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Fターム[4H049VR54]の内容

Fターム[4H049VR54]に分類される特許

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【課題】可視域から近赤外域での感度や、繰り返し疲労における帯電安定性、温湿度変動に対して安定性に優れた電子写真感光体に用いられる有機光導電体として有用な新規チタニルポルフィラジン誘導体混合物、その製造法を提供する。
【解決手段】フタロニトリル、ジシアノピリジン、ヒドロキシ置換フタロニトリル、及びチタン化合物を反応させることにより得られた、下記一般式(1)で表される複数のチタニルポルフィラジン誘導体からなるチタニルポルフィラジン誘導体混合物。
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【課題】有機金属化合物を高収率で連続して製造する方法および装置の提供。
【解決手段】層流接触ゾーン15と、熱伝達ゾーン45と、乱流促進装置を有する混合ゾーン20とを有する反応器10に2種以上の反応物質が運ばれ;それら反応物質が有機金属化合物を形成するようにする、有機金属化合物(トリアルキルインジウム化合物、トリアルキルガリウム化合物、テトラキスアルキルアミノジルコニウム、テトラキスアルキルアミノハフニウムなど)を連続的に製造する方法。 (もっと読む)


【課題】有機金属化合物を高収率で連続して製造する方法を提供する。
【解決手段】反応物質の層流を維持するような方法で2以上の反応物質17,27が反応器10の接触ゾーン15に運ばれ;それら反応物質に有機金属化合物を形成させる、有機金属化合物を連続的に製造する方法。 (もっと読む)


【課題】有機金属化合物の非常に高純度な精製方法を提供する。
【解決手段】ストリッピングカラムおよびガス流れを用いて粗有機金属化合物を精製する。具体的には、(a)液相の粗有機金属化合物を提供し、(b)第1の入口15及び第1の出口20を伴う第1の部分12、並びに第2の入口25及び第2の出口30を伴う第2の部分14を有するストリッピングカラム10を提供し、(c)前記液相の粗有機金属化合物を前記第1の入口から前記ストリッピングカラムの第1の部分に供給し、(d)ガス流れを前記第2の入口から前記ストリッピングカラムの第2の部分に供給し、(e)前記粗有機金属化合物を、前記ストリッピングカラムを通して前記ガス流れの流れと反対に向かわせ、(f)液相の精製された有機金属化合物を前記第2の出口から集めることにより、有機金属化合物と比較して相対的により揮発性の不純物を除去する。 (もっと読む)


【課題】低温を用いることなく、効率的に有機金属化合物、特にジアルキルメタロセン化合物を製造する方法を提供する。
【解決手段】T−字型マイクロミキサーM1とマイクロチューブリアクターR1から構成されるマイクロリアクター中でシリンジポンプS1から送液されるテトラハロ金属化合物とシリンジポンプS2から送液されるアルキルリチウム化合物とを反応させてテトラアルキル金属化合物を生成させ、次いで、該テトラアルキル金属化合物をT−字型マイクロミキサーM2とマイクロチューブリアクターR2から構成されるマイクロリアクター中でシリンジポンプS3より送液される活性プロトンを有する化合物と反応させる有機金属化合物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高輝度の発光を呈し、かつ低電圧での駆動が可能な発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】陽極と陰極の間にn(nは2以上の自然数)層のEL層を有し、陽極からm(mは自然数、1≦m≦n−1)番目のEL層とm+1番目のEL層の間に、第1の層、第2の層及び第3の層を有する。第1の層は、電荷発生領域として機能し、正孔輸送性を有し、かつアクセプター性物質を含む。第3の層は、電子輸送性を有し、かつアルカリ金属等を含む。第1の層と第3の層との間に、フタロシアニン系材料からなる第2の層を設けることにより、第1の層で発生した電子を、第3の層を介してm番目のEL層に注入するときの電子の注入障壁を小さくすることができる。 (もっと読む)



【課題】 ハフニウム含有酸化膜を提供できる半導体成膜用材料として好適なハフニウムアミド錯体を高収率でかつ簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】 一般式:Hf[O(CR)]で示される第3級ハフニウムアルコキシド錯体に、一般式:Li(NR)で示されるリチウムアルキルアミドを添加し反応させた後、減圧蒸留を行うことを特徴とする、一般式:Hf(NRで示されるハフニウムアミド錯体の製造方法。
(式中において、R、R、Rはそれぞれ独立で、フェニル基、ベンジル基、炭素数1〜6の1級又は2級又は3級のアルキル基のいずれか一つを表し、R、Rはそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基のいずれか一つを表わす。但し、R、R、Rが全てメチル基の場合及びR、R、Rのいずれか一つがエチル基で他の二つがメチル基の場合は除く。) (もっと読む)


本発明は、式(1)の部分を含む化合物、および有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおけるその使用、およびこの種の化合物を具備する有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。 (もっと読む)


【課題】高い帯電性能を有し、しかも高い透明性および適切な明度が得られる静電荷像現像用シアントナーの提供。
【解決手段】静電荷像現像用シアントナーは、少なくとも結着樹脂およびシアン着色剤を含有するシアントナー粒子よりなり、シアン着色剤が、フタロシアニン着色剤化合物Aと、μーオキソ、ダイマー、トリマー構造のフタロシアニン系着色剤化合物Bとを、着色剤化合物Aの含有質量mAおよび着色剤化合物Bの含有質量mBの比mA:mBが90:10〜50:50となる割合で含有するものであることを特徴とする。中心金属原子は銅、Siを示し、置換基がヒドロキシ基、塩素原子、炭素数6〜18のアリールオキシ基、炭素数1〜22のアルコキシ基、電子吸引基。 (もっと読む)


【課題】前駆体組成物及び方法の提供。
【解決手段】アミド基含有蒸着前駆体及び安定化添加剤を含有する組成物が提供される。このような組成物は、アミド基含有蒸着前駆体自体と比較したとき、改良された熱安定性及び増加した揮発度を有する。これらの組成物は、例えば、原子層堆積による薄膜の堆積において有用である。 (もっと読む)


【課題】半導体製造における成膜原料として好適なハフニウムアミド錯体の製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウム成分を含有する式:Hf[N(R)(R)]で示されるハフニウムアミド錯体を製造するに際し、式:A(OXOで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加し、減圧蒸留を行い(但し、R及びRはメチル基又はエチル基を表わし、Aは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。Xは炭素原子又は硫黄原子を表わす。m,nは1又は2、yは1又は0を表わす。Rは、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数4〜12のヘテロアリール基を表わす。)、さらに得られた蒸留物に、式:Li(NR)で示されるリチウムアルキルアミドを添加し、減圧蒸留を行う(但し、R及びRはメチル基又はエチル基を表わす。)。 (もっと読む)


対応する金属含有薄膜のCVD/ALDに有用なアンチモン、ゲルマニウム、およびテルル前駆体、ならびに該前駆体を含む組成物、該前駆体を作製する方法、ならびに該前駆体を使用して製造される膜およびマイクロ電子デバイス製品、さらに対応する製造方法が記載される。本発明の前駆体は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル(GST)膜、および該膜を含む相変化メモリデバイス等のマイクロ電子デバイス製品の形成に有用である。
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本発明は、式(LM(Lによって表され、式中、Mは金属又はメタロイドであり、LとLとは異なり、それぞれ炭化水素基又はヘテロ原子含有基であり;xは少なくとも1である値であり;yは少なくとも1である値であり;x+yはMの酸化状態に等しく;式中、(i)Lは、立体障害のゆえにxがMの酸化状態に等しい値を取り得ないくらい大きい立体的体積を有し、(ii)Lは、立体障害がないゆえにyがMの酸化状態に等しい値を、xが少なくとも1である値ではない場合にのみ、取り得るくらい小さな立体的体積を有し、(iii)L及びLは、x+yがMの酸化状態に等しいヘテロレプティック構造を維持するのに十分な立体的体積を有するヘテロレプティック有機金属化合物;該有機金属化合物を製造する方法、並びに有機金属前駆体化合物から被膜又はコーティングを製造する方法に関する。 (もっと読む)


本発明は、式HM(NR(NRH)(NHで表される有機金属化合物[式中、Mは、金属又は半金属であり、R、R、及びRはそれぞれ、同一か又は異なり、独立して炭化水素基又はヘテロ原子含有基であり、aは0〜3の値であり、xは0〜3の値であり、yは0〜4の値であり、zは0〜4の値であり、a+x+y+zは、Mの酸化状態に等しく、ただし、y及びzの少なくとも一方は、少なくとも1の値である]有機金属化合物を生成する方法、並びに、有機金属前駆体化合物から膜又は被膜を生成する方法に関する。 (もっと読む)


【課題】高い感度を有するとともに、使用環境の湿度変化に対する感度の変動が少なく、太陽電池、電子ペーパー、電子写真感光体等の材料として好適に用いることのできるフタロシアニン結晶を提供する。
【解決手段】1013hPa、20℃の条件下における水に対する溶解度が10重量%以下のアルコール性水酸基を有する化合物の存在下、アルコール性水酸基を有さない有機化合物に、フタロシアニン結晶前駆体を接触させることにより結晶型を変換する工程を経て得られるフタロシアニン結晶。 (もっと読む)


【課題】 薄膜形成用プレカーサとして使用される有機ジルコニウム化合物において、形成される薄膜の特性に影響を及ぼす金属元素を低減した有機ジルコニウム化合物を提供する。
【解決手段】 四塩化ジルコニウムとアルコールまたはアミンを反応させた後蒸留することにより、チタニウム元素の含有量が1ppm以下である薄膜形成用プレカーサとして有用な高純度有機ジルコニウム化合物を得ることができる。また、同時にアルミニウム・ハフニウムの含有量も低減することができる。 (もっと読む)


【課題】ジルコニウム化合物とハフニウム化合物を分離するための、特に低ジルコニウムのハフニウム化合物を生成するための、前記の欠点を有さない簡単かつ効率的な方法を提供する。
【解決手段】特定の有機ジルコニウム化合物と有機ハフニウム化合物(以下に簡単にジルコニウム化合物とハフニウム化合物とする)であって、他の特性が非常に類似している化合物同士を、互いに簡単な分別結晶によって分離する。 (もっと読む)


【課題】CVD法、ALD法の原料として熱安定性と気化特性を有する化合物、その製造方法、その化合物を用いた薄膜及び形成方法を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表される化合物を原料とした金属含有薄膜を形成する。
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【課題】新規なチタン錯体の製法、それらを用いたチタン含有薄膜の形成方法の提供。
【解決手段】ジイミンと金属リチウムとを反応させ、次いでテトラキスアミド錯体を反応させることにより一般式(1)で表されるチタン錯体を製造し、そのチタン錯体を原料としてチタン含有薄膜を形成させる。
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