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Fターム[4H048BE62]の内容

第1−3族元素を含む化合物及びその製造 (10,279) | 反応試剤 (169) | M″Xn (8)

Fターム[4H048BE62]に分類される特許

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【課題】 本発明の課題は、簡便な方法により、高純度ジイソプロピル亜鉛及びその製法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、塩素原子の含有量が5.0質量ppm以下であり、且つ金属原子の合計含有量が0.40質量ppm以下であることを特徴とする、高純度ジイソプロピル亜鉛によって解決される。 (もっと読む)


【課題】置換された1,1,2−トリフルオロエテニル亜鉛を安全に、安価に、且つ収率よく得る方法を提供する。
【解決手段】テトラフルオロエチレンと有機亜鉛化合物とを反応させる、下式で示される置換された1,1,2−トリフルオロエテニル亜鉛の製造方法。


[式中、Yは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、Cl、Br又はIを表す。] (もっと読む)


【解決課題】全粒径に亘ってBa/Tiモル比のバラツキが小さいシュウ酸バリウムチタニルを提供すること。更に、本発明は結晶性に優れたチタン酸バリウムを提供すること。
【解決手段】シュウ酸及び四塩化チタンを水に混合して得られる水溶液(A1液)と、塩化バリウム水溶液(B1液)と、を反応容器に供給しつつ、反応液を該反応容器から排出しながら、シュウ酸バリウムチタニルの生成反応を行うことを特徴とするシュウ酸バリウムチタニルの製造方法。 (もっと読む)


ナフタロシアニンの調製方法を提供している。その方法は、(i)テトラヒドロナフタル酸無水物を提供するステップと、(ii)前記テトラヒドロナフタル酸無水物をベンズイソインドレニンに変換するステップと、(iii)前記ベンズイソインドレニンを大環状化して、ナフタロシアニンを形成するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】従来の硫酸系光沢銅電解液と比べ、同等の光沢を有していながら均一な電析銅皮膜を安定して得ることの出来る硫酸系銅電解液を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド成分を含むことを特徴とする硫酸系銅電解液であり、当該ビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド成分はビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド銅水和物を用いて添加されたことを特徴とする硫酸系銅電解液を用いる。そして、ビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド銅水和物は3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸ナトリウム水溶液に塩化第二銅を加えた混合溶液から有機溶剤を用いて晶析させるプロセスにより製造する。 (もっと読む)


【課題】有機合成触媒として有用なスルホニルイミド酸銀を工業的に容易に効率良く製造できるスルホニルイミド酸銀の製造方法を提供すること。
【解決手段】M[N(Rf1SO2)(Rf2SO2)]x [式中、Rf1及びRf2は、同じかまたは異なり、炭素原子数1から12までの直鎖状または分岐状のペルフルオロアルキル基、フルオロアルキル基、フルオロアルケニル基、またはフルオロアリル基のいずれかを表し、Mは、Hまたは元素周期表第Ia族のアルカリ金属のうち、Li、Na、K、Cs、および第IIa族のアルカリ土類金属のうち、Mg、Ca、Sr、Baを表す。また、xは自然数うち1、2を表す。]で示されるスルホニルイミド化合物と、無機銀化合物とを、フッ化水素酸液中で反応、あるいは水溶液中で反応させた溶液とフッ化水素酸液とを混合することにより、AgN(Rf1SO2)(Rf2SO2)で示されるスルホニルイミド酸銀を製造することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 安定性が大幅に改善され、即ち、予め大量生産していても問題が少なく、そして成膜した場合には、Al系膜が均一に形成され、特に穴や溝の底面部にも、均一にAl系膜が形成される技術を提供することである。
【解決手段】 下記の一般式[I]で表される化合物。
一般式[I]
CHAlH:L
[但し、一般式[I]中、Lはアルキルアミンである。] (もっと読む)


【課題】IIB族およびIIIA族化合物の改良された製造法を提供する。
【解決手段】式Ra’M1b’c’(式中、各Rは独立して(C−C10)有機基であり、M1はIIB族またはIIIA族金属であり、各Yは独立して(C−C)カルボキシレートまたはハロゲンであり、a’=0〜2であり、b’はM1の価数であり、c’=1〜3であり、a’+c’=b’である)の化合物を式RM2Y3−x(式中、各Rは独立して(C−C10)有機基であり、M2はIIIA族金属であり、各Yは独立して(C−C)カルボキシレートまたはハロゲンであり、x=1〜3である)の化合物と第3級アミンまたは第3級ホスフィンの存在下で反応させる工程を含み、M1の電気陰性度がM2の電気陰性度以上である化合物の調製方法。 (もっと読む)


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