【課題】Ｔｅ含有ナノクリスタライトの前駆体であるテルル含有リン化合物とその製法、およびＴｅ含有ナノクリスタライトの製法を提供する。
【解決手段】Ｔｅ含有ナノクリスタライトの前駆体である、下式で表される化合物は、ホスフィン、又はアルキルホスホラストリアミドとテルルの接触により製造される。


ただし、Ｚ、Ｚ’、Ｚ’’の一つは独立的にアミド基、アルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基またはシクロアルケニル基であり、Ｚ、Ｚ’、Ｚ’’の少なくとも一つはアミド基である。また温配位Ｔｅ含有ナノクリスタライトは、前駆体を溶解の後成長およびアニールを制御することによって製造される。 （もっと読む）

【課題】中性のイミノホスファゼニウム塩をイオン交換して塩基性のイミノホスファゼニウム塩をより簡便で効率的に製造する方法の提供。
【解決手段】一般式（１）


［式中、Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立して、水素原子又は炭化水素基、または同士が互いに結合して環構造を表す。］で示されるイミノホスファゼニウム塩を、溶解度パラメータが１０〜１５［ｃａｌ／ｃｍ^３］^１／２の範囲である溶媒中、塩基性化合物Ａ^＋Ｘ⁻［式中、Ｘ⁻は、ヒドロキシアニオンなどを表し、Ａ^＋は対カチオンを表す。］と反応させ、塩化物イオンをイオン交換して塩基性のイミノホスファゼニウム塩とする。 （もっと読む）

【課題】簡便で、安全かつコストの低いルテニウムおよびオスミウムカルベン触媒の合成法を提供する。
【解決手段】次式


の化合物を式R17C≡CCR12R13R'の化合物と接触させ、次いで、式HXの化合物を加える工程を含んでなる式(X)(X1)(L)(L1)M=C(R17)(CH2CR12R13R')の化合物の合成法。合成の容易さ（典型的にはワンステップ合成）に加えて、この反応は一般に室温またはそれ以上で進行し、しかも、得られる生成物は通常、十分な合成後精製を行うことなく使用することができる。 （もっと読む）

本発明は、式（Ａ）
【化１】


を有する銅（Ｉ）錯体（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり（互いに独立して）、Ｎ^＊∩Ｅ＝二座配位子（式中、Ｅ＝Ｒ_２Ｅ形態（式中、Ｒ＝アルキル、アリール、アルコキシ、フェノキシ又はアミドである）のホスフィニル／アルセニルラジカルであり、Ｎ^＊＝ピリジル、ピリミジル、ピリダジニル、トリアジニル、オキサゾリル、チアゾリル及びイミダゾリルから選択される芳香族基の一部であるイミン官能基であり、該芳香族基は、有機溶媒中での銅（Ｉ）錯体の溶解度を増加させるための少なくとも１つの置換基を任意に有し、「∩」＝同様に該芳香族基の一部である少なくとも１つの炭素原子であり、該炭素原子は、イミンの窒素原子、及びリン原子又はヒ素原子の両方に直接隣接して位置する）である）、及びまた、オプトエレクトロニクス組立品における（特に、ＯＬＥＤにおける）それらの使用に関する。 （もっと読む）

【課題】光学活性ビス（アルキルホスフィノ）メタンを容易に、かつ経済的に製造する方法を提供すること。
【解決手段】ジアルキルヒドロキシキメチルホスフィンボラン（２）を酸化して、ジアルキルホスフィンボラン（３）を得る工程Ａ；工程Ａとは別に、ジアルキルヒドロキシメチルホスフィンボラン（２）における水酸基を脱離可能な官能基に変換し、誘導体（４）を得る工程Ｂ；工程Ａで得られたジアルキルホスフィンボラン（３）をリチオ化し、リチオ化物（５）を得る工程Ｃ；工程Ｃで得られたリチオ化物（５）と、工程Ｂで得られた誘導体（４）とを反応させて、ビス（アルキルホスフィノ）メタンボラン（１ａ）を得る工程Ｄ；ビス（アルキルホスフィノ）メタンボラン（１ａ）を脱ボラン化してビス（アルキルホスフィノ）メタン（１）を得る工程Ｅを有する。 （もっと読む）

【課題】高純度のホスファゼニウム塩を製造するための製造法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下、芳香族溶媒中で下記一般式（１）ＰＸ5（１）（式中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表す。）で表される五ハロゲン化リンと下記一般式（２）


（式中、Ｒ_１，Ｒ_２は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のフェニル基又はアルキルフェニル基を表し、Ｒ_１とＲ_２又はＲ_２同士が互いに結合して環構造を形成していても良い。）で表されるグアニジン誘導体を反応させて得られる反応混合物から芳香族溶媒を除去し、得られる残渣をハロゲン化炭化水素溶媒と水により抽出する。 （もっと読む）

【課題】フォスファゼン塩基は、有害な重金属類を用いることなく、環境に対してより害の少ない有機触媒として、さらに、効率よく医薬品の合成中間体などを製造するための触媒として有用であり、その非常に特徴的な反応性を持つフォスファゼンP₄の更なる利用のため、多様な置換基を導入した誘導体を簡便で効率良く合成する技術の開発が求められている。
【解決手段】トリスジアルキルアミノホスフィンを出発物質として使用し、有機アジドを反応させることにより製造されたフォスファジドP₄(I)は、高い熱安定性を有し、強い塩
基性を持っており、機能性触媒として有用であり、有機合成に利用できる。さらに高分子への固定化も容易に可能であり、回収再利用が可能な環境調和型の触媒として有望である。 （もっと読む）

【課題】新規リン化合物、並びにπ−π^*遷移を実現可能なケイ素−リン二重結合含有化合物の提供。
【解決手段】例えば、下式により合成されるリン化合物、並びに下式(II)で表される有化合物。




（Ａｒ¹はアリール基、Ａ²¹、Ａ²²はリン化合物の有機残基を表す。） （もっと読む）

【課題】不斉合成に有用な遷移金属触媒の配位子であるホスフィノビナフチルの有用な合成中間体を提供する。
【解決手段】下式で表されるホスフィンーボラン錯体またはその塩。


〔式中、R3’、R5’、R6’およびR8’はそれぞれ水素原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を、R4’およびR7’はそれぞれ水素原子、フッ素原子、塩素原子、C2-6アルキル基、低級アルコキシ基、モノ低級アルキルアミノ基またはジ低級アルキルアミノ基を示す（R3’とR4’およびR7’とR8’は低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい）〕 （もっと読む）

【課題】有機エレクトロニクス材料、特に有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用な新規発光性金属錯体を提供すること。
【解決手段】下記式(１)で表される単核１価銅錯体を使用する。
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【課題】高収率でホスホニウムフェノレートを製造する方法を提供する。
【解決手段】フェノール対ホスホニウムハライドのモル比２：１−１０：１、好ましくは４．５：１−６：１、特に５：１において、ｐＨ９．５−１１、好ましくは９．５−１０．５、特に１０．０−１０．５下に且つ随時水性相の重量に関して５０−２００重量％、好ましくは６６−１２５重量％の量の、純水への溶解度が高々１５重量％のアルコールの存在下に反応を行う、水性アルカリ溶液中ホスホニウムハライド及びフェノールから、０−５５℃、好ましくは１５−５０℃の温度でホスホニウムフェノレートを製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】アセチレン化合物と一酸化炭素およびアルコールからメタクリル酸エステルを製造するのに適した触媒を提供すること。
【解決手段】触媒成分となる式（１）


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^５は、水素原子、ハロゲン原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、フッ素原子で置換されていてもよい炭素原子数７〜２０のアラルキル基、等からなる群から選ばれる置換基を表し、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^９は、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、等を表す。）で示されるホスフィン等を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い光学収率で且つ工業的に有利な方法で光学活性なジアルキルホスフィノメタン誘導体を製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】ジメチルアルキルホスフィンボラン等のホスフィンボラン化合物、触媒量の光学活性アミン及び溶媒の存在下、有機リチウム化合物を添加する第一工程、第一工程終了後に、モノハロゲン化ホスフィンを加えるか、又はジハロゲン化ホスフィンを加えた後にグリニアル試薬を加える第二工程、及び第二工程で得られた生成物にテトラヒドロフラン−ボラン錯体等を加える第三工程を有することを特徴とする光学活性なジアルキルホスフィノメタン誘導体の製造方法。モノハロゲン化ホスフィン又はジハロゲン化ホスフィンを加える前に、テトラヒドロフラン等の配位性溶媒を加えることが好ましい。光学活性アミンはスパルテインであることが好ましい。 （もっと読む）

本発明はオルガノフルオロクロロホスフェートアニオンを含む化合物、その製造方法およびその使用、特にイオン液体としての使用に関する。 （もっと読む）

【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子用材料又は発光材料として有用な金属錯体を提供する。
【解決手段】下式(１)の単核１価銅錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料又は発光材料。


（式中、ＸはNまたはCR₆であり、R₁〜R₇は水素、ハロゲン、C₁〜C₄₀のアルキル基など、R₁〜R₇は互いに結合して環を形成してもよく、L₁およびL₂はそれぞれ独立に、窒素、燐、酸素、硫黄から選ばれる元素を含む配位子またはハロゲンであり、L₁とL₂が互いに結合して２座配位子を形成してもよい。） （もっと読む）

本発明は、ロジウム錯体触媒の安定した触媒前駆体の製造および使用に関する。 （もっと読む）

【課題】新規なチオール化合物を提供し、それによってフェノール類とケトン類を反応させてビスフェノール類を製造する方法において、従来の変性イオン交換樹脂よりもビスフェノール類選択性の高い、変性イオン交換樹脂触媒およびその製造法を提供する。
【解決手段】（式１）


（式中、Ｐはリン原子、Ｓはイオウ原子、Ｈは水素原子を表し、Ｒ１は炭素数が１〜６のアルキレン基を表し、その一部にフェニレン基を有しても良く、Ｒ２は炭素数が１〜３のアルキレン基を表し、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に、炭素数が５〜１０のアリール基を表し、X⁻はアニオンを表す。）、変性イオン交換樹脂及びビスフェノール類製造触媒。 （もっと読む）

【課題】成形時に優れた触媒作用を発現して、硬化性、流動性及び保存性が良好な樹脂組成物を与えることができる潜伏性触媒を、短時間、高収率でイオン性不純物の混入なく提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるプロトン供与体とトリアルコキシシラン化合物とホスホニウム塩化合物とを反応させてホスホニウムシリケート潜伏性触媒を製造する方法であって、金属アルコキシド化合物の共存下で反応させることを特徴とするホスホニウムシリケート潜伏性触媒の製造方法。


［式中、Ｙ¹及びＹ²は、プロトン供与性置換基がプロトンを１個放出してなる基を表す。Ｚ¹は、プロトン供与性置換基であるＹ¹Ｈ及びＹ²Ｈと結合する有機基を表す。］ （もっと読む）

【解決課題】 第二級ホスフィン−ボラン錯体を、工業的な規模で、安価に製造できる第二級ホスフィン−ボラン錯体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ホスホニウム塩と、水素化ホウ素アルカリ金属塩又はアミン−ボラン錯体とを反応させ、第二級ホスフィン−ボラン錯体を得ることを特徴とする第二級ホスフィン−ボラン錯体の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、オニウムテトラフルオロホウ酸塩の製造方法であって、オニウムハロゲン化物とオキソニウムテトラフルオロホウ酸塩、スルホニウムテトラフルオロホウ酸塩またはトリフェニルカルボニウムテトラフルオロホウ酸塩との反応によるものに関する。 （もっと読む）