【課題】 簡便な操作で効率よくハロゲン化イミノホスファゼニウムを製造する方法を提供する。
【解決手段】 不活性ガス雰囲気下、非水溶性溶媒中で、五ハロゲン化リンとグアニジン誘導体を反応し、ハロゲン化イミノホスファゼニウムを製造するに際し、反応後の反応液に水性媒体を添加し油水分離を行い、得られた水相にさらにハロゲン化溶媒を添加し油水分離を行い、得られたハロゲン化溶媒相からハロゲン化溶媒を除去することを特徴とするハロゲン化イミノホスファゼニウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来の製造方法では、反応条件によっては、触媒の活性が必ずしも充分満足できない場合があり、優れた重合活性を有する新規な触媒を用いる芳香族ポリマーの製造方法の開発が望まれていた。
【解決手段】式（Ａ）
Ｘ^１−Ａｒ^１−Ｘ^１ （Ａ）
で表される芳香族モノマーと、
式（Ｂ）
Ｘ^２−Ａｒ^２−Ｘ^２ （Ｂ）
で表される芳香族モノマーとを、塩基、パラジウム化合物、式（Ｃ）



で表されるホスフィン及び非プロトン性有機溶媒の存在下に混合する工程を含むことを特徴とする芳香族ポリマーの製造方法等。 （もっと読む）

【課題】アルファ−オレフィンの選択的生成のためのプレ触媒の合成とエチレンオリゴマー化反応におけるかかるプレ触媒の使用によるクロム及びニッケルオリゴマー化触媒を提供する。
【解決手段】周期表第６族及び第１０族遷移金属化合物、特にクロム（ＩＩＩ）及びニッケル（ＩＩ）を含む多座配位子を含有する配位化合物の調製及び使用。かかる触媒前駆体は、アルファ−オレフィンの生成に高い触媒活性及び選択性を示す。 （もっと読む）

【課題】トリアリールホスフィンとハロゲン化アリールとを、金属ハロゲン化合物触媒及び水溶性高沸点溶媒の存在下で反応させて、非対称テトラアリールホスホニウムハライドを製造するに当たり、副生成物の生成を抑制して、非対称テトラアリールホスホニウムハライドを高収率、高選択率で製造する。
【解決手段】ハロゲン化アリール、金属ハロゲン化合物触媒及び水溶性高沸点溶媒を含む反応液に、トリアリールホスフィンを分割又は連続的に添加する。 （もっと読む）

【課題】光学活性アルコール化合物の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１−１）等：


で表される光学活性アクアクロロ（サレン）ルテニウム（ＩＩＩ）錯体を触媒として使用して、ラセミ体のアルコール化合物を、酸素含有気体存在下で反応を行なうことによる、光学活性アルコール化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化剤と還元剤とを別々に系内に導入する、均一系において単一錯体上で酸素分子の還元的活性化と基質の酸化を行う基質の酸化方法を提供することを課題とする。
【解決するための手段】水素分子に、ロジウムターピリジンアクア錯体を作用させ、該水素分子からの電子抽出により、ロジウムターピリジン低原子価錯体とプロトンとを生成する工程、前記ロジウムターピリジン低原子価錯体にプロトンを作用させることにより、ロジウムターピリジンヒドリド錯体を経由して水素とロジウムターピリジン二核錯体を生成する工程、ロジウムターピリジン低原子価錯体の酸化によりロジウムターピリジン二核錯体を生成する工程、ロジウムターピリジン二核錯体と酸素とを反応させてロジウムターピリジンペルオキソ錯体を生成する工程およびロジウムターピリジンペルオキソ錯体を基質と反応させて、基質を酸化する工程を含む基質の酸化方法。 （もっと読む）

【課題】らせん状構造の置換ポリアセチレン誘導体も得ることができ、特に置換アセチレンの重合開始剤として有用な新規な三座配位子ロジウム錯体を提供する
【解決手段】下記一般式（１）で表わされることを特徴とする三座配位子ロジウム錯体。


（式中、Ｒ^１は炭素数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基、及びアリール基を示す。Ｒ^２及びＲ^３は炭素数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基、及びアリール基を示し、但し、Ｒ^２とＲ^３で同一の基となることはない。Ｚは炭素数３〜６のアルキレン基を示す。ＸはＮＨ又はＯを示す。＊は不斉炭素原子を示す。） （もっと読む）

【課題】分岐が少なく結晶性を有するα−オレフィン重合体等の製造用の高活性触媒成分およびそれを用いたα−オレフィン重合体等の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ａ）で表される金属錯体、およびそれを用いたα−オレフィン重合体等の製造方法。


［式中、Ｍは、周期律表の９族、１０族または１１族に属する遷移金属を表す。Ｒ^３は、炭素数１〜２０の炭化水素基等を表す。Ｌ^１は、Ｍに配位したリガンドを表す。Ｘ^１は、酸素または硫黄を表す。Ｅ^１は、リン、砒素またはアンチモンを表す。Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、炭素数１〜４０の炭化水素基等を表し、Ｒ^１０、Ｒ^１１及びＲ^１２、Ｒ^１３は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の炭化水素基等を表す。］ （もっと読む）

【課題】産業上有用な不飽和ジオールを１工程で製造することができる製造方法の提供。
【解決手段】アリルアルコールのような水酸基含有オレフィンに対して、下記式１のニッケル錯体で例示されるような二量化触媒の存在下で二量化反応を行い、式（２）のような水酸基と不飽和結合の両方を有する不飽和ジオールを得る。式（２）ＨＯ−（ＣＲ２ＣＲ３）ｍ−ＣＨＲ１−（Ｃ＝ＣＨ２）−ＣＨ２ＣＨ２−ＣＨＲ１−（ＣＲ２Ｒ３）ｍ−ＯＨ（式中、Ｒ１〜Ｒ３は水素、アルキル基等を、ｍは０〜４の整数を表す。）


（式中、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を表す。） （もっと読む）

【課題】例えば、環状オレフィン化合物を開環メタセシス重合するにあたり、良好に制御された重合を行うための触媒の成分などとして有用なタングステン錯体と、そのタングステン錯体を含んでなるメタセシス反応用触媒を提供すること。
【解決手段】式（１）で表されるタングステン錯体。


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜２４のアルキル基および置換基を有していてもよい炭素数６〜２４のアリール基から選択される基であり、Ｒ^１とＲ^２とが互いに結合して脂環構造を形成していてもよい。Ｘは、独立に、ハロゲン原子、アリーロキシ配位子、アルコキシ配位子、およびアルキル配位子から選択される配位子である。ｎは１〜３の整数である。） （もっと読む）

【課題】気相成長法により、単層カーボンナノチューブを所定のピッチにて配列した状態で形成させる方法、及びそのような方法で使用されるカーボンナノチューブ生成用触媒を提供すること。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも１つ有する含窒素デンドリマー化合物に８、９又は１０族の遷移金属元素を配位させた化合物からなる触媒を基板の表面に付着させる触媒付着工程と、前記触媒の付着した基板の表面に炭素化合物を供給しながら、当該炭素化合物を前記基板の近傍で熱分解させる熱分解工程と、を含む。また、本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒は、金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも１つ有する含窒素デンドリマー化合物に８、９又は１０族の遷移金属元素を配位させた化合物である。 （もっと読む）

【課題】特にβデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する金属錯体を形成する新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体、その製造方法、該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体及び該金属錯体を用いた不斉水素化方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されることを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体。


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ^１とＲ^２とでは炭素数が異なる。） （もっと読む）

【課題】低温での解離効果が高いブロック剤の解離触媒として、プロアザホスファトランを含有するブロック剤解離触媒を提供するとともに、当該ブロック剤解離触媒、ブロックイソシアネート及びイソシアネート反応性基を有する化合物からなる熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】ブロック剤解離触媒、ブロックイソシアネート及びイソシアネート反応性基を有する化合物を含有する熱硬化性組成物において、ブロック剤解離触媒として、下記式（１）


で示されるプロアザホスファトランを含有する触媒を用いる。 （もっと読む）

【課題】エポキシ及び二酸化炭素を用いてポリカーボネートを製造する際に用いられる新規な配位錯物触媒を合成するための化合物を提供。
【解決手段】次式で示される化合物を提供。


（式中、Ａは酸素であり；Ｑはトランス−１，２−シクロヘキシレン、エチレン、または置換されたエチレンである）。オニウム塩及びルイス酸の中心金属を含有する上記錯化合物は高分子量のポリカーボネートを生成するためのエポキシド及び二酸化炭素の共重合化に対して高温で高い触媒活性を有する。 （もっと読む）

【課題】新規多核錯体およびそれを用いる担持触媒の製造方法を提供する。
【解決手段】複数個の貴金属原子を有するアセタト貴金属錯体の少なくとも１つの酢酸配位子がグルコン酸配位子で置き換えられている多核錯体、前記の多核錯体を含有する水溶液を触媒担体に含浸させた後、乾燥および焼成することを特徴とする排ガス浄化用担持触媒の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エポキシド及び二酸化炭素の共重合化による高分子量のポリカーボネートを生成するための触媒の提供。
【解決手段】オニウム塩及びルイス酸の中心金属を含有する次式で示す錯化合物。


ＭはＣｏまたはＣｒであり、Ｘ´はそれぞれ独立にハロゲン；ニトロで非置換または置換されたＣ６乃至Ｃ２０のアリールオキシ；またはハロゲンで非置換または置換されたＣ１乃至Ｃ２０のカルボキシであり、Ａは酸素であり、Ｑはトランス−１，２−シクロヘキシレン、エチレン、または置換されたエチレンである。 （もっと読む）

【課題】分子量とコモノマー含量が共に高い、α−オレフィン・極性基含有モノマー共重合体の製造を可能とする、触媒活性の高いα−オレフィン系重合触媒の提供。
【解決手段】一つのアリール基のオルト位の置換基が−ＳＯ_３Ｈ又は−ＣＯ_２Ｈであり、その他の置換基は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜２０の炭化水素基、アルコキシ基で置換された炭素数２〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、又は炭素数１〜２０の炭化水素基で置換されたシリル基からなる群より選ばれた置換基を示す、トリアリールホスフィン又はトリアリールアルシン化合物。 （もっと読む）

【課題】触媒活性の高いα−オレフィン系重合触媒のリガンドとなるトリアリールホスフィン又はトリアリールアルシン化合物の提供。
【解決手段】下式で表される化合物（式中、Ｙは、リン又は砒素）。
（もっと読む）

【課題】エチレンより１−ヘキセンを製造する場合に、副生ポリマー量を低減する製造方法を提供する。
【解決手段】下記工程を有する１−ヘキセンの製造方法。工程１：式（１−３）に代表される遷移金属錯体と有機アルミニウム化合物とを接触させる触媒成分の調製工程工程２：更に、ホウ素化合物とを接触させて得られる触媒の存在下、エチレンを三量化させる工程


Ｒ^１〜Ｒ^４はメチル基、Ｒ^５〜Ｒ^２１は水素又はメチル基、Ｘ^１〜Ｘ^３は塩素又はメチル基、Ｊはケイ素、Ｍはチタン （もっと読む）

【課題】エチレンの三量化反応により１−ヘキセンを効率的に、選択性よく製造することが可能な触媒となる遷移金属イオン錯体を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１−１）等で例示される遷移金属イオン錯体。一般式（１−１）


[式中、Ｍは元素周期律表の第４族の遷移金属原子を表し、Ａは対アニオンを表し、Ｒ^１−Ｒ^１０はＨ等、Ｘ^１，Ｘ^２はハロゲン等を表す] （もっと読む）