【課題】基板温度の低温下を達成しつつ、成膜速度が向上された金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料を提供する。
【解決手段】アミジナート配位子を有する金属薄膜原料９と、窒素原子および水素原子を有する反応ガス２３と、を用いて、前記金属薄膜原料と前記反応ガスを交互または同時に基板６表面に供給することにより、低不純物の金属薄膜を成膜する金属薄膜の成膜方法を提供する。また、窒素原子および水素原子を有する反応ガスとともに用いられることで金属薄膜を成膜する金属薄膜成膜用原料であって、アミジナート配位子を有する金属薄膜成膜用原料。 （もっと読む）

【課題】ビスフランアルコール誘導体、アミノホスホン酸誘導体への改良された方法、およびヒト自己免疫不全症候群（ＡＩＤＳ）の治療に有用なカルバメートスルホンアミドアミノエチルホスホン酸ジエステルの調製方法の提供。
【解決手段】ランタニドまたは遷移金属触媒の存在下でグリコアルデヒドまたはグリコアルデヒド二量体と２，３−ジヒドロフランを反応させてビスフランアルコールとし、これを用いて式Ｉ


で表される化合物を合成する。 （もっと読む）

【課題】特殊な環境が不要で短時間且つ低コストでニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができるニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法、ニッケル酸ランタン膜の製造方法、及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子３００（アクチュエーター）は、絶縁体膜５５上に、第１電極６０と、第１電極６０の上方に設けられて厚さが３μｍ以下、好ましくは０．３〜１．５μｍの薄膜である圧電体層７０と、圧電体層７０の上方に設けられた第２電極８０とが、積層形成される。圧電膜７０であるニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、ランタンアセチルアセトナート、ニッケルアセチルアセトナート、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得た後、混合溶液を加熱する。 （もっと読む）

【課題】１−アシルナフタレン−２−イルボロン酸化合物を製造するための中間体であるナフタレン金属化合物、当該ナフタレン金属化合物を有してなる有機金属試薬、及び当該ナフタレン金属化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（３）で表されるナフタレンエノールシリルエーテル化合物と、有機リチウム化合物とを反応させることで、一般式（４）で表されるナフタレン金属化合物を効率よく、且つ高選択的に製造することができる。


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して水素原子又は炭素数１〜１７の直鎖アルキル基であり、且つＲ^１とＲ^２の炭素数の合計は０〜１７の整数である。また、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立してナフタレン環に結合して環を形成してもよいし、Ｒ^１とＲ^２が直接結合して環を形成してもよい。Ｒ^５はＬｉ、ＭｇＸ又はＺｎＸを表し、Ｘはハロゲン原子を表す。） （もっと読む）

【課題】医薬あるいは農薬の合成、例えば殺菌剤、殺虫剤あるいは除草剤の合成における有用な構築用ブロックである、置換ピリジンの調整方法の提供。
【解決手段】α，β−不飽和カルボニル化合物とウイティッヒ反応試剤またはホルナー・ワズワース・エモンズ反応試剤とを塩基の存在下で反応させ、引き続いて酸性触媒、ゼオライト触媒あるいは塩基性触媒での環化を行うか、アンモニアの存在下で引き続いて塩基性環化を行うことを含んでなる、下式化合物を含む置換ピリジン誘導体の調製方法。


(式中：Ｒ6＝メチル） （もっと読む）

【課題】トロンビン受容体アンタゴニストとして有用なヒンバシン類似体の合成中間体として有用であるホスホン酸エステルの新規調製方法の提供。
【解決手段】下記スキーム


［式中、Ｒ^９は、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基、アリール基等を示し、Ｒ^１１は、独立して、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基、アリール基等を示し、Ｘ^２は、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩであり、Ｘ^３は、ＣｌおよびＢｒから選択され、ＰｄＬ_ｎは、パラジウム金属担持触媒等である。Ｌ−誘導体化試薬は、特定のアルコール官能基を、任意の脱離基に変換する部分である。］によって調製される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、リン含有化合物を単一構造のリン酸エステル（すなわち単一化合物）に分解する方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、リン含有化合物を超臨界または亜臨界の状態にあるメタノールで分解する、リン含有化合物の分解方法に係わる。 （もっと読む）

【課題】光学活性４，４−二置換オキサゾリジン誘導体製造のための中間体を提供。
【解決手段】式（ＩＶ’’）を有する化合物から、式（ＩＶ’）を有する化合物を製造する方法。


［上記式中、Ｒ^５は、Ｃ_１−Ｃ_６アルキル基等示し、Ｘは、窒素原子等示し、Ｙは、水素原子等を示す。］ （もっと読む）

【課題】医薬品の合成中間体等として有用である３−アミノキヌクリジン化合物の製造方法、およびその製造方法に用いられるイミノホスホラン化合物を提供する。
【解決手段】式（１）で表されるイミノホスホラン化合物。


該イミノホスホラン化合物を加水分解させることを含む式（４）で表される３−アミノキヌクリジン化合物の製造方法。


（式（１）または（４）中、Ｒ¹はＣ１〜６アルキル基、アリール基、ヘテロ環基などを示す。ｎはＲ¹の数を示し且つ０〜１２のいずれかの整数である。Ｒ²はＣ１〜６アルキル基、アリール基、Ｃ１〜６アルコキシ基、アリールオキシ基などを示す。） （もっと読む）

【課題】実質的に分子の末端部分のみに変性が加えられたイソプレンオリゴマー、ポリイソプレン、及びそれを用いた空気入りタイヤを提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるトランス構造部、シス構造部からなるイソプレンオリゴマーもしくはポリマーであって、トランス構造部中に含まれる原子又は原子団の少なくとも１つが他の原子又は原子団により置換されている。


（式（１）中、ｎは１〜１０の整数を表す。ｍは、オリゴマーの場合１〜３０の整数、ポリマーの場合は３０〜４００００を表す。Ｙは、水酸基、ホルミル基、カルボキシ基、エステル基、カルボニル基又はピロリン酸残基で表される基を表す。） （もっと読む）

【課題】低融点を有し、且つ、熱安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した金属錯体、及び当該金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｘは、一般式（２）


で示されるジアルキルアルコキシメチル基（式中、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）で示されるβ−ジケトナト配位子を有する金属錯体。 （もっと読む）

【課題】光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体の工業的に有利な製造方法を提供すること。
【解決手段】ホスフィン−ボラン化合物（１）を脱ボラン化した後、リチオ化し、次いで、その反応生成物を、Ｒ^aＰＸ’₂で表されるアルキルジハロゲノホスフィンと反応させた後、Ｒ^bＭｇＸ”で表されるグリニャール試薬と反応させて、光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体（Ａ）を得る。Ｒ¹及びＲ²は炭素数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ¹とＲ²とでは炭素数が異なる。Ｒ^aはＲ¹及びＲ²の一方であり、Ｒ^bはもう一方である。Ｘ、Ｘ’及びＸ”はハロゲン原子を示す。
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【課題】高分子化合物の末端封止剤として有用な環状カルボジイミド化合物の中間体。
【解決手段】下記式（Ｓ）で表される化合物。


式中Ｘは、４価のペンタエリトリチル基であり、Ａｒ^１〜Ａｒ^４は各々独立に芳香族基であり、これらは炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基で置換されていてもよい。αは、−ＮＯ_２、−ＮＨ_２、−Ｎ＝ＰＡｒ^ａ_３（Ａｒ^ａはフェニル基である）、−Ｎ＝Ｃ＝０、または二つのαが結合して、ウレア体もしくはチオウレア体を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】環状カルボジイミド化合物の中間体の提供。
【解決手段】下式sで表される化合物。


式中Ｘは、アルキレン基、フェニレン基、式（ｉ−３）で表される２価の基である。
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【課題】紫外線（ＵＶ）により容易に硬化し、パターニングが可能であり、塗膜とした時に塗膜の均一性に優れ、アルゴンガスなどのエッチングガスを用いたエッチングに高い耐性を有する硬化物となる有機金属錯体化合物、該有機金属錯体化合物の製造方法および該有機金属錯体化合物を含む光硬化性組成物を提供すること。
【解決手段】光重合性の炭素-炭素不飽和結合を有する有機基を有するβ-ジケトン化合物と、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタルおよびタングステンからなる群より選択されるいずれか１つの遷移金属の原子を有する遷移金属アルコキシド化合物とを、上記遷移金属の原子に対する上記β−ジケトン化合物のβ-ジケトン構造の当量比が２以上となる割合で反応させて得られる有機金属錯体化合物。 （もっと読む）

【課題】カルバペネム(carbapenem)中間体を用いてカルバペネム抗生物質を改善するプロセス、及びそのプロセスにおいてカルバペネムを回収する方法の提供。
【解決手段】本発明は、カルバペネム中間体を作り出して、エルタペネム(Ertapenem)、メロペネム(Meropenem)、及びドリペネム(Doripenem)を効果的に生成し、効率的な方法によって結晶母液中から産物を回収する方法である。
【化１】
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【課題】光学活性２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法。
【解決手段】工程Ｉ、II及びIIIにより、式（Ａ）の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を製造する。式中、Ｒ¹及びＲ²は、リン原子上に不斉を発現させるか又はリン原子が不斉面の一点をなす一対の基であり、水素原子、炭化水素基又は置換炭化水素基を示し、Ｒ³は不斉炭化水素基又は置換不斉炭化水素基を示し、Ｒ⁴及びＲ⁵は、水素原子又はアルキル基を示し、互いに結合し飽和又は不飽和環を形成してもよい。
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【課題】Ｎ−アシル−（２Ｓ）−オキシカルボニル−（５Ｒ）−ホスホニルピロリジン誘導体を優先的に製造する新規な方法を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）


（但し、Ｒ^１は、炭素数１〜５のアルキル基、Ｒ^３は、炭素数１〜５のアルキル基、又はフェニル基、Ｒ^４は、メチル基、又はエチル基である。）で示されるＮ−アシル−α−アルコキシ−Ｌ−プロリン誘導体と下記式（ＩＩ）


で示される亜リン酸エステル誘導体を、ルイス酸存在下で反応させることを特徴とする、Ｎ−アシル−（２Ｓ）−オキシカルボニル−（５Ｒ）−ホスホニルピロリジン誘導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】縮環化合物の新規製造方法、及び新規化合物を提供する。
【解決手段】一般式（４）で示す化合物を製造する方法であって、ハロゲン分子（Ｙ_２）を反応させる工程を含む方法。


（一般式（４）中における、Ａ１及びＡ２は互いに独立に芳香環を表し、Ｘは、周期表における１４族元素、１５族元素及び１６族元素からなる群より選択される何れか一種に対応する原子を表し、Ｍは金属原子、半金属原子、炭素原子、リン原子、硫黄原子及セレン原子からなる群より選択される。） （もっと読む）

【課題】Ｔｅ含有ナノクリスタライトの前駆体であるテルル含有リン化合物とその製法、およびＴｅ含有ナノクリスタライトの製法を提供する。
【解決手段】Ｔｅ含有ナノクリスタライトの前駆体である、下式で表される化合物は、ホスフィン、又はアルキルホスホラストリアミドとテルルの接触により製造される。


ただし、Ｚ、Ｚ’、Ｚ’’の一つは独立的にアミド基、アルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基またはシクロアルケニル基であり、Ｚ、Ｚ’、Ｚ’’の少なくとも一つはアミド基である。また温配位Ｔｅ含有ナノクリスタライトは、前駆体を溶解の後成長およびアニールを制御することによって製造される。 （もっと読む）