（１−１）及び（１−２）中の各符号は明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】
スルホンアミドからスルホンアミドアルカリ金属塩を経由してスルホンアミドオニウム塩を製造する方法は、スルホンアミドアルカリ金属塩の収率が低く、工業的なスルホンアミドオニウム塩の製造方法ではなかった。
【解決手段】
スルホンアミドを、水酸化アルカリ金属と反応させる第１工程を含む、一般式（２）
【化】


で表されるスルホンアミドアルカリ金属塩の製造方法。
（式中、Ｒ^１は置換基を有していてもよい炭素数５以上の脂環式基または置換基を有していてもよい炭素数２以上の末端に重合性不飽和基を有する基であり、Ｘは２価の連結基であり、Ｙは直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキレン基またはアリーレン基であり、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Ｍ^＋はアルカリ金属イオンである。） （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びレジストパターン形状の向上や、パターン倒れの抑制を達成できるレジスト組成物の、クエンチャーとして有用である新規な化合物の提供。
【解決手段】一般式（ｃ１）で表される化合物［Ｒ^１は置換基を有していてもよい炭素数５以上の脂環式基であり、Ｘは２価の連結基であり、Ｙは直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキレン基、又はアリーレン基であり、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Ｍ^＋は有機カチオン又は金属カチオンである］。
［化１］
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【課題】入手が容易なカルボン酸化合物と（メタ）アクリル酸無水物を原料に用いることで、ハロゲン化物の含有量が少ないカルボン酸モノマーを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＯＨ基、ＳＨ基またはＮＨ_２基を有するカルボン酸化合物と、（メタ）アクリル酸無水物とを反応させて２−（メタクリロイルオキシ）酢酸、２−（メタクリロイルオキシ）プロピオン酸、２−（メタクリロイルオキシ）−２−フェニル酢酸等のカルボン酸モノマーを製造する。原料としてはＯＨ基を有するカルボン酸化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】放射線もしくは化学療法、または様々な臓器の変性疾患もしくはプロセスに関連したイオン化物質または他の損傷物質の損傷作用に対する、細胞、組織、および臓器の保護に関する。そのイオン化物質または他の損傷物質は、過酸化物、スーパーオキシドアニオン、ヒドロキシルラジカルもしくは酸化窒素のようなフリーラジカルもしくはオキシダントの生成、または重金属陽イオンを誘起する。
【解決手段】ある種のメトキシポリエチレングリコールチオエステルキレートメチルエステルは、細胞膜を透過して、フリーラジカルオキシダントから電子を除去し、かつ過酸化物と反応して反応性ヒドロキシルラジカルを生成する重金属を除去するか、または細胞小器官から放出され得るCa⁺⁺を除去することにより、組織損傷に対する防護剤として有用である。これらのキレートエステルは、緑内障患者の眼内圧の低下において有用である。 （もっと読む）

【課題】ラフネスがより低減され、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ１）及び−ＳＯ_２−含有環式基を含む構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）と、一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するポジ型レジスト組成物。一般式（ｃ１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基；Ｙ^１は２価の脂肪族炭化水素基；Ｒ^１は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基である。ｐは１〜１０の整数、Ａ^＋は有機カチオンを表す。
［化１］
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