【課題】従来の銅錯体よりも発光強度の持続性に優れた銅錯体を提供する。
【解決手段】組成式（１）：（Ｃｕ⁺）（Ｌ¹）_a（Ｌ²）_b（Ｌ³）_c（Ｘ¹）_dで表される銅錯体（Ｌ¹は同一のＣｕ⁺に配位可能な中性原子としてリン原子及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環中の窒素原子から選ばれる原子を３つ又は４つ有する分子であり、Ｌ¹が有する同一のＣｕ⁺に配位可能な中性原子のうち２つ以上の原子はリン原子であり、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上はｓｐ³炭素原子が結合していない。Ｌ²及びＬ³は、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれるＣｕ⁺に配位可能な原子又はイオンを有する分子であり、Ｘ¹はアニオンであり、ａは０．５を超える数でありｂ、ｃ及びｄは０以上の数である。）を提供する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を光電変換層とする有機薄膜太陽電池において、より向上した光電変換特性を有する有機薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透明電極が形成された透明基板上に、導電性高分子化合物が一定方向に配向したポリマー層と、該ポリマー層上に形成され、該導電性高分子化合物と同一方向に配向したｐ型有機半導体化合物又はｎ型有機半導体化合物からなる有機半導体層を有する、有機薄膜太陽電池、並びに
透明電極が形成された透明基板上に、導電性高分子化合物が基板に平行方向に一定方向に配向したポリマー層を形成し、次いで、該ポリマー層上に、真空蒸着法によって、ｐ型半導体又はｎ型半導体としての性質を有する有機半導体化合物の層を形成する工程を含む、該有機薄膜太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 耐水性に優れた低誘電率材料を得る。
【解決手段】 化学式（１―１）
【化１】


で示されるボラジン系原料を有機溶媒に分散または溶解させたものを低誘電率材料形成用原料とする。式中のホウ素原子もしくは窒素原子が備える手が結合手となってボラジン環が結ばれたボラジン骨格系構造を形成し、上記ボラジン骨格系構造が繰り返されたオリゴマーまたはポリマーとして低誘電率材料を生成する。ただし式中、上記結合手以外のＲ_１〜Ｒ_６は、水素原子、炭素原子数１〜２のアルキル基の少なくともいずれかであって、少なくとも１つは水素原子ではなく、少なくとも１つは水素原子である。 （もっと読む）

【課題】凝集を抑制した有機アルミニウム化合物を含む酸化アルミニウム前駆体ゾルを用いることにより、良好な反射防止性能を有する光学用部材を提供する。
【解決手段】アルミニウムアルコキシドまたはアルミニウム塩化合物を加水分解して得られた重縮合物、溶媒と、一般式（１）で表される有機アルミニウム化合物を含むことを特徴とする酸化アルミニウム前駆体ゾルを用いる。


Ｒ１、Ｒ２は炭素数１以上６以下のアルキル基、パーフルオロアルキル基、またはアリル基であり、Ｒ３は炭素数１以上６以下のアルキル基、パーフルオロアルキル基、アリル基、またはアリール基であり、ｎは１以上３以下の整数である。 （もっと読む）

【課題】低融点を有し、且つ、熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した有機金属錯体、及び当該有機金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法の提供。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、アルコキシアルキル部位を１〜２個有するアルキル基で、Ｙは、Ｘ置換基に加え、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基であり、Ｚは、水素原子などを示す。ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。）で示されるアルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。 （もっと読む）

【課題】高光度および長寿命を有する希土類錯体、及びそれを用いた蛍光媒体、発光媒体、セキュリティー媒体並びに照明装置を提供する。
【解決手段】複数の希土類イオンと、ホスフィンオキシド配位子とを含む希土類錯体であって、前記ホスフィンオキシド配位子が、下記式（１）により表される分子構造を有することを特徴とする希土類錯体。


（式中、ｍ、ｎ、ｏは、１以上の整数であり、Ｒ^１〜Ｒ^６は、それぞれ同一又は異なる、置換されていてもよい飽和炭化水素基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいヘテロアリール基、又は置換されていてもよいアラルキル基を示し、同一リン原子上の隣り合うＲ^１及びＲ^２、またはＲ^３及びＲ^４、またはＲ^５及びＲ^６が結合して環を形成していてもよい。） （もっと読む）

【課題】銀化合物とアンモニウムカルバメート系化合物とを反応して誘導される新規な有機銀錯体化合物及び該化合物の製造方法の提供。
【解決手段】下式で表される銀化合物と、アンモニウムカルバメート系化合物(例えば；２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカルバメート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカルバメートなど）とを反応させて銀錯体化合物を製造する。


（式で、ｎは１〜４の整数であり、Ｘは酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート、及びカルボキシレートで構成された群から選択される置換基である） （もっと読む）

本発明は、網状構造体構造の気孔を特徴付ける方法、並びに、気体分離用の膜及び他の目的としての網状構造体構造の実際の性能特性を予測するようにこれらの特徴を使用する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】吸湿剤及びこれを含む光学素子用保護膜を提供する。
【解決手段】本発明の吸湿剤及びこれを含む光学素子用保護膜は、水分の浸透を抑えながら光を遮断せず、軟性基材に適用可能であり、光学素子の劣化を防止して長期間発光特性を維持することができるようにする。 （もっと読む）

【課題】第２族アルカリ土類金属含有酸化物膜などの化学気相成長（ＣＶＤ）に使用する新規な金属前駆体の揮発源の提供。
【解決手段】ジケトン化合物とアミン化合物から得られるβ−ケトエナミン化合物（例えば２，２−ジメチル−５−［（２−メトキシエチル）アミノ］ヘキサ−４−エン−３−オンなど）とストロンチウム、バリウムなどの第２族金属化合物とから調整された第２族金属含有多座配位β−ケトイミネート前駆体及び該前駆体を含む組成物。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法でシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うこと。
【解決手段】基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料（４）と、前記試料（４）を支持して移動させる試料移動装置（２ｂ）と、前記試料（４）に対して、パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザ光を、予め設定された閾値以上のエネルギー強度で照射するレーザー光源（２ｃ）と、前記試料移動装置（２ｂ）を制御して、前記試料（４）の被加工位置（６）を、前記フェムト秒レーザー光照射位置（６）に移動させる加工位置制御手段（Ｃ２）、を有する制御装置（３）と、を備えたシアノ架橋金属錯体の微細加工装置（１）。 （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜の提供。
【解決手段】一般式（１）で示されるヘテロアセン誘導体。


（ここで、置換基Ｒ^１〜Ｒ^１８は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数４〜３０のアリール基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基を示し、Ｔ^１及びＴ^２は同一又は異なって、硫黄、セレン、リン、ホウ素、アルミニウムを示し、ｌ及びｍは、各々０又は１の整数であり、ｎ及びｏは、各々０〜２の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】特にＣＶＤ用原料として好適な揮発特性、熱安定性等の性質を有するストロンチウムプレカーサを含有する薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムに、下記一般式（１）で表される二座配位化合物を付加させて得られるストロンチウム化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
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【課題】昇華特性及び熱に対する安定性に優れたストロンチウム錯体、及び当該ストロンチウム錯体を用いたストロンチウム含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｒは、アルキル基を示す。ｎは、０又は１である。）で示されるイソプロピル基又はイソブチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とするストロンチウム錯体。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法の原料として熱安定性と気化特性を有する化合物、その製造方法、その化合物を用いた薄膜及び形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を原料とした金属含有薄膜を形成する。
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本発明は、新規のイミダゾキナゾリン誘導体、この製造方法およびこれを用いた有機電気素子に関する。本発明に係るイミダゾキナゾリン誘導体は、有機発光素子をはじめとする有機電気素子で正孔注入、正孔輸送、電子注入および輸送、または発光物質の役割をすることができ、本発明に係る素子は、効率、駆動電圧、安定性の面に優れた特性を示す。
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【課題】水素化ホウ素アルカリとアミン塩とからボラジン化合物を製造する際に副生する水素が反応系内に残存することに起因する危険性をより一層低減させうる手段を提供する。
【解決手段】ＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリと、（ＲＮＨ_３）_ｎＸ（Ｒは水素原子またはアルキル基であり、Ｘは硫酸基またはハロゲン原子であり、ｎは１または２である）で表されるアミン塩とを、溶媒中で反応させてボラジン化合物を合成する段階を有するボラジン化合物の製造方法であって、前記反応において生成する水素を含む水素含有ガスを２．７〜４．０ｍ／秒の線速で反応系から排出することを特徴とするボラジン化合物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、簡便な方法によって、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する、工業的に好適な酸化亜鉛薄膜の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明の課題は、亜鉛錯体と水とを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する方法において、亜鉛錯体として、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を使用することを特徴とする、酸化亜鉛薄膜の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

本発明は、新規な１，３−ジイミン銅錯体と原子層蒸着法での基材上でのまたは多孔性固体中もしくは上での銅の蒸着のための１，３−ジイミン銅錯体の使用とに関する。 （もっと読む）

一般式：Ｘ_ｍ−Ｇ−Ｃｌ_ｎの新規の化合物が記載され、そしてそれらの生成のための方法が記載される。これらは、金属−キレーター錯体に結合するアフィニティータグを有する多価キレーター化合物を構成し、これらの化合物は、多数のプローブまたは官能性のユニットによって標的分子を選択的に、改変し得そして／または固定化し得る。本発明の１つの局面において、Ｇは、足場構造であり、Ｘは、プローブＦまたは官能性のユニットＦに対するカップリング基であり、ＣＬは、少なくとも１つの金属配位中心を有するキレーター基であり、ｍは、整数でありかつ少なくとも１であり、そしてｎは、整数でありかつ少なくとも２である。 （もっと読む）