【課題】ケイ素−ハロゲン結合を有する化合物を還元して所望のケイ素化合物を高効率かつ高収率で得ることができるケイ素化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のケイ素化合物の製造方法は、ケイ素−ハロゲン結合を有する化合物を水素化アルコキシアルミニウムアルカリ金属塩を用いて還元することを特徴とする。本発明の好ましい態様においては、前記還元は炭化水素系溶媒中で行うのがよく、前記ケイ素−ハロゲン結合を有する化合物は、１つのケイ素原子に少なくとも１個のハロゲン原子と別のケイ素原子とが結合してなる構造を有することが好ましい。また本発明の好ましい態様においては、前記還元により前記ケイ素−ハロゲン結合をケイ素−水素結合にする。 （もっと読む）

【課題】シロキサン化合物の効率的な分解および分解物からの新たな有機ケイ素化合物を製造すること。
【解決手段】酸素がケイ素原子に結合した有機ケイ素化合物に、触媒の存在下、アセタールおよび活性水素基含有化合物を反応させ、アルコキシシランモノマー、および／またはアルコキシシランオリゴマーに分解することを特徴とする有機ケイ素化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アルコキシヒドロシラン化合物を製造する。
【解決手段】一般式（１）：Ｈ−ＳｉＲ^２_ｃ（ＣＲ^１_３−ｂＹ_ｂ）_ａＸ_{３−ａ−ｃ} （１）で表されるハロヒドロシラン（Ａ）とアルコール（Ｆ）とを反応させることによる、一般式（５）：Ｈ−ＳｉＲ^２_ｃ（ＣＲ^１_３−ｂＹ_ｂ）_ａ（ＯＲ^１２）_{３−ａ−ｃ} （５）で表されるアルコキシヒドロシラン化合物（Ｅ）の製造方法。好ましくは、ハロヒドロシラン（Ａ）とアルコール（Ｆ）を、酸捕捉剤（Ｇ）の存在下で反応させる。または、ハロヒドロシラン（Ａ）とオルトカルボン酸トリアルキルとを反応させることによる、で表されるアルコキシヒドロシラン化合物（Ｅ）の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を用いることを含む、炭窒化ケイ素膜を形成するための方法とする：
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【課題】本発明は、シリコン高分子の製造に有用な出発物質の有機クロロヒドロシラン及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、四級有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用い、安価でかつ容易に得ることができるクロロシランのＳｉ-Ｈ結合と異なる有機クロロシランのＳｉ-Ｃｌ結合を交換させ、種々の新しい有機クロロヒドロシランを高収率で合成し、又、触媒を使用した後回収して再使用することが可能であり、非常に経済的であるので、シリコンの原料物質の大量生産に効果的である。 （もっと読む）

（ａ）少なくとも１つの主表面を有する少なくとも１つの基材を用意する工程と、（ｂ）（１）及び（２）を組み合わせる工程と、（１）少なくとも１つの化学的反応性部位を含む、少なくとも１つの硬化性オリゴマー又はポリマーポリシラザン、（２）（ｉ）及び（ｉｉ）を含む、少なくとも１つのフルオロケミカル化合物、（ｉ）少なくとも約６個の全フッ素化炭素原子を含む少なくとも１つの有機フッ素又はヘテロ有機フッ素部分、（ｉｉ）少なくとも１つの前記化学的反応性部位を通して前記ポリシラザンと反応することができる少なくとも１つの官能基、（ｃ）前記ポリシラザンと前記フルオロケミカル化合物とを反応させて又は反応を誘導して、少なくとも１つの硬化性有機フッ素変性ポリシラザンを形成する工程と、（ｄ）前記硬化性有機フッ素変性ポリシラザン又はその前駆体を前記基材の少なくとも１つの主表面の少なくとも一部に塗布する工程と、（ｅ）前記硬化性有機フッ素変性ポリシラザンを硬化させて表面処理を形成する工程と、を含む、表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】ＩＶ族金属含有フィルムの蒸着前駆体として使用するために有用な有機金属化合物が提供される。ある種の有機金属前駆体を用いてＩＶ族金属含有フィルムを堆積させる方法も提供される。前記のＩＶ族金属含有フィルムは電子デバイスの製造において特に有用である。 （もっと読む）

【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


（式中、Ｍは、元素周期表の４族から選択される金属）。上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有膜を堆積させるためのアミノシラン前駆体、およびこれらのアミノシラン前駆体からシリコン含有膜を堆積させる方法を提供すること。
【解決手段】シリコン含有膜を堆積させるための次式（I）：
（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎＳｉＲ^３_４−ｎ （I）
（式中、置換基Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立にＣ１〜２０のアルキル基およびＣ６〜３０のアリール基から選択され、置換基Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも１つはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ_２、ＰＯ（ＯＲ）_２、ＯＲ、ＲＣＯＯ、ＳＯ、ＳＯ_２、ＳＯ_２Ｒから選択される電子吸引性置換基を含み、そしてＲ^３はＨ、Ｃ１〜２０のアルキル基、又はＣ６〜１２のアリール基から選択され、そしてｎは１〜４の範囲の数である。）から成るアミノシラン前駆体。 （もっと読む）

【課題】有機合成化学において有用な新規化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物。


一般式(1)中、ＡおよびＢは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、リチウム原子、−ＭｇＸ（Ｘは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す）で表される１価の基またはシリル基を表し、Ｒ¹〜Ｒ⁸は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の飽和または不飽和の炭化水素基を表す。但し、Ｒ¹〜Ｒ⁸が同時にメチル基になることはなく、Ｒ¹〜Ｒ⁸が同時にエチル基になることもない。 （もっと読む）

【課題】新規パイ共役電子系化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物。


一般式(I)中、Ａ¹、Ａ²、Ａ³およびＡ⁴は、それぞれ独立に、アルキル置換ヘキサヒドロインダセン基を表し、ｎは１以上の整数を表す。ｎが２以上の場合、複数存在するＡ³、Ａ⁴は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】水素を有するシランを、高塩素化されたシランの均一系触媒の存在下での不均化反応によって製造するための方法において、所要エネルギーを低下させ、エネルギー入力が同じ場合に転化率を高め、不均一系触媒でのみ達成できる空時収量値を達成し、反応操作をより簡単にする。
【解決手段】一般式（１）で示されるシランを製造する方法において、少なくとも１種の高塩素化されたシランを、均一系触媒の存在下で、少なくとも反応型蒸留塔と、前方反応器もしくは側方反応器から選択される少なくとも１つの二次反応器とを備えた装置において不均化反応させることにより行う、シランの製造方法によって解決される。 （もっと読む）

カルダノールをベースとするダイマーが提供される。それらのカルダノールダイマーは、シランを用いたヒドロシリル化によって形成される。カルダノールをベースとするダイマーをさらに反応させて、船穀および海洋構造物上の防汚コーティングとして使用することが可能なエポキシ硬化剤およびエポキシ樹脂を形成させることができる。カルダノールダイマーはさらに、摩擦粒子またはフェノール樹脂を製造するために使用することもできる。さらに、カルダノールをベースとするダイマー、エポキシ硬化剤、よびエポキシ樹脂を合成するための方法もまた提供される。
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【課題】他の樹脂との相溶性に優れ、硬化性にも優れた硬化性シリコーン化合物を提供する。
【解決手段】一般式（1）：[RSiO_3/2]_n[R¹(CH₃)₂SiO_1/2]_m で表される硬化性シリコーン化合物〔R及びR¹は水素原子、炭素数6〜10のアリール含有基、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数4〜10のシクロアルキル基、炭素数2〜3のアルケニル基又は下記式（2）〜（4）


（lは1〜3の整数、R²は水素原子又メチル基）から選ばれ、少なくとも一般式（１）で表される１分子中には炭素数2〜3のアルケニル基、及び式（2）〜（4）からなる群から選ばれたいずれかの硬化性官能基を2以上有し、Rの少なくとも1つが硬化性官能基である。nは6〜20の整数、mは1〜6の整数、n/mは1〜10の範囲である。Mw=500〜5000であり、Mw/Mn＝1.0〜1.5の範囲。〕である。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性や耐候性に優れることが期待されるアダマンタン骨格を有するポリマーであって、硬すぎることは無く、操作性にも優れるポリマーを与えるようなケイ素含有アダマンタン化合物を提供すること。
【解決手段】 例えば、１，３−アダマンタンジオールとフェニルメチルシランをシロキシ化反応触媒の存在下反応させることによって得られる１，３−ビス（メチルフェニルシロキシ）アダマンタンのような下記式（１）で示されるケイ素含有アダマンタン化合物。該化合物は、１，４−ジエチニルベンゼンなどの不飽和結合含有化合物とヒドロシリル化することにより耐熱性ポリマーを与える。
【化１】
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【課題】 入手容易なアルキルグリニヤール試薬からアルキル基におけるマグネシウム原子の結合位置の異なるアルキルグリニヤール試薬を簡易に且つ効率よく得ることのできるアルキルグリニヤール試薬の異性化方法を提供する。
【解決手段】 本発明のアルキルグリニヤール試薬の異性化方法は、アルキルグリニヤール試薬に遷移金属化合物とリン化合物とを作用させて、該アルキルグリニヤール試薬を異性化することを特徴とする。遷移金属化合物として周期表７族〜１２族元素化合物の中から複数の遷移金属化合物を選択して用いることができる。遷移金属化合物として鉄化合物と銅化合物とを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】窒素含有オルガノシラン又は酸素含有オルガノシランを、酸により触媒される侵食から安定化させ、そして生ずる分解を妨ぐための方法の提供。
【解決手段】製品の分解の影響を受けやすい、少なくとも一つのＳｉ−Ｈ又はＮ−Ｈ基を有する窒素含有オルガノシランを、（ａ）残余のアニオン又は金属カチオンを除去するための弱塩基性イオン交換媒体と接触させる段階、（ｂ）前記オルガノシランを前記弱塩基性イオン交換樹脂から分離する段階、（ｃ）前記オルガノシランを蒸留する段階よりなる処理を施す。上記Ｓｉ−Ｈ基を侵食するアニオン又は酸が排出され、この分解が妨げられる。これらのアニオンに低濃度で曝露しても、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び窒化ケイ素膜の使用に関する半導体の加工において、重大な分解を生じ、そして製品安定性及び長期間の有効期間に重大な影響が生じうる。 （もっと読む）

【課題】常圧下で、塗布法により、基体上に、均一なゲルマニウムドープシリコン導電膜を形成する方法およびそのためのリン原子含有高次シラン化合物の製造法の提供。
【解決手段】光重合性シラン化合物およびゲルマニウム化合物を含有する溶液に、４００ｎｍより長い波長の光線を照射せしめてゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を生成せしめるゲルマニウム原子含有高次シラン化合物の製造法。上記方法で得られたゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を含む溶液を基板に塗布し、さらにその塗布基板を熱処理することからなるゲルマニウム含有シリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】三重項エネルギーレベルが高く、エネルギーギャップの広いホスト材料として有用な新規なジ−、トリ−またはテトラ−フェニルシラン骨格をもつフルオレン化合物、それを含む発光層ホスト材料、ホールブロック材料および有機ＥＬ素子の提供。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素、直鎖または分岐のアルキル基、置換基を有することもあるアリール基および置換基を有することもあるヘテロアリール基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、Ｒ^７〜Ｒ^１７は、水素、直鎖または分岐のアルキル基および置換基を有することもあるアリール基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である）
で示されるジ−、トリ−またはテトラ−フェニルシラン骨格を有するフルオレン化合物、
それを含む発光層ホスト材料、ホールブロック材料および有機ＥＬ素子。 （もっと読む）

本発明は、タイプ（Ｈ₂ＳｉＯ）_n［式中、ｎは、３又はそれ以上の整数である］の水素に富むシクロシロキサンを、ａ．）タイプＨ₂ＳｉＸ₂［ここでＸ＝ハロゲンである］のハロゲンシランをｂ．）リチウム塩、銅（ＩＩ）塩又は元素の周期表の第２主族又は第２副族からの金属の塩又はこれらの塩の混合物と反応させることにより選択的に合成することに関する。環サイズは、有利にはｎ＝３、４、５、６（特にｎ＝４〜６）に調節可能であるので、より大きな環は形成されない。本方法の特に有利な態様において、シクロヘキサシロキサン（Ｈ₂ＳｉＯ）₆の選択的な製造のために、反応後に溶剤が少なくとも部分的に分離され、引き続き新たに溶剤が添加される。
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