【課題】半導体製造用成膜原料、触媒配位子として有用なトリアルキルホスフィンの工業的で高収率な製造法を提供する。
【解決手段】一般式Ｒ−Ｍで表される有機金属化合物と一般式Ｐ−（ＯＲ’）_３で表される有機リン化合物とを、生成するトリアルキルホスフィンとの沸点差が２０℃の範囲内にあるエーテル溶媒中で反応させ、生成したトリアルキルホスフィンを含有する気相部をＡｇＩとＫＩの水溶液に吸収させて生成する一般式Ｒ_３ＰＡｇＩで表される銀錯体をろ過により得、得られた該錯体を含有した水溶液を、金属製反応器にて、１．３３３×１０^−７ＭＰａ〜６．１３３×１０^−２ＭＰａの減圧下で、１７０℃〜３５０℃の温度範囲内に加熱し、発生したガスを−１９６℃〜−５０℃の範囲内の極低温で冷却して捕捉するトリアルキルホスフィンの製造方法。［上記式中、Ｒはアルキル基等を表し、Ｍはハロゲン化マグネシウム等を表し、Ｒ’はアルキル基等を表す。］ （もっと読む）

【課題】 ストレスに起因する不調の治療薬用に、ホスファチドまたはホスファチド塩、ホスファチジン酸とホスファチジルセリンとを含むホスファチドの複合体を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、（ａ）基質としての原材料のレシチンと、粒子サイズが０．０１ｍｍ以上の非水溶性の界面活性剤マトリックス材料とを用いるステップと、（ｂ）前記の非水溶性の界面活性剤−マトリックス材料と原材料のレシチンとの混合物と、ホスホリパーゼＤ、ラセミ酸または異性体的に純粋なアミノ酸、またはアミンと塩とを、ｐＨ−バッファ水溶液内で、酵素処理するステップとを有する。 （もっと読む）

本発明はアンモニウム塩を含むリガンド(配位子)から製造されて金属中心が陰の２価以上の形式電荷を取ることができる平衡構造式をもつことが可能な錯化合物、及びこれを触媒として使用してエポキシ化合物と二酸化炭素を共重合してポリカーボネートを製造する方法に関する。本発明によれば、前記触媒を用いたエポキシ化合物と二酸化炭素の共重合において、高活性と高選択を見せてくれて高分子量のポリカーボネートを提供することができて商業工程の適用が容易である。また、前記錯化合物を触媒として使用して、エポキシドと二酸化炭素を共重合してポリカーボネートを製造した後共重合体から触媒を分離回収することができる。 （もっと読む）

【課題】 高い光電変換効率と耐久性を有する光電変換素子、光化学電池を実現できる金属錯体色素として特に有用な二核金属錯体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 リチウムを含む塩基の存在下で式：（Ｌ^１）_２Ｍ^１Ｃｌ_２で示される単核金属錯体と式：（ＢＬ）Ｍ^２（Ｌ^２）_２で示される単核金属錯体を反応させ、一般式：（Ｌ^１）_２Ｍ^１（ＢＬ）Ｍ^２（Ｌ^２）_２（Ｘ）_ｎで示される非対称な二核金属錯体を製造する。 （もっと読む）

【課題】目的に応じた改変がなされた改変アポフェリチンを用いて目的物（Ｐｄを含む金属粒子またはＲｈ錯体との複合体）を製造する方法の提供。
【解決手段】Ｐｄイオン結合サイトにおいてＰｄイオンの結合に関与するアミノ酸残基を置換することにより該サイトの数を減じた改変アポフェリチンを用意し、そのＰｄイオン結合サイトにＰｄイオンを結合させ、該Ｐｄイオンを還元して改変アポフェリチンの内部空間にＰｄを含む金属粒子を形成する。また、Ｒｈ錯体結合サイトにおいてＲｈ錯体の結合に関与するアミノ酸残基を置換することにより該サイトの数を減じた改変アポフェリチンを用意し、そのＲｈ錯体結合サイトにＲｈ錯体を結合させてＲｈ錯体−改変アポフェリチン複合体を製造する。 （もっと読む）

本発明は、癌などの高増殖性疾患の処置に有用であるオーロラキナーゼ阻害剤である２−｛エチル［３−（｛４−［（５−｛２−［（３−フルオロフェニル）アミノ］−２−オキソエチル｝−１Ｈ−ピラゾール−３−イル）アミノ］キナゾリン−７−イル｝オキシ）プロピル］アミノ｝エチルリン酸二水素塩（ＡＺＤ１１５２）の新規な共結晶に関する。

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本発明は、下記の式(I)の化学式を有する化学化合物またはその塩を提供する：
【化１】


(式中、Rは、Hまたはクエン酸塩であり；少なくとも１つのRは、クエン酸塩である)。
上記化学化合物の塩は、上記化学化合物のNa⁺、K⁺、Mg²⁺またはCa²⁺塩である。上記化学化合物は、ナトリウム、カリウムまたはリチウム；マグネシウム、カルシウム、銅、鉄、鉛、亜鉛、アルミニウム、水銀、カドミウムまたはクロムをキレート化するキレート剤である。また、上記化学化合物は、動脈プラークの溶解剤としておよび/またはアルツハイマー病のような加齢関連変性疾患を治療するために使用する。また、本発明は、上記フィチンクエン酸塩化合物および/またはその塩の製造方法も提供する。
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光化学電池の増感色素として有用なルテニウム金属錯体等の金属錯体の合成プロセスにおいて、反応時間短時間化、高収率化、低設備費化を可能にする合成方法を提供する。 すなわち、金属錯体の合成過程において、マイクロ波照射処理を行い、続いてエージング処理を行う。
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本発明は、オニウムテトラフルオロホウ酸塩の製造方法であって、オニウムハロゲン化物とオキソニウムテトラフルオロホウ酸塩、スルホニウムテトラフルオロホウ酸塩またはトリフェニルカルボニウムテトラフルオロホウ酸塩との反応によるものに関する。 （もっと読む）