説明

Fターム[4H049VR52]の内容

Fターム[4H049VR52]に分類される特許

1 - 20 / 60


【課題】半導体素子等として有用なチタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜を、低温で作製可能な方法、その原料錯体を提供する。
【解決手段】


(式中、Mはチタン原子又はケイ素原子を表す。R及びRはC〜C12アルキル基を表す。R及びRは水素原子又はC〜Cアルキル基を表す。Rは、C〜Cアルコキシ基又はジ(C〜Cアルキル)アミノ基を表し、QはC〜Cアルキル基で置換されていてもよいC〜Cメチレン基を表す。)で示される錯体(1)と、酸素ガス、空気、オゾン、水、過酸化水素の一種類以上とを反応させて得られる製膜用材料。 (もっと読む)


【課題】オレフィンを重合して得られる重合体を、優れた重合活性で製造し得るオレフィン重合用触媒、前記オレフィン重合用触媒を構成する触媒成分としての錯体、および前記オレフィン重合用触媒を用いるオレフィン重合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】オレフィンを重合して得られる重合体を、優れた重合活性で製造し得るオレフィン重合用触媒、前記オレフィン重合用触媒を構成する触媒成分としての錯体、および前記オレフィン重合用触媒を用いるオレフィン重合体の製造方法を提供すること。
(もっと読む)


【課題】500℃以下の低温でプラズマ等を用いなくても、ケイ素含有薄膜を効率良く作製できる材料を提供する。
【解決手段】クロロシラン誘導体(3)と化合物MZ(4)を反応させ、一般式(1’)


(式中、R及びRは各々独立にアルキル基を表す。Zがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Mはナトリウム原子等を表す。Zがアミノ基、の場合、Mは水素原子等を表す。Zがアルケニル基の場合、Mはハロゲン化マグネシウム基を表す。)で示されるヒドロシラン誘導体(1’)を製造し、これを材料としてケイ素含有薄膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】温和な条件で架橋メタロセンを製造する方法を提供する。
【解決手段】MWl+2で表される金属錯体とHL−A−LHで表わされる架橋ビスシクロペンタジエン型化合物との反応において、イオン性化合物を添加する工程を含む下式(I)で表わされる架橋メタロセンの製造方法。


[上記式中、Mは元素の周期律表の3族、4族、5族、ランタニド族またはアクチニド族から選択される遷移金属原子を表し、LおよびLは、同一または相異なり、置換基を有していてもよいシクロペンタジエニル基を表し、Aは、LおよびLを連結する架橋基を表し、Xは水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1〜20のハイドロカルビル基等を有していてもよいアミノ基等を表し、Yは、中性のルイス塩基を表し、mは、0〜4の整数を表し、lは1〜4の整数を表す。WはXと同一であってもよく、水素原子、ハロゲン原子等を表す。] (もっと読む)


【課題】オリゴマー量の少ないオレフィン重合体を製造するための触媒成分として用いることのできる新規架橋ビスインデニルメタロセンおよび該オレフィン重合用触媒成分と該オレフィン重合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式(I)で示される遷移金属錯体。

(もっと読む)


【解決課題】Si−OR結合を全く含まないオルガノアミノシラン化合物を安価且つ安全に、高収率で得ることができるオルガノアミノシラン化合物の新規な製造方法を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(1):RSiOROR(1)で表されるオルガノジアルコキシシラン化合物と、下記一般式(2): RNH(2)で表されるオルガノアミン化合物と、下記一般式(3):RMgX(3)で表されるアルキルマグネシウム化合物と、を反応させて、下記一般式(4):RSi(NR(4)で表わされるオルガノアミノシラン化合物を得ることを特徴とするオルガノアミノシラン化合物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】金属錯体を用いたポリカルボナートの製造方法、ならびにエポキシド化合物と二酸化炭素からポリカルボナートを製造するのに有用な金属錯体および金属錯体を含む触媒システムを提供する。
【解決手段】4価金属と、窒素、酸素、硫黄およびリンからなる群から選択される、1種または複数の種類のヘテロ原子で4価金属に四座配位した、2価または3価の四座配位子とを含む金属錯体の存在下で、エポキシド化合物と二酸化炭素を共重合させることを特徴とする、ポリカルボナートの製造方法が提供される。また、そのような金属錯体と助触媒をと含む触媒システム、および新規金属錯体が提供される。 (もっと読む)


【課題】不斉エポキシ化反応に有用である光学活性チタンサラン化合物及びその効率的な製造方法の提供。
【解決手段】光学活性チタンサラン化合物をジ−μ−オキソチタンサラン錯体として単離する際に、三種類の幾何異性体の混合物になることを発見した。その中で製造時の主生成分となる2つの幾何異性体の触媒性能を比較したところ、ホモキラル錯体が、擬似へテロキラル錯体よりも不斉エポキシ化反応における最終的な収率が良いことを見出した。そこで、光学活性チタンサラン化合物の製造検討で、触媒性能の良いホモキラル錯体を効率良く生成させ、触媒性能の劣る擬似へテロキラル錯体をできる限り排除できる製造技術を検討した結果、製造に際してニトリル系有機溶媒、エーテル系有機溶媒又は芳香族炭化水素系有機溶媒を用いることで、光学活性チタンサラン化合物のホモキラル錯体を高い単離収率及び高い化学純度で効率的に製造できる技術を確立した。 (もっと読む)


開示されるのは、プロ触媒組成物における内部電子供与体として適切であるハロゲン化アミドエステルである。本プロ触媒組成物を含有するチーグラー−ナッタ触媒組成物は、改良された触媒活性および/または改良された触媒選択性を呈し、ならびに広い分子量分布を有するプロピレン系オレフィンを生成させる。 (もっと読む)


アニオン重合における官能性開始剤として使用するメタル化アミノシラン化合物、及び該メタル化アミノシラン化合物を使用して少なくとも1種のアニオン重合可能なモノマーのアニオン重合を開始するアミノシラン官能化ポリマーの製造方法である。メタル化アミノシラン化合物の好ましい使用は、アミノシラン官能化ポリマーを含むタイヤ用ゴム組成物をもたらす。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも1つの金属元素と、少なくとも1つの芳香族環を含む少なくとも1つの芳香族モノマーとの配位錯体に関し、この環は少なくとも1つのエチレン性基、少なくとも1つの水酸化物基−OH基、少なくとも1つのオキシム基およびそれらの塩を含み、この金属元素は金属アルコキシドの形態である。 (もっと読む)


【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を用いることを含む、炭窒化ケイ素膜を形成するための方法とする:
(もっと読む)


本発明は、新規なポストメタロセン型リガンド化合物、前記リガンド化合物を含む金属化合物、前記金属化合物を含む触媒組成物とその製造方法および前記触媒組成物を利用したオレフィン重合体の製造方法を提供する。本発明によれば、活性に優れた特殊ポリオレフィン系ポリマー製造用触媒を提供することができる。 (もっと読む)


(a)少なくとも1つの主表面を有する少なくとも1つの基材を用意する工程と、(b)(1)及び(2)を組み合わせる工程と、(1)少なくとも1つの化学的反応性部位を含む、少なくとも1つの硬化性オリゴマー又はポリマーポリシラザン、(2)(i)及び(ii)を含む、少なくとも1つのフルオロケミカル化合物、(i)少なくとも約6個の全フッ素化炭素原子を含む少なくとも1つの有機フッ素又はヘテロ有機フッ素部分、(ii)少なくとも1つの前記化学的反応性部位を通して前記ポリシラザンと反応することができる少なくとも1つの官能基、(c)前記ポリシラザンと前記フルオロケミカル化合物とを反応させて又は反応を誘導して、少なくとも1つの硬化性有機フッ素変性ポリシラザンを形成する工程と、(d)前記硬化性有機フッ素変性ポリシラザン又はその前駆体を前記基材の少なくとも1つの主表面の少なくとも一部に塗布する工程と、(e)前記硬化性有機フッ素変性ポリシラザンを硬化させて表面処理を形成する工程と、を含む、表面処理方法。 (もっと読む)


【課題】300〜500℃といった低温での成膜が可能であり、さらに、反応性が良好なプロセスを与える有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料を提供すること。
【解決手段】HSi(CH)(R)(NR)(Rは、NRまたは炭素数1〜5のアルキル基を表し、RおよびRは、炭素数1〜5のアルキル基または水素原子を表し、RおよびRは、炭素数1〜5のアルキル基を表す)で表される有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料。 (もっと読む)


【課題】高い蒸気圧を持ち、ケイ素含有薄膜を製造する際の優れた材料となる新しいケイ素化合物を提供し、またそれを危険性の無い安価な原材料を使用して収率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表されるジアザシラシクロペンテン誘導体を、ジイミン、すなわち1,4−ジアザ−1,3−ブタジエン誘導体にアルカリ金属及びオルトケイ酸テトラアルキルを反応させることにより製造し、それを用いてケイ素含有薄膜を製造する。
(もっと読む)


【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】IV族金属含有フィルムの蒸着前駆体として使用するために有用な有機金属化合物が提供される。ある種の有機金属前駆体を用いてIV族金属含有フィルムを堆積させる方法も提供される。前記のIV族金属含有フィルムは電子デバイスの製造において特に有用である。 (もっと読む)


【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


(式中、Mは、元素周期表の4族から選択される金属)。上記錯体を用いるCVD及びALD堆積法がまた、含まれる。 (もっと読む)


【課題】300〜500℃といった低温での成膜が可能であり、さらに、反応性が良好なプロセスを与える有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料を提供すること。
【解決手段】HSiCl(NR12)(NR34)(R1、R3は炭素数1〜4のアルキル基または水素を表し、R2、R4は炭素数1〜4のアルキル基を表す)で表される有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料。該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法により窒化シリコン薄膜を形成する原料として特に好適である。 (もっと読む)


本発明は、式(1)の部分を含む化合物、および有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおけるその使用、およびこの種の化合物を具備する有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。 (もっと読む)


1 - 20 / 60