本発明は、式（Ｉ）で表される新規触媒：


式中、ＭはＺｎ（ＩＩ）、Ｃｏ（ＩＩ）、Ｍｎ（ＩＩ）、Ｍｇ（ＩＩ）、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｃｒ（ＩＩＩ）−Ｘ、またはＦｅ（ＩＩＩ）−Ｘから選択される；およびその二酸化炭素とエポキシドとの共重合における使用を提供する。 （もっと読む）

【課題】産業的な利用が可能な新規な配位高分子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の配位高分子は、銅、銀およびカドミウムから選ばれるいずれか１つの金属元素と、以下の式（１）で表される配位子とを含み、配位子がその金属元素を介して連結されている。


［式（１）中、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子およびアルキル基から選ばれるいずれか１つを示す。］ （もっと読む）

本発明は、金属ナノ粒子、及び金属塩溶液を誘導体化されたポリエチレンイミンもしくはポリビニルアミンの存在下で還元剤を用いて還元する該金属ナノ粒子の製造方法に関する。２種以上の異なる金属の金属塩溶液を同時に又は順次に還元することができ、その際、２種以上の異なる金属からの金属ナノ粒子が得られる。有利な金属は、銀、パラジウム及び白金である。適した還元剤は、例えばギ酸、ホルムアルデヒド、ジエタノールアミン、５−ペンテン酸及び水素化ホウ素ナトリウムである。銀は、酸化銀及び／又は硝酸銀の形で、パラジウムは、アルカリテトラクロロパラジウム酸塩又は硝酸パラジウム（ＩＩ）の形で、及び白金は、アルカリテトラクロロ白金酸塩又は硝酸テトラアミン白金（ＩＩ）の形で使用することができる。
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【課題】不斉合成に有用な遷移金属触媒の配位子であるホスフィノビナフチルの有用な合成中間体を提供する。
【解決手段】下式で表されるホスフィンーボラン錯体またはその塩。


〔式中、R3’、R5’、R6’およびR8’はそれぞれ水素原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を、R4’およびR7’はそれぞれ水素原子、フッ素原子、塩素原子、C2-6アルキル基、低級アルコキシ基、モノ低級アルキルアミノ基またはジ低級アルキルアミノ基を示す（R3’とR4’およびR7’とR8’は低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい）〕 （もっと読む）

【課題】化学蒸着又は原子層蒸着の前駆体として使用される三座β-ケトイミネートの金属錯体の提供。
【解決手段】三座βケトイミネートの金属含有錯体、例えばビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウム、ビス(2,2-ジメチル-5-(1-メチルエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ニッケル、Ti(O-iPr)3(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト、ビス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)コバルト、トリス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)ランタン、トリス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト)イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】発光材料として有用な安価な金属錯体の提供。
【解決手段】下式（Ｉ）で表される多核錯体。


（式（Ｉ）中、Ｍは１１族の金属原子又は金属イオンを表し、ａは２以上の数を表す。Ａｒは４価の有機基を表し、ｂは１以上の数を表す。Ｒは炭化水素基を表す。Ｑは窒素原子、リン原子、酸素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれる配位原子を持つ配位子を表し、ｃは０以上の数である。Ｘはカウンターイオンを表し、ｄは０以上の数である。） （もっと読む）

【課題】拡散バリア層に原子層堆積によって金属を被着させる方法の提供。
【解決手段】金属と電子求引基を含む配位子とを含む有機金属前駆物質錯体。該錯体は、十分にパッシベーションされた拡散バリア層及び該拡散バリア層に被着された金属層へ発熱的に化学吸着し、且つ該拡散バリア層及び該金属層上で発熱性の還元を受けるのに適合している。金属は好ましくは銅である。該錯体を原子層堆積において利用する。 （もっと読む）

ベータ−ラクタマーゼ阻害剤として作用するα−アミノボロン酸類およびその誘導体をここに記載する。α−アミノボロン酸類を含む医薬組成物およびその使用方法もここに記載する。 （もっと読む）

本発明は、発光層のマトリクス材料としての、式(I)の金属錯体を含有する燐光有機電子発光デバイスに関する。
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【課題】電子デバイス等の製造工程で必要な銅薄膜を安全、安価、かつ容易に形成できる銅化合物を提供する。
【解決手段】本発明は、分解温度が１００〜３００℃の範囲であって、下記式（１）：［Ｒ¹ＣＯＯ］_n［ＮＨ₃］_mＣｕＸ¹_p（１）（但し、ｎは１〜３、ｍは１〜３、ｐは０〜１、Ｘ¹はＮＨ₄⁺、Ｈ₂Ｏ、又は溶媒分子、及びＲ¹はＨ，ＣＨ₂Ｘ²，又はＣＨ₂Ｘ²（ＣＨＸ²）_qを表わし、同じであっても異なっていても良く、ｑは１〜４、又はｎは２であって、２個の［Ｒ¹ＣＯＯ］は一緒になって下記式（２）を表わし、［−ＯＯＣ−Ｒ⁵−ＣＯＯ−］（２）、Ｒ⁵は−（ＣＨＸ²）_r−、Ｘ²は、Ｈ，ＯＨ，又はＮＨ₂、ｒは０〜４）で表される単位が複数連結した銅化合物である。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）または式（ＩＩ）の化合物（式中、Ｗは、酸素原子または式ＮＨを有する基であり；Ｘは、水素、アルカリ陽イオン、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、または−（ＣＨ_２）_ｎ^３−Ｃ（Ｒ^４）（Ｒ^５）（Ｒ^６）基であり；一方でＸおよびＲ、他方でＸおよびＲ^１は独立に、場合により置換されている５、６、または７個の結合を有する環を形成することができる）に関する。本発明はまた、前記化合物と、銅、パラジウム、ルテニウム、イリジウム、およびロジウムを含む群から選択される少なくとも１つの金属との錯体、ならびにこれらの化合物の合成方法に関する。これらの化合物および錯体は、種々の不斉触媒反応方法において使用することができる。
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【課題】溶解性等に優れ、血管疾患などの病巣選択的なリポソーム造影剤に適した化合物を提供する。
【解決手段】下記の一般式（Ｉ）：


［式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、及びＲ⁴はアルキル基又はアルケニル基を示し；Ｘ¹及びＸ²は単結合、−Ｏ−、又は−Ｎ(Ｚ¹)−（Ｚ¹は水素原子又はアルキル基を示す）を示し；Ｘ³、Ｘ⁴、Ｘ⁵、Ｘ⁶、及びＸ⁷は−Ｏ−又は−Ｎ(Ｚ²)−を示し；ｎは１〜１０の整数を示し；Ｌは２価の連結基を示す］で表される化合物又はその塩。 （もっと読む）

本発明は、新規な二金属錯体、およびエポキシドのイソ選択的重合における該錯体の使用方法に関する。本発明は、また、エポキシドの速度論的分割法を提供する。本発明は、消費財から材料にわたる応用で有用である、高いエナンチオマー過剰率を有するポリエーテルも提供する。一態様によれば、本開示は、食品包装、電子機器、消費財、キラルなクロマトグラフィー媒体、ポリマー試薬、およびポリマー触媒に適した材料を提供し、該材料は、本明細書に記載のように提供されたポリマーを含む。いくつかの実施形態において、材料は耐油性である。いくつかの実施形態において、材料はフィルムである。若干の実施形態において、材料は押出し成形される。
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【課題】ＣＶＤ前駆体として使用するための、超純粋有機金属化合物の新規な調製方法に対する継続的な要求が存在する。
【解決手段】例えば化学蒸着のようなプロセス用の超純粋アルキル金属化合物を製造するため金属ハロゲン化物をアルキル化剤反応させる合成のためのマイクロチャンネルデバイスを使用することを含む超純粋有機金属化合物の調製方法。 （もっと読む）

本発明は，式（Ｉ）および（ＩＩＩ）のリン含有トリアジン化合物，および式（ＩＩ）の化合物の水脱離重縮合により得られるポリマー，およびその難燃剤としての使用に関する。
【化８】


［（Ａ−Ｈ）^＋］_ｍ［Ｍ^ｍ＋（ＨＰＯ_４^２−）_ｍ］（ＩＩＩ−１）
［（Ａ−Ｈ）^＋］_ｍ［Ｍ^ｍ＋（Ｐ_２Ｏ_７^４−）_ｍ／２］（ＩＩＩ−２）
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【課題】溶解性等に優れ、血管疾患などの病巣選択的なリポソーム造影剤に適した化合物を提供する。
【解決手段】下記の一般式（I）


[式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、及びＲ⁶はそれぞれアルキル基等を示し；Ｘは単結合等を示し；Ｌ２価の連結基を示し；Ｃｈはジエチレントリアミン型のカルボキシル基置換の官能基を示す]で表される化合物又はその塩。 （もっと読む）

【課題】溶解性等に優れ、血管疾患などの病巣選択的なリポソーム造影剤に適した化合物を提供する。
【解決手段】下記の一般式（I）：


［式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、及びＲ⁴はそれぞれ独立に炭素原子数７〜２４個のアルキル基又は炭素原子数７〜２４個のアルケニル基を示し；Ｘは単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−又は−ＮＣＨ₃−を示し；Ｌは、炭素原子、水素原子、酸素原子、窒素原子、及び硫黄原子からなる群から選択される原子により構成される２価の連結基を示し；Ｃｈはジエチレントリアミン五酢酸を示す。］ （もっと読む）

エチレンジアミンジコハク酸１モルあたり少なくとも０．７モル当量のマグネシウムを含むエチレンジアミンジコハク酸の塩で、かかる塩は水溶性で、無吸湿性の固形物であることを開示する。さらに、前記塩の調製方法及び使用を記載する。 （もっと読む）

【課題】高純度のジメチルジチオカルバミン酸第一銅を効率良く製造する方法を提供すること。
【解決手段】ジメチルジチオカルバミン酸ソ−ダ水溶液を、その濃度が５０％以上にまで濃縮しておき、液温が少なくとも９０℃以上、好ましくは９０℃以上において、亜酸化銅を添加、温度上昇、粘度増加、さらには転相に至らしめる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造におけるＡＬＤチタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）もしくはチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）膜製造に有用な前駆体を提供する。
【解決手段】β−ジケトネート及びＮ−メチルピロリドンの両方を含む新規なＳｒ及びＢａ錯体。例えば、Ｂａ2（ｈｆａｃ）4（ＮＭＰ）5やＳｒ2（ｔｍｈｄ）4（ＮＭＰ）4などが挙げられる。これらの錯体は揮発性であり、ＡＬＤチタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）もしくはチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）膜のための可能な前駆体として使用することができる。 （もっと読む）