【課題】電子受容性が高く、可視光から近赤外光に対する応答性が高く、かつ、一般的な有機溶剤に対する溶解度が高いｎ型有機半導体材料を開発する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるるフタロシアニン−１５族半金属元素（Ｖ）錯陽イオン。
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【課題】結晶性が高く、多成分のホスホン酸が均一に導入され、かつフッ素原子を含まない新規な架橋型層状ホスホン酸金属化合物及びその製造方法、並びに、貯蔵液及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】所定の条件を備えた少なくとも１種の有機ジホスホン酸又はその誘導体と、少なくとも１種のモノホスホン酸又はその誘導体と、反応時に金属酸化物八面体の中心原子（Ｍ）となる６配位金属原子のイオンを生成可能な金属源とを硫酸触媒下で反応させる反応工程を備えた架橋型層状ホスホン酸金属化合物の製造方法、このような方法により得られる架橋型層状ホスホン酸金属化合物、並びに、このような架橋型層状ホスホン酸金属化合物の合成に用いられる貯蔵液及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】新規二座ホスフィン配位子として有用なジホスフィンコア型両親媒性デンドリマーを提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）


［式中、Ｕは２価炭化水素基または１，１′−フェロセニレン基、Ｇは一般式（ＩＩ）


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は２価炭化水素基、Ｙ及びＺは２価連結基、Ｘは水素原子、カルボキシル基、リチウムカルボキシレート基、ナトリウムカルボキシレート基又はカリウムカルボキシレート基）で表される基である］で表されるデンドリマーとする。 （もっと読む）

本発明は、元素Ｍを含有する無機基材の表面と１以上の有機基との間にＭ−Ｏ−Ｐ−Ｒタイプの共有結合によるリン橋部を有する有機−無機混成材料（ＨＯＩＭ）を調製する方法であって、前記有機基（単数種または複数種）の前駆体として、式Ｒ_ｘＰ（Ｏ）Ｘ_ｙ（式中、ｘ＝１または２であり、ｙ＝３−ｘであり、Ｘはハロゲン化物であり、Ｒは、アルキル、アリールまたはアリール−アルキルタイプの少なくとも１種の有機基を意味する）の有機リン酸の少なくとも１種のハロゲン化物を用いる方法に関する。本発明の方法によって得られた有機−無機混成材料の適用は、限定的には、耐食、潤滑、マイクロエレクトロニクス、ナノ技術、複合材料、不均一触媒、担持触媒、汚染制御および生物医学の適用の分野と関連する。 （もっと読む）

【課題】サイズを制御したクラスターを簡便に且つ大量に合成することを可能にする新規な複数錯体含有化合物、及びこの化合物の合成のために用いることができる金属錯体を提供する。また、これらの複数錯体含有化合物及び錯体を製造するための方法を提供する。
【解決手段】アミジン配位子とカルボン酸配位子とが、１個の金属原子又は複数個の同じ種類の金属原子に配位してなる、アミジン−カルボン酸錯体とする。また２又はそれよりも多くのこのアミジン−カルボン酸錯体を有する複数錯体含有化合物とする。 （もっと読む）

本発明の対象は、以下の一般式
【化１】


［式中、Ｒ¹は、炭素原子数１〜２０の線状もしくは分枝状のフッ素化されていないかまたは部分的にもしくは完全にフッ素化されたアルキル基、フッ素化されていないかまたは部分的にもしくは完全にフッ素化されたアリール基、２−ニトロアリール基、４−ニトロアリール基、２，４−ジニトロアリール基、フッ素化されていないかまたは部分的にもしくは完全にフッ素化されたベンジル基を表すか、ＣＮ、ＣＯ−Ｈ、ＣＯ−アリール基、またはＣＯ−アルキル基を表すか、Ｒ¹は、−ＳＯ₂−Ｒ²であり、この際、Ｒ²は、炭素原子数１〜２０の分枝状もしくは非分枝状アルキル基、またはアリール基、またはベンジル基を表し、これらのアルキル基、ベンジル基またはアリール基はフッ素化されていないかまたは部分的にもしくは完全にフッ素化されている］
で表される、イオン性液体中にアニオンとして使用できる新規の弱塩基性フッ素化ペンタフルオロフェニルイミドアニオンである。本発明によりイオン性液体は、
例えば、合成用の溶媒として、クロマトグラフィの移動相及び／または固定相として、バッテリー、ガルバニー電気、燃料電池及び蓄電池のための電解質システムとして適している。代替的な本発明の方法は、ケテン−Ｎ，Ｎ−ジアセタールまたはアルキル−もしくはアリール−アルキリデン−ホスホランと酸との反応によってイオン性液体を与える。 （もっと読む）

本明細書では、式（Ｉ）の抗菌化合物、その化合物の生成方法、その化合物を含有する医薬組成物、ならびにその化合物および医薬組成物を利用する細菌感染の治療方法が記載される。
【化１】

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第８（VIII）族メタロセン又はメタロセン状化合物を製造するための方法は、対イオンと一緒に、シクロペンタジエニド又はシクロペンタジエニド状塩中に見出されるようなＣｐ′陰イオンを含む化合物を用いる。一つの態様として、その方法は、金属塩、置換又は非置換シクロペンタジエン又はインデンのような（Ｃｐ）化合物、及びリガンド（Ｌ）を反応させて中間体化合物を形成し、その中間体化合物をＣｐ′化合物、例えば、シクロペンタジエニド又はシクロペンタジエニド状塩と反応させることを含み、その場合、金属塩はルテニウム、オスミウム、又は鉄ハロゲン化物又は硝酸塩にすることができ、Ｌは電子対供与体である。非置換、一置換、及び対称性又は非対称性ジ−又は多−置換メタロセン又はメタロセン状化合物を製造することができる。別の態様として、非置換又は対称的に置換されたメタロセンが、ＭＸ_２（ＰＰｈ_３)_ｍと、Ｃｐ′化合物（ここでｍ＝３又は４である）とを反応させることにより形成される。この方法は、薄膜を化学蒸着させるための前駆物質を形成するのに用いることができる。
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