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Fターム[4H049VT49]の内容

Fターム[4H049VT49]に分類される特許

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【課題】 活性放射線、例えば、g線、i線等の紫外線、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーもしくはF2エキシマレーザー、EUVに代表される遠紫外線、もしくは電子線などに感応する化学増幅型レジストとして、解像度、環境耐性に加え、保存安定性に優れる感放射性組成物を提供すること。
【解決手段】 少なくとも1個の水素原子が窒素原子に結合した構造を持つ化合物の上記窒素原子に結合した水素原子の1個以上を、特定の基で保護した化合物を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】ビス(トリエトキシシリルプロピル)フマレートのようなビス(アルコキシシリルアルキル)フマレートはタイヤ処方において有用である。従来のビス(アルコキシシリルアルキル)フマレートの製造方法より速く、低温で、及び/又は少ない副産物でビス(アルコキシシリルアルキル)フマレートを製造方法を提供する。
【解決手段】a)ハロオルガノアルコキシシラン、b)ジカルボキシル官能性化合物の二金属塩、及びc)二環式アミジン、二環式アミジンの第4級イミニウム化合物、又はこれらの組み合わせを含む相間移動触媒を含む組成物を反応させるステップ1)を具える、ビス(アルコキシシリルオルガノ)ジカルボキシレートを含む反応生成物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】比較的大きい溶解度を有する縮合多環芳香族化合物の前駆体に用い得る化合物と合成法の提供。
【解決手段】下記式(II)で表される縮合多環芳香族化合物:
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【課題】代謝調節型受容体のmGluR2サブタイプが関与するグルタミン酸機能障害および疾患と関連する神経および精神障害を治療または予防するために有用な代謝調節型受容体サブタイプ2(「mGluR2」)のポジティブアロステリックモジュレーターの提供。特に、かかる疾患は、不安症、統合失調症、片頭痛、うつ病、およびてんかんの群から選択される中枢神経系疾患である。
【解決手段】式(I)による新規なピリジノンおよびその誘導体。


XはC(=O)、S(O)、S(O)2など選択され、YはS、-C(R4)=C(R5)-、-C(R5)=N-、-N=C(R5)-および-N(R5)-から選択され、R1は水素ではなく、-(C1-C6)アルキル基など、R2およびR3)または(R4およびR5)は一緒になって、アリール基、ヘテロアリール基、複素環およびシクロアルキル基の群から選ばれる任意に置換された3〜10員環を形成してもよい。 (もっと読む)


【課題】高純度のF系プロスタグランジン化合物を調製する合成中間体を提供する。
【解決手段】下記式(1)に従った固体化合物である。


ここで、TBDMSはtert-ブチルジメチルシリル基を表し、R1はベンジル基などを表す。 (もっと読む)


【課題】密着性向上効果に優れるチオエーテル含有アルコキシシラン誘導体を提供する。
【解決手段】チオエーテル含有アルコキシシラン誘導体は、下記式1で表される化合物である。
【化1】


(式中のmは1または2であり、nは0または1である。Rは水素、または炭素数が1〜18の炭化水素基、または炭素数1〜3のアルコキシ基により置換された炭素数が1〜4の炭化水素基である。Rはメチル基またはエチル基である。Rは−CH−CH−あるいは−CH(CH)−で表される2価の基である。) (もっと読む)


【課題】電気特性の安定性に優れた有機薄膜トランジスタの製造方法と、有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体膜上に、(a)炭酸プロピレン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドから選ばれる少なくとも1つの有機溶剤と、(b)該有機溶剤に可溶な有機化合物を含有する絶縁膜形成液を用いてウェットプロセスによりゲート絶縁膜を形成することを特徴とするトップゲート型有機薄膜トランジスタの製造方法により解決される。 (もっと読む)


【課題】密着性向上効果に優れるチオエーテル含有アルコキシシラン誘導体を提供する。
【解決手段】チオエーテル含有アルコキシシラン誘導体は、下記式1で表される化合物である。


(式中のaは0〜2の整数であり、bは1〜3の整数であり、aとbの和は3である。Rは特定のイソシアヌレートを有する3価の基であり、Rはトリアルコキシシリル基含有の1価の基である。) (もっと読む)


【課題】十分な反応性を有するシロキサンオリゴマーであって、反応残渣が生じないシリル化剤として有用な新規な環状ポリオルガノシロキサンシラザンおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1):
【化1】


(式中、R1〜R4は炭素原子数1〜8の非置換または置換の一価炭化水素基であり、mは1≦m≦100の整数、nは1≦n≦100の整数、m+nは3≦m+n≦200の整数である。(SiR1R2O)単位と(SiR3R4NH)単位とはランダムに結合していてもよい。)
で示される環状ポリオルガノシロキサンシラザン。 (もっと読む)


【課題】含窒素複素環化合物の複素環を構成する窒素原子に、ケイ素原子含有基を導入するに際し、簡便な工程で行うことができ、副生成物の量を抑制できる実用的な方法の提供。
【解決手段】複素環を構成すると共に水素原子と結合している窒素原子を含む含窒素複素環化合物と、下記一般式(2)で表されるケイ素原子含有化合物とを、亜鉛触媒存在下で反応させて、該ケイ素原子含有化合物中の水素原子と結合しているケイ素原子と、前記含窒素複素環化合物中の水素原子と結合している窒素原子とを結合させ、脱水素させることにより、前記含窒素複素環化合物の前記窒素原子にケイ素原子含有基を導入することを特徴とするケイ素原子含有含窒素複素環化合物の合成方法。
[化1]
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【解決手段】下記式(1)


(式中、R1及びR2は炭素数1〜20の非置換又は置換の1価炭化水素基で、R1とR2が結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を成してもよく、各々同一又は異なっていてもよい。また、R1及びR2はヘテロ原子を含んでもよい。R3及びR4は炭素数1〜10の非置換又は置換の1価炭化水素基で各々同一又は異なっていてもよい。a、bは1〜10の整数である。nは0〜2の整数である。)
で示される環状シラザン化合物。
【効果】本発明によれば、3級アミノ基を有する環状シラザン化合物を用いることで、混合、保存時に官能基自身と反応することを防ぐことができ、使用時に加水分解することにより、定量的、効率的に官能基を導入し、高分子材料に高い機械的特性を付与することが可能である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、より高純度のポジトロン放出源化合物を製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るポジトロン放出源化合物の製造方法は、ハロゲン化合物(II)からトリアルキルスズ化合物(III)を得る工程と、トリアルキルスズ化合物(III)からノナンカーボネート化合物(IV)を得る工程を含み、下記ポジトロン放出源化合物(I)を製造するためのものである。


[式中、R1はポジトロン放出元素を含む基を示す] (もっと読む)


金属−ターピリジン錯体およびそのヒドロシリル化反応における使用がここに開示される。 (もっと読む)


本発明は、有機ケイ素化合物の製造方法であって、(A)脂肪族の炭素−炭素多重結合を有する化合物と、(B)Siに結合された水素原子を有する有機ケイ素化合物とを、(C)Pt(0)錯体触媒及び(D)少なくとも1種の有機アミン−N−オキシド及び/又はその水和物並びに場合により(E)溶剤の存在下で反応させることによって行う前記方法に関する。 (もっと読む)


本発明の対象は、一般式(1)R′3-n1nSi−R2−NR34(1)のアミノオルガニルトリオルガニルシランの製造方法(a)、一般式(4)の環状アミノシランの製造方法(b)並びに一般式(7)R013-t11tSi−R12−NR13−R14−SiR023-s15s(7)のシリルオルガノアミンの製造方法(III)であって、アミンとハロゲンオルガニルシランとを反応させる前記方法において、式中、R′、R1、R2、R3、R4、R、R5、R6、R01、R02、R11、R12、R13、R14、R15、n及びsは、請求項1から3に記載の意味を有し、前記反応後に、副生成物として製造されるアミンのアンモニウムハロゲン化物は、塩基(B)の反応混合物への添加によって遊離され、前記アミンは該反応混合物から留去され、塩基(B)の反応混合物への更なる添加によって2つの液相が形成し、その際、一方の相は少なくとも90質量%の塩基(B)のヒドロハロゲン化物を含有し、かつこの相が分離される前記方法である。
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2〜C10モノカルボン酸と一般式(I)SiHal4-xx〔式中、Halはフッ素、塩素、臭素、又はヨウ素の群から選択されるハロゲン原子であり、Rは相互に独立して水素、C1〜C10アルキル又はアリールであり、かつxは0〜3の整数である]のハロゲンシランとの反応により、補助塩基の存在下でハロゲン化水素を形成する、シリル化されたモノカルボン酸の製造方法であって、前記補助塩基がハロゲン化水素と塩を形成し、前記塩が有価生成物又は有価生成物の溶液と適切な溶剤中で2つの非混和相を形成するものであり、かつ前記塩が分離される、前記製造方法。 (もっと読む)


ビスアミノシラシクロブタンと、窒素供給ガス、酸素供給ガスおよびこれらの混合物から選択した原料ガスとの反応ガス混合物の熱重合によるシリコン含有薄膜の生成方法。堆積膜は窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、二酸化ケイ素または炭素ドープ二酸化ケイ素であってもよい。これら膜は、半導体デバイスにおける誘電体、不動態化膜、バリア膜、スペーサ、ライナおよび/またはストレッサとして有用である。
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【課題】 青色領域の発光を有する、新規なシロール化合物を提供することである。
【解決手段】 式(I):


は、互いに独立して、アルキル、アリール又はアラルキルであり、
は、互いに独立して、アルキルであり、
は、互いに独立して、水素、ハロゲン又は−SiH(Rであるか、あるいは2個のRは一緒になって、>Si(R2(ここで、Rは、互いに独立して、上記と同義である)を形成している)で示されるシロール化合物である。 (もっと読む)


本発明は、N-複素環式カルベン(NHC)若しくはそのカルボキシレート又は両者の存在下で二酸化炭素をシランに暴露してメチルシリルエーテルを生成する段階を含む、二酸化炭素の還元方法を提供する。 (もっと読む)


本発明は、元素周期表の第VIII副族の金属と式(I)の少なくとも1つの化合物との少なくとも1つの錯体を有し、その際、Pnはプニコゲンを表し;Wは両側の結合の間の1〜8つの架橋原子を有する二価の架橋基を表し;R1は式(I)の化合物の基−X(=O)OHと少なくとも1つの分子間の非共有結合を形成することができる官能基を表し;R2、R3はそれぞれ場合により置換されたアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表すか、又はプニコゲン原子と一緒に、存在する場合には基Y2及びY3と一緒に縮合されていない又は縮合されている及び非置換の又は置換された5〜8員の複素環を表し;a、b及びcは0又は1を表し;及びY1、Y2、Y3は相互に無関係にO、S、NRa又はSiRbcを表し、その際、Ra、Rb、RcはH又はそれぞれ非置換であるか又は置換されたアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表す触媒の存在でα,β−不飽和カルボン酸又はその塩を一酸化炭素及び水と反応させることによるアルデヒドの製造方法;並びにα,β−不飽和カルボン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化のための前記触媒の使用に関する。
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