【課題】低温条件での成膜に優れ、安定した成膜が可能であり、かつ段差被覆性に富んだ薄膜を形成することができる。
【解決手段】本発明のＭＯＣＶＤ法用原料は次の式（１）で示される有機金属化合物を用いたことを特徴とする。
【化１０】


但し、Ｍは２価のＰｂ、４価のＰｂ、４価のＺｒ又は４価のＴｉであり、Ｒ¹及びＲ²は炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基であってＲ¹とＲ²は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ³は炭素数２〜４の直鎖又は分岐状アルキル基であり、Ｍが２価のＰｂであるときｎが２でかつｍが２であり、Ｍが４価のＰｂであるときｎが２でかつｍが０であり、Ｍが４価のＺｒ、４価のＴｉであるときｎが４でかつｍが４であるか或いはｎが２でｍが０である。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）及び（Ｉ’）のシクロペンタジエニル誘導体の再生利用方法、用いる式（Ｉ）、（Ｉ’）、又は（ＩＩ）のシクロペンタジエニル誘導体が少なくとも部分的に液−固クロマトグラフィーを用いて回収及び精製されたものである、式（Ｉ）及び（Ｉ’）のシクロペンタジエニル誘導体、或いは式（ＩＩ）の橋架ビスシクロペンタジエニル誘導体から式（ＩＩＩ）のメタロセンを製造する方法、並びに式（Ｉ）、（Ｉ’）、又は（ＩＩ）の回収された置換シクロペンタジエニル誘導体を精製するための液−固クロマトグラフィーの使用に関する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法の原料として熱安定性と気化特性を有する化合物、その製造方法、その化合物を用いた薄膜及び形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を原料とした金属含有薄膜を形成する。
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【課題】酸素ガス雰囲気下で粗生成物を処理することにより、粗生成物中に含まれる副生成物を低減でき、ＭＯＣＶＤ法で原料として使用したときに、高い成長速度が得られ、優れた気化安定性及び長期成膜安定性を有し、成膜室への汚染を抑えることができ、形成する膜の段差被覆性に優れた、純度の高い有機金属化合物を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機金属化合物の製造方法は、金属含有物と配位子前駆体とを有機溶媒の存在下で反応させて有機金属化合物、副生成物及び残渣分を含む粗生成物を得る工程と、得られた粗生成物から残渣分及び有機溶媒を除去して濃縮する工程と、濃縮物を酸素ガス雰囲気下、１３０〜１５０℃で処理する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は高度な不斉の場を有する不斉触媒，及びその簡便な合成法を提供することにある。
【解決手段】 上記課題解決のため，キラルなＮ，Ｎ’−二置換−２，２’−ジアミノビナフチルと配位子としてアキラルな中性配位子Ｎ，Ｎ’−二置換−２，２’−ジアミノビフェニル及びエチレンビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデン）を有する遷移金属錯体を反応せしめ，軸不斉，面不斉，２つの窒素原子上に不斉中心などを有する新規不斉遷移金属錯体触媒を合成した。この遷移金属錯体は高度な不斉の場を有し，不斉ディールス・アルダー反応や不斉グリオキシラート−エン反応を始め種々の不斉反応において効果的な触媒として機能する。 （もっと読む）

【課題】高純度ジルコニウム、ハフニウム、タンタル及びニオブアルコキサイド（アルコレート）Ｍ（ＯＲ）_Ｘの新規な製造方法、新規なタンタル及びニオブ化合物、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）不純物として少なくとも０．０５重量％の単核又は多核ハロゲン含有金属アルコキサイドを含む、ハロゲン含有量＞２００ｐｐｍの粗アルコキサイド生成物Ｍ（ＯＲ）_Ｘを、（ｂ）粗アルコキサイドの合計を基準に、多くとも３０重量％のＲＯＨ［ＲはＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基］と混合し、（ｃ）その後又は同時に、単核又は多核ハロゲン含有金属アルコキサイドを基準として過剰のアンモニアを配量する方法である。 （もっと読む）

本発明は、式：Ｒ^ａ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ^ｂ（式中、Ｒ^ａ及びＲ^ｂは、同一か又は異なり、それぞれ、水素原子、又は１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基であり、或いはＲ^ａ及びＲ^ｂは、それらを結合する原子と一緒に環を形成してもよい）の少なくとも一種のオレフィンを、−６０〜２００℃の温度及び０．５〜１００ｂａｒの圧力において、溶液中、懸濁液中、又は気相中で、１以上の触媒成分を含み、一つの触媒成分において少なくとも一つのフォトクロミック基を有する触媒系の存在下で重合又は共重合することによって、オレフィンポリマーを製造する方法、対応する触媒系、本発明の触媒系を製造する方法、フォトクロミック基を有する特定の遷移金属配位化合物、それぞれの場合において特定のフォトクロミック基を有する特定のシクロペンタジエニル誘導体及びその前駆体、オレフィンの重合のための本発明の触媒系の使用、重合触媒を製造するための特定の遷移金属配位化合物の使用、及び本発明の重合方法によって得られるポリオレフィンに関する。 （もっと読む）

エチレン系不飽和単量体を重合させて重合体（共重合体またはホモ重合体を包含）を生じさせるための触媒組成物および方法。そのような単量体には、エチレン、Ｃ_３＋アルファオレフィンおよび置換ビニル化合物、例えばスチレンおよび塩化ビニルなどが含まれる。この重合触媒は式Ｂ（ＦｌｕＬ）ＭＱ_ｎ［式中、Ｆｌｕは、少なくとも２，７位および３，６位がヒドロカルビル基、好適には比較的嵩高いヒドロカルビル基で置換されているフルオレニル基であり、Ｌは、置換もしくは非置換シクロペンタジエニル、インデニルまたはフルオレニル基、またはヘテロ有機基ＸＲ（ここで、Ｘは、元素周期律表の１５もしくは１６族のヘテロ原子、例えば窒素などであり、Ｒは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基である）であり、Ｂは、基ＬとＦｌｕの間に位置していて配位子構造に立体剛性を与える構造ブリッジであり、Ｍは、４族もしくは５族の遷移金属、例えばチタン、ジルコニウムまたはハフニウムなどであり、そしてＱは、塩素、臭素、ヨウ素、アルキル基、アミノ基、芳香基およびこれらの混合物から成る群から選択され、ｎは１または２である］で表されることを特徴とする。 （もっと読む）

金属塩を（ベンジル)_nMgX_2-n化合物と化合させることを含むジ−、トリ−またはテトラベンジル−金属化合物の合成方法であって、ｎは１または２であり、Ｘは一価のアニオン性基であり；化合は混合希釈液中で行い、該混合希釈液は、混合希釈液中０〜８０体積％のエーテルの他に、芳香族化合物、ハロゲン化炭化水素およびそれらの混合物からなる群から選択される希釈液である方法を開示した。当該方法は、様々な種類の希釈液を使用することができ、ある場合には、エーテルを使用しない。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、即ち、低い融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れ、ＣＶＤ法による金属薄膜形成に適したアルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体（例えば、周期律表第IVA族の金属原子を中心金属とする金属錯体）を提供するものである。又、本発明の課題は、当該金属錯体を用いた金属含有薄膜（例えば、周期律表第IVA族の金属の含有薄膜）の製法を提供するものでもある。
【解決手段】 本発明の課題は、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体によって解決される。本発明の課題は、又、該金属錯体を金属供給源として用いた、化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製法によっても解決される。 （もっと読む）

【課題】 ナノメートルサイズの亜鉛含有発光体及び透明性に優れた発光組成物を提供する。
【解決手段】亜鉛イオンを発光中心とする発光体であって、亜鉛イオンが酸素を介して異種金属元素に隣接してなる発光体。発光体が液相中又は固相中に分散されてなる発光組成物であり、分散される発光体の直径が１〜５０ｎｍであることが好ましく、亜鉛と隣接する金属元素Ｍと前記亜鉛とのモル比率Ｍ／Ｚｎが、１から４であることが好ましい。金属元素がＩＶａ族、Ｖａ族、ＶＩａ族、ＩＩＩb族元素より選ばれた１種もしくは２種以上の元素であることが好ましい。 （もっと読む）

式（Ｉ）：
【化１】


（式中、Ｍはジルコニウム、チタン、又はハフニウムであり；Ｘは、水素、ハロゲン、又は炭化水素基であり；Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、及びＲ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、水素原子、或いは、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有するＣ_１〜Ｃ_４０炭化水素基であり；Ｒ^１及びＲ^２は、互いに同一か又は異なり、線状又は分岐鎖のＣ_１〜Ｃ_２０アルキル基であり、Ｒ^３は、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有するＣ_１〜Ｃ_４０炭化水素基である）
のメタロセン化合物。
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【課題】オレフィン重合性能に優れた遷移金属化合物を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される構造をもつ新規な遷移金属化合物（Ａ）。


たとえば、［ジフェニルシリル（オクタメチルオクタヒドロジベンゾフルオレニル）（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェノキシ）］チタニルジクロライドが例示される。 （もっと読む）

【課題】炭素−ブリッジを有するシクロペンタジエニル−フルオレニルリガンド。
【解決手段】モノ−炭素ブリッジを有する置換シクロペンタジエニル−フルオレニル触媒成分の効率的な製造方法。 （もっと読む）

酸化ハフニウム又は酸化ジルコニウムの化学気相成長法、特にＡＬＤに適切な前駆体は、一般式（Ｉ）：（Ｒ^１Ｃｐ）_２ＭＲ^２Ｒ^３［式中、Ｃｐはシクロペンタジエニルリガンドを表し、Ｒ^１はＨ又はＣｐリガンドを置換しているアルキル基、アルコキシ基又はアミド基であり、Ｒ^２及びＲ^３はアルキル基、アルコキシ基又はアミド基であり、Ｍはハフニウム又はジルコニウムである］を有する。 （もっと読む）

【課題】ポリオレフィンを経済的に製造することができる遷移金属化合物を構成成分としたオレフィン重合用触媒を提供する。
【解決手段】［ジフェニルメチレンビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド］等の［ジアリールメチレンビス（シクロペンタジエニル）］配位子を有する遷移金属化合物とアルミノオキサン等の活性化助触媒および場合により、有機金属化合物からなるオレフィン重合用触媒。この触媒を用いてオレフィンを重合する。 （もっと読む）

【課題】 プレカーサを気化させて用いるＣＶＤ法、ＡＬＤ法等の薄膜製造方法において使用する原料に好適なチタニウム、ジルコニウム等の４族金属の化合物であり、薄膜堆積時においては、熱及び／又は酸化による分解が容易に進行し、気化及び輸送時においては、融点が低く液体の状態で輸送が可能であり且つ蒸気圧が大きく気化させやすく、また、多成分の薄膜を製造する場合に、得られる薄膜の組成制御が容易な化合物を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（I）で表される金属化合物。
【化１】
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ジアルキル誘導体と、式Ｒ³_xＴＬ_w（式中、Ｌは塩素、ヨウ素または臭素であり；Ｒ³は水素または炭化水素基であり；Ｔは元素の周期率表の２−１４族の金属であり；ｘ≧１であるため、ｘ＋ｗは金属Ｔの酸化状態に等しい）のハロゲン化剤と反応させる工程からなるハロゲン化メタロセン化合物の製造方法。 （もっと読む）

付加重合触媒として有用な、下記式（Ｉ）の第４族金属錯体類。


［式中、
Ｇ¹は水素を数に入れずに１から４０の原子を含む基であり、
Ｔは、モノ−もしくはジ−アリール置換メチレンもしくはシリレン基、または、モノ−もしくはジ−ヘテロアリール置換メチレンもしくはシリレン基から選択される、水素を数に入れずに１０から３０の原子からなる２価の架橋基であり、ここで、このようなアリール置換基またはヘテロアリール置換基の少なくとも１つは、そのオルト位の１つまたは両方を、第２級または第３級アルキル基、第２級または第３級ヘテロアルキル基、シクロアルキル基、またはヘテロシクロアルキル基で置換されており、
Ｇ²は、ルイス塩基官能性を含むＣ₆〜₂₀ヘテロアリール基であり、
Ｍは第４族金属であり、
Ｘ^''''はアニオン性、中性またはジアニオン性の配位基であり、
ｘ’’’’は０から５の数であり、および、
結合、任意の結合、および電子供与相互作用はそれぞれ実線、破線および矢印で表される。］。
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（Ａ）式（Ｉ）：
【化１】


（式中、Ｍはジルコニウム、チタン、又はハフニウムであり；Ｘは、互いに同一か又は異なり、水素原子、ハロゲン原子、場合によってはヘテロ原子を有する炭化水素基であり；Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²及びＲ¹³は、水素原子、或いは、場合によってはヘテロ原子を有するＣ₁〜Ｃ₄₀炭化水素基であり；Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は、場合によってはヘテロ原子を有する線状又は分岐鎖のＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル基である）
に属するメタロセン化合物；（Ｂ）アルモキサン、又はアルキルメタロセンカチオンを形成することのできる化合物；及び場合によっては（Ｃ）有機アルミニウム化合物；を接触させることによって得られる触媒系の存在下で、１−ブテンを重合するか、又は１−ブテンと、エチレン、プロピレン、又は式：ＣＨＴ₂＝ＣＨＴ（式中、ＴはＣ₃〜Ｃ₁₀アルキル基である）のα−オレフィンとを共重合することを含む、１−ブテンポリマーの製造方法。
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