【課題】多座配位子に付随した半導体ナノクリスタルの提供。該多座配位子は、該ナノクリスタルを安定化する。
【解決手段】下記構造他の半導体ナノクリスタル；及び３以上の供与基により該ナノクリスタルに結合した多座配位子を有する外層を含む、半導体ナノクリスタルであって、各供与基が、Ｐ、Ｎ、Ｐ＝Ｏ及びＮ＝Ｏからなる群から、それぞれ独立して選択された、前記ナノクリスタル。
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本開示は、増大された安定性を含む有機骨格を提供する。 （もっと読む）

【課題】優れたガス分離性能を有するガス分離材を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）；


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基もしくはハロゲン原子を示すか、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４が一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基、オキシアルキレン基もしくはアルケニレン基を示す。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも１種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】生体蓄積性が低いといわれる炭素数6以下のパーフルオロアルキル基を有する化合物であって、離型剤の合成原料あるいは潤滑油用の添加剤等として有効に使用し得るポリフルオロアルキルホスホン酸エステルおよびその製造法を提供する。
【解決手段】一般式 C_nF_2n+1(CH₂CF₂)_a(CF₂CF₂)_b(CH₂CH₂)_cP(O)(OR)₂ (Rは炭素数1〜4のアルキル基、nは1〜6、aは1〜4、bは1〜3、cは1〜3)で表わされるポリフルオロアルキルホスホン酸エステルが、一般式 C_nF_2n+1(CH₂CF₂)_a(CF₂CF₂)_b(CH₂CH₂)_cI で表わされるポリフルオロアルキルアイオダイドに、一般式 P(OR)₃ で表わされるトリアルキルホスファイトを反応させる方法、または一般式 C_nF_2n+1(CH₂CF₂)_a(CF₂CF₂)_bCH=CH₂ で表わされるポリフルオロ-1-アルケンに、一般式 (RO)₂P(O)H で表わされるジアルキルホスファイトを反応させる方法によって製造される。 （もっと読む）

【課題】優れたガス分離性能を有する金属錯体を提供する。
【解決手段】イソフタル酸誘導体、２，７−ナフタレンジカルボン酸誘導体、４，４’−ベンゾフェニンジカルボン酸誘導体など、構造式内でカルボキシル基が互いに１２０°の位置にあるジカルボン酸化合物と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも１種の金属と、該金属に二座配位可能な４，４’−ビピリジルなどの有機配位子とからなる金属錯体。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法でシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うこと。
【解決手段】基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料（４）と、前記試料（４）を支持して移動させる試料移動装置（２ｂ）と、前記試料（４）に対して、パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザ光を、予め設定された閾値以上のエネルギー強度で照射するレーザー光源（２ｃ）と、前記試料移動装置（２ｂ）を制御して、前記試料（４）の被加工位置（６）を、前記フェムト秒レーザー光照射位置（６）に移動させる加工位置制御手段（Ｃ２）、を有する制御装置（３）と、を備えたシアノ架橋金属錯体の微細加工装置（１）。 （もっと読む）

【課題】外部刺激により特性変化を生じ、同一組成ながら異なる性質を有する別化合物へと変化する特性変化型スイッチング材料を提供する。また、磁性材料や吸着材料として優れた特性を発揮するスイッチング方法を提供する。
【解決手段】[ＸＹ₂Ｌ₂]_n(但し、式中Ｘはコバルト、ニッケル、及び銅からなる群から選ばれたいずれかの２価陽イオンであり、Ｙはふっ素原子を３個以上含有する対イオンであり、Ｌは1,4-ビス(4-ピリジル)ベンゼンを示す)の構造単位を少なくとも含有する高分子金属錯体からなり、スイッチング材を用いてゲート型特性とＩ型特性との切り替えが可能な特性変化型スイッチング材料である。 （もっと読む）

本発明は、イソニトリル配位子を含んだ金属錯体を備えた電子デバイス、特には有機エレクトロルミネッセントデバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】難燃性と衝撃強度とを向上させることができ、さらに樹脂の加工や燃焼時に環境汚染をもたらすハロゲン化水素ガスを排出しない,環境に優しい難燃及び衝撃改質剤を提供する。
【解決手段】下式１で表される難燃及び衝撃改質剤。及びオキシ塩化リンと２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとを反応させて２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジクロロホスフェートを製造し；次いで前記２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジクロロホスフェートにフェノールを反応させる；段階を含んでなる下式１で表される難燃及び衝撃改質剤の製造方法。
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【課題】純度及び表面積の高い多孔性金属錯体を効率良く安価に得ることが可能な多孔性金属錯体の製造方法を提供する。
【解決手段】中心金属と、中心金属に配位し、カルボキシレート基を有する有機配位子とを備える金属錯体の三次元的多孔性骨格構造を含む多孔性金属錯体の製造方法であって、中心金属の塩を芳香族カルボン酸金属塩として調製し、芳香族カルボン酸金属塩及び有機配位子を反応させる。 （もっと読む）

本発明は、有機金属骨格（ＭＯＦ）から構成されている、還元可能な多孔質の結晶の固体に関する。当該固体は、異なる不飽和度および／または不飽和数を有している複数の分子の混合物を、ＭＯＦの還元を制御することによって調節され得る選択性を用いて分離するための固体である。本発明のＭＯＦ固体は、還元後に、少なくとも１つの不飽和を含んでいる分子に対する高い親和性を示す。それらは、種々の分離過程、特に炭化水素の分離過程に使用され得る。
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【課題】導電性ワイヤー部として機能する連結分子を別途導入する必要がなく、金属錯体ユニットのみをビルディングブロックとして金属錯体集積構造物を構築することができると共に、分子量を小さくすることができる配位子、該配位子を含む金属錯体化合物及びその製造方法、並びに分子デバイスの製造方法の提供。
【解決手段】本発明の配位子は、ベンゾイミダゾール骨格を有し、該ベンゾイミダゾール骨格の５位及び６位に、金属と配位結合可能であって、窒素原子を有する官能基を有してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リポソームの寿命を延ばし、同時に正確に示し得る組成を有する化合物を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）で示され、式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、ｎ、ｘ、ｍが明細書に記載のものである化合物により解決される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、銅含有膜の製造に当たり、基板上にルテニウム含有膜を化学気相蒸着法（以下、ＣＶＤ法と称する）した後、当該膜状に連続的な銅含有薄膜を製造する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に有機ルテニウム錯体を用いてルテニウム含有薄膜を製造後に大気中に暴露し、次いで、ルテニウム含有薄膜を不活性ガスと接触させた後に、当該膜上に有機銅錯体を用いて銅含有薄膜を製造することを特徴とする銅含有膜の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】二座有機配位子（Ｌ）と遷移金属（Ｍ）とにより中空格子構造に形成された中空遷移金属錯体において、内部に油相を有す中空遷移金属錯体を提供する。
【解決手段】中空格子構造の内面に炭化水素化合物の置換基を含む親油性（疎水性）官能基の複数が配向され、外面に親水性官能基の複数が配向されて両親媒性分子を形成する構造とする。この中空遷移金属錯体は、内面が親油性であり、外面が親水性であることから、水相に分散させることによってナノスケール規模で水相−油相分離をすることが可能である （もっと読む）

【課題】可逆的な架橋により複数の分子が集合して形成され、かつ、溶解性に十分に優れる分子集合体を提供すること。
【解決手段】内部に空孔が形成されているホスト金属錯体１と、空孔内で金属錯体１に包接されている置換基５及び置換基５に結合し金属錯体１の外部まで延びている分子量８００以上の分子鎖７を有する化合物１５と、を備え、１つの金属錯体１の空孔に２以上の置換基５が包接されている、分子集合体３０。 （もっと読む）

【課題】薄膜の化学蒸着または原子層堆積に有用な有機金属化合物の提供。
【解決手段】少なくとも１つのホルムアミジナートリガンドを含有するヘテロレプティック有機金属化合物が提供される。これらのヘテロレプティック有機金属化合物は、従来の蒸着前駆体よりも改善された性質を有する。かかる化合物は、直接液体注入をはじめとする蒸着前駆体としての使用に好適である。例えばＡＬＤおよびＣＶＤ等により、かかる化合物またはそれらの有機溶媒中溶液を用いて、薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】可逆的な架橋により複数の分子が集合して形成される分子集合体を提供すること。
【解決手段】内部に空孔が形成されているホスト金属錯体１と、空孔内で金属錯体１に包接されている置換基５及び置換基５に結合し金属錯体１の外部まで延びている分子鎖７を有する化合物１５と、を備え、１つの金属錯体１の空孔に２以上の置換基５が包接されている、分子集合体３０。 （もっと読む）

原子層成長によるチタン含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含み、少なくとも一種の前駆体は構造が式Ｉ（式中、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシ又はアミノであり、かつアミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は、少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシである）に対応する。さらに液体注入原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、Ｌはアミノであり、アミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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