【解決手段】一般式（１）


［Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜２０の非置換もしくは置換の１価炭化水素基又はＲ⁸Ｒ⁹Ｒ¹⁰Ｓｉ−（Ｒ⁸、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は炭素数１〜２０の非置換又は置換の１価炭化水素基である。）で示されるトリオルガノシリル基であり、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は炭素数１〜２０の非置換又は置換の１価炭化水素基であり、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷は水素原子又は炭素数１〜２０の非置換もしくは置換の１価炭化水素基であり、ａは０又は１、ｂは１〜１０の整数である。］
で示される化合物。
【効果】本発明により提供されるカルボン酸がシリル基で保護されたアミノ酸化合物に不飽和結合を導入した化合物は、高分子やシラン化合物、シロキサン化合物を容易にアミノ酸変性できるため、高分子やシラン化合物、シロキサン化合物をアミノ酸変性できる変性剤として有用である。 （もっと読む）

本発明は、（a）ケイ素基含有アルキルカルバメートを提供する工程と、（b）工程（a）におけるケイ素基含有アルキルカルバメートを遷移金属複合物の存在下で分解し、イソシアネートアルキルシランを得る工程と、を含むイソシアネートアルキルシランの製造方法を提供する。本方法によれば、原料であるケイ素基含有アルキルカルバメートの脱アルコール反応程度が向上し、且つ産物であるイソシアネートアルキルシランの選択性が高い。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）：


の活性化されたアゾ基を少なくとも１個含む官能化有機ケイ素化合物の合成に関する。この化合物は、例えば次式：
（ｉ_a）：(Ｃ₂Ｈ₅Ｏ)₃Ｓｉ−(ＣＨ₂)₃−ＮＨ−ＣＯ−Ｎ＝Ｎ−ＣＯＯＣ₂Ｈ₅
のシラン種と次式：


及び


のシロキサン種との混合物であることができる。本発明はまた、前記化合物（Ｉ）の製造方法にも関し、この方法は、化合物（Ｉ）の少なくとも１種のヒドラジノ前駆体（II）（−ＨＮ−ＮＨ−）を用い、少なくとも１種の酸化剤（Ｏｘ）及び少なくとも１種の塩基（Ｂ）を用いて前駆体（II）を酸化して化合物（Ｉ）のためのアゾ基にすることから成り、この方法は、前記塩基Ｂを無機塩基から選択し、Ｏｘをハロゲン、シアヌル酸化合物及び塩素含有化合物並びにそれらの混合物から選択し、そして式（III）


（例えば(ＣＨ₃)₃(Ｃ₂Ｈ₅Ｏ)Ｓｉ）のシラン類（単独の又は混合物として）の中から選択される追加反応成分を用いることから成る。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）：


の活性化されたアゾ基を少なくとも１個含む官能化有機ケイ素化合物の合成に関する。この方法は、化合物（Ｉ）の少なくとも１種のヒドラジノ前駆体（II）（−ＨＮ−ＮＨ−）を用い、少なくとも１種の酸化剤（Ｏｘ）及び少なくとも１種の塩基（Ｂ）を含む酸化系を用いて前駆体（II）を酸化して化合物（Ｉ）のためのアゾ基にすることから成り、この方法は、前記酸化を水性／有機性２相媒体中で、水性相のｐＨが３〜１１の範囲、好ましくは５〜９の範囲となるように実施することを特徴とする。本発明はまた、該方法によって得ることができる熱安定性化合物にも関する。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたＧＳＴ薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム、窒素及びシリコンを含有した低温蒸着用のゲルマニウム前駆体、これを利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたＧＳＴ薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子である。これにより、低温蒸着用のゲルマニウム前駆体は、窒素及びシリコンを含有しているところ、薄膜、より具体的には、窒素及びシリコンでドーピングされたＧＳＴ薄膜形成時に低温蒸着が可能である。特に、低温蒸着時、水素プラズマを利用できる。低温蒸着用のゲルマニウム前駆体を利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたＧＳＴ相変化膜は、減少したリセット電流を有するところ、これを備えたメモリ素子は、集積化が可能になり、高容量及び高速作動が可能である。 （もっと読む）

本発明は、流動化された固体粒子の存在でカルバマトオルガノシランの熱分解によるイソシアナトオルガノシランの製造方法を記載する。
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