Fターム[4H049VU33]の内容
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光学活性ビスオキサゾリン化合物、不斉触媒およびそれを用いた光学活性シクロプロパン化合物の製造方法
【課題】従来の製造方法は、得られる光学活性シクロプロパン化合物におけるシス−トランス異性体の選択性の点で、必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式(1)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表す。nは、0〜3の整数を表す。*は、不斉中心を表す。)
で示される光学活性ビスオキサゾリン化合物、および、該化合物と一価または二価の銅化合物とを混合して得られる不斉触媒。
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トリエーテル、オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法
【課題】十分に高い重合活性を示すオレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式(I)で表されるトリエーテル。
(I)(式中、Raは、水素原子または炭素原子数1〜20のハイドロカルビル基を表し、Rb、RcおよびRdは、それぞれ独立に、炭素原子数1〜20のハイドロカルビル基、炭素原子数1〜20のハイドロカルビル基で置換されたシリル基を表し、Eは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、または錫原子を表す。)
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光学活性エポキシ化合物の製造方法
【課題】光学活性エポキシ化合物の新規な製造方法の提供。
【解決手段】脱水剤の存在下、酸化剤と分子内に二重結合を有する不飽和化合物を反応させる工程を含み、トリスフェノールアミン配位子のフェノール骨格部分にビナフチル骨格及び軸不斉を有する骨格を導入することにより、トリスフェノールアミン配位子の骨格に起因するプロペラ型不斉のラセミ化を抑制する。さらに、光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体を用いて、高い選択性で光学活性エポキシ化学物を製造する。
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四級アンモニウム塩、それから得られる酸化触媒、及び該触媒を用いるエポキシ誘導体の製造方法
【課題】非ハロゲン系溶媒を反応溶媒に用いることが可能であり、かつ反応生成物から酸化触媒を回収可能な、液晶性の骨格を有するエポキシ誘導体を効率よく製造する技術を提供する。
【解決手段】T8のシルセスキオキサンに有機基を介して三級アミンが導入されてなる特定の四級アンモニウム塩を用意し、この四級アンモニウム塩と、タングステン酸類及びリン酸類又はタングストリン酸等の特定のヘテロポリ酸と、過酸化水素とから酸化触媒を調製し、この酸化触媒を用いて、過酸化水素の存在下で一末端又は両末端に炭素間不飽和二重結合を有する特定のオレフィン誘導体から、このオレフィン誘導体の炭素間不飽和二重結合がエポキシ基に酸化されてなる特定のエポキシ誘導体を製造する。この酸化触媒は、エポキシ化反応後、貧溶媒による析出によって反応生成物から回収される。
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タングステン錯体、メタセシス反応用触媒および環状オレフィン開環重合体の製造方法
【課題】例えば、環状オレフィン化合物を開環メタセシス重合するにあたり、良好に制御された重合を行うための触媒の成分などとして有用なタングステン錯体と、そのタングステン錯体を含んでなるメタセシス反応用触媒を提供すること。
【解決手段】式(1)で表されるタングステン錯体。
(式中、R1およびR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜24のアルキル基および置換基を有していてもよい炭素数6〜24のアリール基から選択される基であり、R1とR2とが互いに結合して脂環構造を形成していてもよい。Xは、独立に、ハロゲン原子、アリーロキシ配位子、アルコキシ配位子、およびアルキル配位子から選択される配位子である。nは1〜3の整数である。)
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ポリカーボネートの製造に使用される配位錯物を合成する化合物
【課題】エポキシ及び二酸化炭素を用いてポリカーボネートを製造する際に用いられる新規な配位錯物触媒を合成するための化合物を提供。
【解決手段】次式で示される化合物を提供。
(式中、Aは酸素であり;Qはトランス−1,2−シクロヘキシレン、エチレン、または置換されたエチレンである)。オニウム塩及びルイス酸の中心金属を含有する上記錯化合物は高分子量のポリカーボネートを生成するためのエポキシド及び二酸化炭素の共重合化に対して高温で高い触媒活性を有する。
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軸不斉骨格を有するスルホン酸が担持された担持物及びその製造方法
【課題】軸不斉骨格を有するスルホン酸が担持された担持物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】1,1’−ビナフタレン−2,2’−ジスルホン酸ジクロリドとエチレンジアミンを反応させてN−(2−アミノエチル)−1,1’−ビナフタレン−2,2’−ジスルホニルイミドとし、次いでこれを加水分解して2−((2’−ヒドロキシスルホニル-1,1’−ビナフタレン−2−イル)スルホニルアミノ)エチルアミンとし、更にベンゼン−1,3−ジスルホニルクロリドを反応させ、最後にアミノプロピルシリカを反応させることにより得られる、3−(2−((2’−ヒドロキシスルホニル−1,1’−ビナフタレン−2−イル)スルホニルアミノ)エチルアミノスルホニル)ベンゼンスルホニルアミノプロピルシラン化合物が担体に化学結合している担持物。
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チタン−シリコン分子ふるいとその製造方法、及びその分子ふるいを用いたシクロヘキサノンオキシムの製造方法
【課題】チタン−シリコン分子ふるいとその製造方法、及びその分子ふるいを用いたシクロヘキサノンオキシムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン−シリコン分子ふるいの製造方法は、チタン源と、シリコン源と、遷移金属源と、テンプレート剤と、水と、を混合する工程と、前記混合物を加熱してゲル混合物を形成する工程と、水熱処理を行う工程と、前記水熱処理を経たゲル混合物を焼成し、チタン−シリコン分子ふるいを得る工程を含む。又、本発明のシクロヘキサノンオキシムの製造方法は、本発明のチタン−シリコン分子ふるいを触媒としてシクロヘキサノンオキシムを製造することで、高い転化率と選択率、並びに過酸化水素の高い使用率が得られる利点を有する。
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三量化用触媒および1−ヘキセンの製造方法
【課題】エチレンの三量化反応において、反応器の壁や攪拌機への副生ポリマーの付着を抑制することができ、1−ヘキセンを効率的に製造することが可能なエチレン三量化用触媒を提供すること。
【解決手段】チタン原子を含むエチレン三量化用錯体と、周期律表第12族の元素を含む活性化助触媒成分とを接触させて得られるエチレン三量化用触媒。
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1−ヘキセンの製造方法
【課題】エチレンより1−ヘキセンを製造する場合に、副生ポリマー量を低減する製造方法を提供する。
【解決手段】下記工程を有する1−ヘキセンの製造方法。工程1:式(1−3)に代表される遷移金属錯体と有機アルミニウム化合物とを接触させる触媒成分の調製工程工程2:更に、ホウ素化合物とを接触させて得られる触媒の存在下、エチレンを三量化させる工程
R1〜R4はメチル基、R5〜R21は水素又はメチル基、X1〜X3は塩素又はメチル基、Jはケイ素、Mはチタン
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リサイクルが容易な多孔体・サテライトナノ粒子複合体及びその製造方法
【課題】回収と繰り返し使用性能に優れ、触媒、抗ウイルス剤、又は坑菌剤として使用できる、環境にやさしい多孔体・サテライトナノ粒子複合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔体・サテライトナノ粒子複合体は、多孔体10と、多孔体の表面に第1末端21が結合し、第2末端に官能基22を含む分子20と、官能基に結合したサテライトナノ粒子30とを含む。製造方法は、(a)第1溶液に多孔体前駆体を導入して、第2溶液を製造する段階と、(b)第2溶液に、第2末端に官能基を含む分子を導入して、多孔体の外面に分子の第1末端を結合することにより、分子が結合した複合体を含有する第3溶液を製造する段階と、(c)第3溶液にサテライトナノ粒子シードを導入して、分子の第2末端の官能基にサテライトナノ粒子シードを結合する段階と、(d)サテライトナノ粒子シードを成長させる段階を含む。
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遷移金属錯体、該遷移金属錯体の製造方法、三量化用触媒、1−ヘキセンの製造方法、置換シクロペンタジエン化合物、及び、該置換シクロペンタジエン化合物の製造方法
【課題】エチレンの三量化反応により1−ヘキセンを効率的に、選択性よく製造することが可能な触媒成分となる新規なケイ素架橋Cp−Ar遷移金属錯体の提供。
【解決手段】一般式(1)で表される遷移金属錯体およびその製造方法の提供。更に、当該三量化用触媒の存在下、エチレンを三量化させる1−ヘキセンの製造方法の提供。
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遷移金属錯体、該遷移金属錯体の製造方法、三量化用触媒、1−ヘキセンの製造方法、置換シクロペンタジエン化合物、及び、該置換シクロペンタジエン化合物の製造方法
【課題】エチレンの三量化反応により1−ヘキセンを効率的に、選択性よく製造することが可能な触媒成分となる新規なケイ素架橋Cp−Ar遷移金属錯体、その製造方法、及び1−ヘキセンの製造方法の提供。
【解決手段】式(1)で表される遷移金属錯体、その製造方法。
1−ヘキセンは、式(1)の触媒存在下、エチレンの三量化反応により製造する。
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遷移金属錯体、該遷移金属錯体の製造方法、三量化用触媒、1−ヘキセンの製造方法、置換シクロペンタジエン化合物、及び、該置換シクロペンタジエン化合物の製造方法
【課題】本発明が解決しようとする課題は、エチレンの三量化反応により1−ヘキセンを効率的に、選択性よく製造することが可能な触媒成分となる新規なケイ素架橋Cp−Ar遷移金属錯体を提供すること。
【解決手段】下記一般式(1)で表される遷移金属錯体。
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環状トリチオカーボネートの製造方法
【課題】比較的穏和な条件下で反応を行っても、目的とする環状トリチオカーボネートを高収率で製造することができ、種々の反応基質にも適用できる当該環状トリチオカーボネートの製造方法を提供する。
【解決手段】(1)エピスルフィド(チイラン)と二硫化炭素とを、第二級又は第三級アミン性基で修飾されたシリカ触媒の存在下で反応させることを特徴とする、環状トリチオカーボネートの製造方法、(2)エポキシド(オキシラン)と、チオ尿素とチオシアン酸アンモニウムとから選ばれる少なくとも一方とを反応させてエピスルフィド(チイラン)を得る第1の工程と、上記エピスルフィド(チイラン)と二硫化炭素とを、第二級又は第三級アミン性基で修飾されたシリカ触媒の存在下で反応させる第2の工程と、を含んでなり、上記第1の工程と上記第2の工程とが、連続的に行われることを特徴とする、環状トリチオカーボネートの製造方法、並びに(3)第二級又は第三級アミン性基で修飾されたシリカを含有する、エピスルフィド(チイラン)と二硫化炭素とを反応させることにより、環状トリチオカーボネートを製造する際に用いられる触媒。
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遷移金属錯体、該遷移金属錯体の製造方法、三量化用触媒、および1−ヘキセンの製造方法
【課題】エチレンの三量化反応により1−ヘキセンを製造することが可能な触媒成分となる新規な遷移金属錯体を提供する。
【解決手段】式(1)で表される遷移金属錯体。
(Mは元素の周期律表の第4族の遷移金属原子を表し、X1、X2、X3、及び、R1、からR14は、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有してもよい炭素原子数1〜20のアルキル基、アルコキシ基、炭素原子数6〜20のアリール基、アリールオキシ基、炭素原子数7〜20のアラルキル基、アラルキルオキシ基等である。)
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遷移金属含有ポリシラン担持金属酸化物触媒
【課題】高い触媒活性を有するとともに触媒寿命が長く、回収・再使用又は長期間の連続使用が可能なポリシラン担持遷移金属触媒を提供する。
【解決手段】ポリシラン化合物に遷移金属を固定化した遷移金属含有ポリシランを、金属酸化物粒子に担持してなる遷移金属含有ポリシラン担持金属酸化物触媒であって、遷移金属含有ポリシラン中のポリシランの重量平均分子量(W1)が500〜20,000の範囲にあり、該遷移金属含有ポリシラン中の遷移金属の含有量が遷移金属含有ポリシラン1グラム当たり0.01〜1.0mmolの範囲にあり、遷移金属の含有量が触媒1グラム当たり1〜500μmolの範囲にあり、前記遷移金属含有ポリシラン中のポリシランの炭素/珪素(C/Si)の原子比が3.5〜10の範囲にあり、前記遷移金属含有ポリシラン中のポリシランが側鎖としてフェニル基と、メチル基とを含みメチル基とを含み、フェニル基/メチル基のモル比が0.33〜0.70の範囲にあることを特徴とする遷移金属含有ポリシラン担持金属酸化物触媒。
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新規なハーフメタロセン錯体及びそれを含むオレフィン重合用触媒、並びにそれを用いたオレフィン又はエチレンの重合方法
【課題】工業的に有利な重合温度かつ重合条件において、従来の錯体触媒よりも、共重合性を低下させることなく高分子量のオレフィン共重合体を製造できる錯体、それを含むオレフィン重合用触媒、さらにはそれを用いたオレフィン又はエチレンの重合方法の提供
【解決手段】下記の一般式[I]式で表されることを特徴とするハーフメタロセン錯体等。
(例えば、ジメチル[ジメチルシリレン(tert−ブチルアミド){2−(5−メチル−2−フリル)インデニル}]チタニウム)
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金属錯体ならびにそれを用いたα−オレフィン重合体の製造方法およびα−オレフィンと(メタ)アクリル酸エステル共重合体の製造方法
【課題】新規な高活性触媒成分およびそれを用いた分岐が少なく結晶性を有するα−オレフィン重合体またはα−オレフィン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(A)で表される金属錯体、及びそれの使用。
[式中、Mは10族等の遷移金属を表す。R1は、水素原子又は炭素数1〜20の炭化水素基等を表す。L1は、Mに配位したリガンドを表す。E1はリン、砒素又はアンチモンを表す。X1は、酸素又は硫黄を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に炭素数1〜30のヘテロ原子を含有していてもよい炭化水素基を表す。R4及びR6は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜30の炭化水素基等を表す。R5及びR7は、それぞれ独立に炭素数1〜30のハロゲン化炭化水素基又はトリアルキルシリル基を表す。]
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ピレン誘導体、ピレン誘導体の製造方法、錯体、触媒、電子材料、発光材料および色素
【課題】新規な構造および特性を有するピレン誘導体の提供。
【解決手段】下式で合成した(I)で表されるピレン誘導体、その互変異性体、幾何異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。
[式中、Arのうち少なくとも一方は、置換または無置換のアリール基等であり、各Arは同一でも異なっていても良く、R1は、炭化水素基であり、直鎖状でも分枝状でも良く、R2は、水素原子または任意の置換基であり、R3は、任意の置換基である。]
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