【課題】十分に高い重合活性を示すオレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表されるトリエーテル。


（Ｉ）（式中、Ｒ^ａは、水素原子または炭素原子数１〜２０のハイドロカルビル基を表し、Ｒ^b、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のハイドロカルビル基、炭素原子数１〜２０のハイドロカルビル基で置換されたシリル基を表し、Ｅは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、または錫原子を表す。） （もっと読む）

【課題】ケイ素−ハロゲン結合を有する化合物を還元して所望のケイ素化合物を高効率かつ高収率で得ることができるケイ素化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のケイ素化合物の製造方法は、ケイ素−ハロゲン結合を有する化合物を水素化アルコキシアルミニウムアルカリ金属塩を用いて還元することを特徴とする。本発明の好ましい態様においては、前記還元は炭化水素系溶媒中で行うのがよく、前記ケイ素−ハロゲン結合を有する化合物は、１つのケイ素原子に少なくとも１個のハロゲン原子と別のケイ素原子とが結合してなる構造を有することが好ましい。また本発明の好ましい態様においては、前記還元により前記ケイ素−ハロゲン結合をケイ素−水素結合にする。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、発光寿命が長く、かつ駆動電圧が低い有機エレクトロニクス素子用材料、有機エレクロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】支持基板上に少なくとも陽極、有機物から成る発光層、及び陰極を有する有機エレクトロニクス素子の該発光層に用いられる有機エレクトロニクス素子用材料が、下記一般式（１）で表される環状ケイ素化合物であることを特徴とする有機エレクトロニクス素子用材料、有機エレクトロニクス素子、照明装置及び表示装置。
【化１】
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【課題】高い曲線因子、開放電圧、および光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機薄膜太陽電池、およびそれを構成する有機半導体材料を提供する。
【解決手段】陰極、陽極、およびｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記バルクヘテロジャンクション層と前記陰極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される化合物層を有する。
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【課題】本発明は、シリコン高分子の製造に有用な出発物質の有機クロロヒドロシラン及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、四級有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用い、安価でかつ容易に得ることができるクロロシランのＳｉ-Ｈ結合と異なる有機クロロシランのＳｉ-Ｃｌ結合を交換させ、種々の新しい有機クロロヒドロシランを高収率で合成し、又、触媒を使用した後回収して再使用することが可能であり、非常に経済的であるので、シリコンの原料物質の大量生産に効果的である。 （もっと読む）

本発明の対象は、一般式（ＩＩ）Ｓｉ_nＸ_2n+2で示されるオリゴハロゲン化シランを一般式（ＩＩＩ）Ｒ−ＮＨ₂で示される第一級アミンと、溶剤としての炭化水素中で反応させることにより、一般式（Ｉ）Ｓｉ_nＹ_2n+2で示されるオリゴアミノシランを製造する方法であり、上記式中、Ｘは、塩素、臭素および沃素から選択され、Ｙは、ハロゲン、水素またはＲ−ＮＨを表わし、Ｒは、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基を表わし、およびｎは、１〜２０の値を表わし、但し、基Ｙの最大３５モル％は、水素を表わし、および基Ｙの最大１５モル％は、ハロゲンを表わし、この場合反応混合物には、活性炭が添加される。同様に、本発明の対象は、一般式（Ｉ）のオリゴアミノシランを安定化させる方法であり、この場合オリゴアミノシランには、活性炭が添加される。 （もっと読む）

【課題】導電性材料や光機能材料として有用な、ポリシラン及び／又はオリゴシラン類の製造方法の提供。
【解決手段】１）ヒドロオリゴシランを準備する工程；２）ヨウ化アリールを準備する工程；及び３）ヒドロオリゴシランとヨウ化アリールとを、単座ホスフィンが２分子配位したパラジウム錯体触媒の存在下で反応させて、一般式ＩＩＩで表されるヒドロヒドロオリゴシランのアリール化体を得る工程；を有する、ヒドロオリゴシランのアリール化体の製造方法。
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【課題】有機合成化学において、原料、合成中間体、立体保護基等として有用な新規化合物を提供する。
【解決手段】（Ｅ）ー１，２−ビス（１，１，３，３，５，５，７，７，−オクタエチルー１，２，３，５，６，７，−ヘキサヒドロ−ｓ−インダセンー４−イル）ー１，２−ジブロモジシレンに代表される、かさ高い置換基を有するジシレン化合物。
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【解決手段】Ｓｉ−Ｈ基を持つケイ素化合物を鉄錯体触媒の存在下、有機溶媒中で光照射又は加熱することを特徴とするＳｉ−Ｓｉ結合を有する化合物の製造方法。
【効果】本発明によれば、フォトレジスト材料、プレセラミックス材料、あるいは導電性材料用の素材などとして有用なＳｉ−Ｓｉ結合を有する化合物を工業的有利に効率よく製造することができる。 （もっと読む）

【解決手段】下記一般式（１）
［（ＲＯ）ｘ（Ｍｅ）ｙ（Ｐｈ）ｚＳｉ−］₂ （１）
（式中、Ｒは置換又は非置換の炭素数３以上のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基である。ｘ＝１〜３、ｙ＝０〜２、ｚ＝０〜２の整数で、ｘ＋ｙ＋ｚ＝３を満たす値を表す。）
で示される構造を有するアルコキシジシラン。
【効果】本発明によれば、フォトレジスト材料、プレセラミックス材料、あるいは導電性材料用の素材などとして有用なアルコキシジシラン類を工業的有利に効率よく提供することができる。 （もっと読む）

【課題】新規パイ共役電子系化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物。


一般式(I)中、Ａ¹、Ａ²、Ａ³およびＡ⁴は、それぞれ独立に、アルキル置換ヘキサヒドロインダセン基を表し、ｎは１以上の整数を表す。ｎが２以上の場合、複数存在するＡ³、Ａ⁴は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】ラジカル反応において分子内のみならず分子間反応においても使用できる極性溶媒を選択して、炭化水素系溶媒の溶解力の不足や毒性の高さなどの課題を解決する。
【解決手段】ラジカル反応の溶媒にテトラヒドロピランを用いることを特徴とするラジカル反応方法。 （もっと読む）

【課題】常圧下で、塗布法により、基体上に、均一なゲルマニウムドープシリコン導電膜を形成する方法およびそのためのリン原子含有高次シラン化合物の製造法の提供。
【解決手段】光重合性シラン化合物およびゲルマニウム化合物を含有する溶液に、４００ｎｍより長い波長の光線を照射せしめてゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を生成せしめるゲルマニウム原子含有高次シラン化合物の製造法。上記方法で得られたゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を含む溶液を基板に塗布し、さらにその塗布基板を熱処理することからなるゲルマニウム含有シリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

本発明は、低分子、中分子、および、高分子ハロゲン化ポリシランの、最終生成物関連の製造、これらのポリシランの選択された分画への蒸留、ポリシラン混合物またはポリシランの気相または液相からのシリコンの直接的堆積、ハロゲン化ポリシランの水素化または誘導化、ならびに、適当なシステムによる最終生成物と成すための加工処理のための方法に関する。
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一般式（１）：Ｓｉ₂（ＮＭｅ₂）₅Ｙであって、ＹがＨ、Ｃｌ又はアミノ基からなる群より選択される式を有したペンタキス（ジメチルアミノ）ジシラン、その製造方法及びＳｉＮ又はＳｉＯＮからなるゲート誘電体膜又はエッチストップ誘電体膜を製造するためのその使用。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率的な発光が行なえるＯ−Ｓｉ−Ｓｉ−Ｏ結合を基本骨格とするジシランネットワーク構造物を合成する為に必要なジシラン化合物を得ることを目的とする。
【解決手段】 一般式


で表される構造を有するジシラン化合物を含有する。 （もっと読む）

一方では半導体素子の誘電体層を不動態化するため、そして、他方では、その後の処理工程において該誘電体層上での液相金属堆積を可能にするか、少なくとも促進するための不動態化カップリング物質である。特定の例においては、該誘電体層は望ましく低減された誘電率ｋを有する多孔質物質でもよく、不動態化カップリング物質は、多孔質誘電体層中への周囲湿気の吸着及び吸収を実質的に阻止する立体遮蔽基を提供する。また、不動態化カップリング物質は、該不動態化カップリング物質の不在での金属堆積と比べて、液相中における誘電体層上への金属の堆積を促進するために、金属核生成部位を提供する。液相金属堆積法の使用は、その後の半導体素子の製造を容易にする。一の例においては、不動態化カップリング物質は、その化学組成に複数のＳｉ原子を有し、該物質の熱的安定性を増大させることが望ましい。 （もっと読む）

本発明は、ＵＬＳＩデバイスおよびデバイス構造の製造のための低温（例えば＜５５０℃）化学蒸着法によりシリコン含有膜を形成するケイ素前駆体組成物に関する。かかるケイ素前駆体組成物は、少なくとも１個のアルキルヒドラジン官能基と置換され、ハロゲン置換がない、少なくとも１種のシラン誘導体またはジシラン誘導体を含む。 （もっと読む）