【課題】 ＣＶＤ法により金属薄膜を製造する方法に有利に用いることのできる新規なβ−ジケトナト金属錯体を提供する。
【解決手段】 下記式で表わされる金属錯体：
【化１】


［上記式において、
Ｘは、特定構造のシリルエーテル基を表し、
Ｙは、上記のシリルエーテル基或はアルキル基を表し、
Ｚは、水素原子或はアルキル基を表し、
Ｍは、Ｌｕ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｉｔ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｆｅ、またはＡｇを表し、
ｎは、金属原子Ｍの価数を表す。
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【課題】 高性能な電子デバイスが得られる技術を提供することである。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなエルビウムを添加した電子デバイスを提供することである。
【解決手段】 Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける。 （もっと読む）

【課題】有機金属前駆体と、シリコン、金属窒化物及び他の金属層などの基材上にコンフォーマルな金属含有膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】当該有機金属前駆体は、次の式


（Ｍはコバルト、鉄、ニッケル、マンガン、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、白金、イリジウム、レニウム、オスミウム、Ｒ^1-5は水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリール）により表されるＮ，Ｎ’−アルキル−１，１−アルキルシリルアミノ金属錯体である。 （もっと読む）

【課題】優れた難燃性を有し、かつ良好なアルカリ水溶液への溶解性、現像性及び耐薬品性を有する感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いたドライフィルムレジスト、及び該ドライフィルムレジストを用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】（Ａ）水素原子又はメチル基と、少なくとも１個以上の（メタ）アクリロイル基又はグリシジル基を有する１価の有機基を有する環状リン酸エステル、（Ｂ）環状ホスファゼン化合物、（Ｃ）有機溶媒に可溶なポリイミド及び／又は有機溶媒に可溶なポリアミド酸、及び（Ｄ）光反応開始剤、を必須成分とする感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 テトラフルオロホウ酸アニオン又はヘキサフルオロリン酸アニオンを構成成分とするイオン液体に比べて粘度が低く、かつ、加水分解を起こしにくいイオン液体を提供する。
【解決手段】 式（１）又は（４）で示され、融点が５０℃以下のイオン液体。
【化１】


〔Ｒ¹〜Ｒ⁴はもしくは異種の炭素数１〜５のアルキル基又はＲ′−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−で表されるアルコキシアルキル基（Ｒ′はメチル又はエチル基を示し、ｎは１〜４の整数である。）を示し、Ｒ¹〜Ｒ⁴のいずれか２個の基がＸと共に環を形成していてもよい。ただし、Ｒ¹〜Ｒ⁴の少なくとも１つはアルコキシアルキル基である。Ｘは窒素原子又はリン原子を、Ｒ_Fは炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示し、ａは１〜４の整数、ｂは１〜６の整数である（ａ，ｂが２以上の場合、Ｒ_Fは互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ_Fが相互に結合してホウ素原子又はリン原子と共に環を形成していてもよい。）。〕 （もっと読む）

【課題】導電性ペースト材料として好適な新規物質であり、金属含有量の多い塩基性有機酸金属塩及びその塩基性有機酸金属塩の製造方法を提供する。
【解決手段】含水有機金属塩を親水性有機溶媒と混合して、室温またはそれ以上の温度で自発的に加水分解させ、その溶媒に難溶な塩基性有機酸金属塩を沈殿物として生成させて製造する。塩基性有機酸金属塩は金属元素Ｍ（形式酸化数＋ｍ）と有機酸Ａ（イオン価数−ｐ）を含み、組成式がＡｘＭｙ（ＯＨ）ｚ・ｎＨ_２Ｏ（ｘ≧１、ｚ≧１、ｍ×ｙ＝ｐ×ｘ＋ｚ、ｎは０以上の整数または半整数）である。 （もっと読む）

タンタル含有材料、たとえば、タンタル、ＴａＮ、ＴａＳｉＮなどの基板上への化学蒸着に好適なタンタル前駆体を開示する。該タンタル前駆体は置換シクロペンタジエニルタンタル化合物である。本発明の一態様では、かかる化合物はタンタル／シリコン源試薬を構成するためにシリル化される。本発明の前駆体は、半導体デバイス構造の銅メタライゼーションに関連して拡散バリアを形成するために半導体製造用途で有利に使用される。
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【課題】窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜をＡＬＤ法で成膜するための原料としてＮｂ（ＮｔＢｕ）（ＮＥｔ_２）_３より１オーダー高い蒸気圧を有する安定な化合物を提供する。さらにその製法と、それを用いて窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】
新規化合物ターシャリーアミルイミドトリス（ジメチルアミド）ニオブＮｂ（ＮｔＡｍ）（ＮＭｅ_２）_３は、１Ｔｏｒｒ／１００℃の蒸気圧を持ち、その融点は４７℃である。それは、ＮｂＣｌ_５１モルとＬｉＮＭｅ_２４モルとＬｉＮＨｔＡｍ１モルとを有機溶媒中、室温付近で反応させ、濾過分離、溶媒留去後、真空蒸留して得られる。この化合物を原料として用いることにより、ＡＬＤ法にて良質の窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜が形成できる。 （もっと読む）

【課題】有機金属化学蒸着法により高い平坦性で膜を形成することができる有機ニッケル化合物の提供。
【解決手段】本発明の有機ニッケル化合物は、Ｎｉ（Ｒ¹Ｒ²Ｎ）₂で表される有機ニッケル化合物である。但し、式中のＲ¹及びＲ²は水素又は炭素数が１〜４の直鎖若しくは分岐状アルキル基をそれぞれ示し、Ｒ¹とＲ²は互いに同一又は異なっていてもよい。また、本発明のニッケル含有膜の製造方法は、上記有機ニッケル化合物を用いてＭＯＣＶＤ法によりニッケル含有膜を作製することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９またはＳｒＢｉ_２（Ｔａ，Ｎｂ）_２Ｏ_９の強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法で製造するための原料として、不純物濃度Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎの各々≦５０ｐｐｂ、Ｂａ≦５００ｐｐｂと高純度であるＳｒ［Ｍ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）］_２（Ｍ＝Ｎｂ，Ｔａ）の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｒとエタノールを反応させて得たＳｒ（ＯＣ_２Ｈ_５）_２をエタノール中で再結晶し、次いで、回収したＳｒ（ＯＣ_２Ｈ_５）_２と過剰のメトキシエタノールを反応させ、Ｓｒ（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）_２に変換し、次いでこのＳｒ（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）_２１モルとＭ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５２モルと反応させ、Ｓｒ［Ｍ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）］_２を合成し、次いでこのＳｒＭダブルアルコキシドを精密蒸留する。 （もっと読む）

非対称性二置換メタロセン化合物は、一般式、ＣｐＭＣｐ′〔式中、Ｍは、Ｒｕ、Ｏｓ、及びＦｅからなる群から選択された金属であり；Ｃｐは、少なくとも一つの置換基Ｄ_１を含む第一置換シクロペンタジエニル又はインデニル部分であり；Ｃｐ′は、少なくとも一つの置換基Ｄ_１′を含む第二置換シクロペンタジエニル又はインデニル部分である〕を有する。Ｄ_１は、Ｄ_１′とは異なる。Ｄ_１は、Ｘ；Ｃ_ａ１Ｈ_ｂ１Ｘ_ｃ１；Ｃ_ａ２Ｈ_ｂ２Ｘ_ｃ２（Ｃ＝Ｏ）Ｃ_ａ１Ｈ_ｂ１Ｘ_ｃ１；又はＣ_ａ２Ｈ_ｂ２Ｘ_ｃ２ＯＣ_ａ１Ｈ_ｂ１Ｘ_ｃ１〔式中、Ｘは、ハロゲン原子又はニトロ基であり；ａ１は、２〜８の整数であり；ｂ１は、０〜２（ａ１）＋１−ｃ１の整数であり；ｃ１は、０〜２（ａ１）＋１−ｂ１の整数であり；ｂ１＋ｃ１は、少なくとも１であり；ａ２は、０〜８の整数であり；ｂ２は、０〜２（ａ２）＋１−ｃ２の整数であり；そしてｃ２は、０〜２（ａ２）＋１−ｂ２の整数である。〕であり；そしてＤ_１′は、Ｘ；Ｃ_ａ１Ｈ_ｂ１Ｘ_ｃ１；Ｃ_ａ２Ｈ_ｂ２Ｘ_ｃ２（Ｃ＝Ｏ）Ｃ_ａ１Ｈ_ｂ１Ｘ_ｃ１；又はＣ_ａ２Ｈ_ｂ２Ｘ_ｃ２ＯＣ_ａ１Ｈ_ｂ１Ｘ_ｃ１〔式中、Ｘは、ハロゲン原子又はニトロ基であり；ａ１は、１〜８の整数であり；ｂ１は、０〜２（ａ１）＋１−ｃ１の整数であり；ｃ１は、０〜２（ａ１）＋１−ｂ１の整数であり；ｂ１＋ｃ１は、少なくとも１であり；ａ２は、０〜８の整数であり；ｂ２は、０〜２（ａ２）＋１−ｃ２の整数であり；そしてｃ２は、０〜２（ａ２）＋１−ｂ２の整数である。〕である。それら化合物は、フイルム蒸着法で前駆物質として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】合成、そして薄膜等への成形が容易で、高い機能を有し、発光材料や触媒材料、電子材料等に有用な、新しいデンドリマー物質を提供する。
【解決手段】電子供与性の結合または原子を含むデンドリマーもしくはデンドロンに、有機化合物および有機金属化合物の１種以上のカチオンもしくはカチオンラジカルが内包あるいは複合化されている有機・有機金属化合物内包デンドリマーとする。 （もっと読む）

本発明は、式ｉ−ＰｒＮ＝Ｔａ（ＮＲ_１Ｒ_２）_３［式中、Ｒ_１及びＲ_２は、同じか又は異なり、１〜３個の炭素原子を有するアルキルであり、但し、（ｉ）Ｒ_１がエチルの場合、Ｒ_２はエチル以外であり、（ｉｉ）Ｒ_２がエチルの場合、Ｒ_１はエチル以外である］により表される有機金属前駆体化合物、並びに前記有機金属前駆体化合物から被膜、コーティング又は粉末を製造する方法に関する。 （もっと読む）

式：
Ｌ_nＣｕ（ＨＣＯＯ）・ｘＨＣＯＯＨ
［但し、ｘが、０〜１０の範囲にあり、
ｎが、１、２、３又は４を表し、そして
ｎ個のリガンドＬが、相互に独立して、それぞれ下記のリガンド：
式：Ｒ¹Ｒ²Ｒ³Ｐで表されるホスファン；
式：（Ｒ¹Ｏ）（Ｒ²Ｏ）（Ｒ³Ｏ）Ｐで表されるホスフィット；
式：Ｒ¹−ＮＣで表されるイソシアニド；
式：Ｒ¹Ｒ²Ｃ＝ＣＲ³Ｒ⁴で表されるアルケン；又は
式：Ｒ¹Ｃ≡ＣＲ²で表されるアルキン；
｛但し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴が、相互に独立して、水素、直鎖又は分岐の、所望により部分的に又は完全にフッ素化されたアルキル、アミノアルキル、アルコキシアルキル、ヒドロキシアルキル、ホスフィノアルキル又はアリール基を表し、各基の炭素原子数が１〜２０である。｝の１種を表す。］で表される銅（Ｉ）ホルマート錯体で、且つこの銅（Ｉ）ホルマート錯体から、トリフェニルホスフィン銅（Ｉ）ホルマート及び１，１，１−トリス（ジフェニルホスフィノメチル）エタン銅（Ｉ）ホルマートを除いた銅（Ｉ）ホルマート錯体；を分解して、金属銅を析出させる。 （もっと読む）

化学蒸着及び原子層堆積などの方法により、窒化タンタル又は酸化タンタル材料を基板上に堆積させるのに有用なタンタル前駆体。前駆体は、銅金属化及び／又は強誘電性薄膜を特徴とするマイクロエレクトロニクス素子構造上にタンタルベースの拡散バリヤ層を形成するのに有用である。

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本発明は、新しいタイプの金属錯体に関する。前記化合物は、最も広い意味におけるエレクトロニクス産業内で分類することができる一連の異なるタイプの応用における活性成分(=機能性材料)として使用され得る。
本発明の化合物は、構造式1および式1〜60によって記載されている。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法に適する液体イリジウム化合物、これを用いたＣＶＤ用原料、及び該ＣＶＤ用原料を用いたイリジウム薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 トリス（オクタン−２，４−ジオナト）イリジウム。 （もっと読む）

【課題】 単一電子素子等の電子デバイスの作製に好適な、低コストで、プロセスが簡単で、膜厚制御が容易で、再現性に優れ、電極上あるいは電極間に選択的に薄膜を形成することが可能なクラスター薄膜及びその作製法を提供するとともに、該作製法に必要な化合物及びその合成法をも提供すること。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表わされるビフェロセンのアルカンチオール誘導体、及び下記一般式（II）で表わされるテルフェロセンのアルカンチオール誘導体。
【化１】


【化２】
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