Fターム[4H049VQ00]の内容

第4族元素を含む化合物及びその製造 (22,055) | 第4族元素含有化合物上の結合又は基(目的化合物) (4,225)

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【課題】リセット/セットプログラミングのために必要とされる電流値が低い、相変化層が形成されうる手段を提供する。
【解決手段】
テルル(Te)と、14族元素および15族元素のいずれか一方または両方と、を含むテルル前駆体、これを用いて調製されたTe含有カルコゲナイド薄膜およびその製造方法、ならびに前記テルル前駆体を含む相変化メモリ素子である。 (もっと読む)


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