【課題】発光効率の高い有機エレクトロルミネセンス素子を提供する。
【解決手段】例えば下記反応で得られるフェニルピリジン・イリジウム誘導体からなる金属錯体が例示される。
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【課題】炭素−ヘテロ原子二重結合を有する基質を水素化するのに有用な水素化法を提供する。
【解決手段】本発明では、式（ＩＩ）：［Ｒｕ（Ｌ）_ｍ（Ｌ’）_ｗＸＹ］
［式中、ＸおよびＹは、同時にまたは独立して、水素原子またはハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはアルコキシ、カルボキシルまたは他のアニオン性基を表し、ｍは、１または２であり、ｍが１のときｗは１であり、ｍが２のときｗは０であり、Ｌは、ホスフィノ−アミンまたはホスフィノ−イミン二座配位子であり、Ｌ’は、ジホスフィンである］の触媒を使用して、水素化法により炭素−ヘテロ原子二重結合を含む化合物を還元する。 （もっと読む）

【課題】水素貯蔵物質から水素を取り出す際に使用できる、大量供給が可能な金属を含む安価な触媒を提供する。
【解決手段】式：


［式中、Ｃｐ^＊は、置換シクロペンタジエニル配位子であり、
Ｘは、炭素数６〜３０の芳香族基である。］
で示される鉄−ホウ素錯体は、水素貯蔵物質から水素を取り出す際に使用できる、大量供給が可能な金属を含む安価な触媒を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡便で、安全かつコストの低いルテニウムおよびオスミウムカルベン触媒の合成法を提供する。
【解決手段】次式


の化合物を式R17C≡CCR12R13R'の化合物と接触させ、次いで、式HXの化合物を加える工程を含んでなる式(X)(X1)(L)(L1)M=C(R17)(CH2CR12R13R')の化合物の合成法。合成の容易さ（典型的にはワンステップ合成）に加えて、この反応は一般に室温またはそれ以上で進行し、しかも、得られる生成物は通常、十分な合成後精製を行うことなく使用することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アニオン性荷電が排除されているイオン性化合物、マロン酸ニトリルの誘導体に関する。
【解決手段】本発明によって開示されるイオン性化合物は、全体的な電気的中性を保証するのに十分な数の、少なくとも１つのカチオン性部分Ｍ^＋ｍと結合するアニオン性部分を含む；この化合物は、ヒドロキソニウム、ニトロソニウムＮＯ^＋、アンモニウム−ＮＨ_４^＋、原子価ｍを有する金属カチオン、原子価ｍを有する有機カチオン、又は原子価ｍを有する有機金属カチオンとしてのＭをさらに含んでなる。アニオン性部分は式Ｒ_Ｄ−Ｙ−Ｃ（Ｃ≡Ｎ）_２⁻又はＺ−Ｃ（Ｃ≡Ｎ）_２⁻のうちの１つに相当し、ここでＺは電子吸引基、Ｒ_Ｄは有機基、及びＹはカルボニル、チオカルボニル、スルホニル、スルフィニル、又はホスホニルである。これらの化合物は、特にイオン伝導性材料、導電性材料、着色剤、及び様々な化学反応の触媒に用いることができる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも２個の金属原子と、前記少なくとも２個の金属原子に結合した金属架橋配位子とを含む多核金属錯体を含む発光材料に関する。より詳細には、式（Ｉ）：｛−［Ｌ］_２Ｍ−Ｂ−｝_ｎ〔式中、Ｌは、二座配位子であり、Ｍは、少なくとも４０の原子番号を有する遷移金属を表し、各Ｍは、存在ごとに同一であっても異なっていてもよく、Ｂは、前記少なくとも２個の金属原子に結合した二結合性の短い金属架橋配位子であり、この金属架橋配位子は、窒素、リン、炭素、酸素、硫黄、およびセレンから独立して選択される配位原子を１，２または１，３の相互位置（１，２−μまたは１，３−μの結合モード）で含み、かつｎは、１よりも大きい整数である〕
で表される多核錯体に関する。 （もっと読む）

【課題】基質を水素化する触媒機能を有する新規なヒドリド金属錯体の提供。
【解決手段】下記構造式（４）又は（６）で表されるヒドリド金属錯体。該金属錯体は反応中、脱水素化した低原子価金属錯体へと可逆的に変化し、その際ベンズアルデヒド誘導体のような基質を水素化してベンジルアルコール誘導体とすることができる。更に、例えば（４）の金属錯体とプロトンから水素を発生させると共に、前記脱水素化された低原子価金属錯体に電子を保持させ水素分子から電子を取り出すができる。
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【課題】カルボキシル基を有する金属ヒドリド錯体の合成工程を短縮化した、より簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】MCl₃・(H₂O)_m（式中ＭはRu, Rh, OsまたはIr である。mは0〜3。）を特定条件下ホルムアルデヒドと反応させた後、特定のカルボン酸および水酸化アルカリ金属を同時に添加して、式（２）で示される金属ヒドリド錯体を製造することを特徴とする金属ヒドリド錯体の製造方法。
MH_kQ_nT_pZ_q ・・・（２）
〔式中、MはRu, Rh, Os, Ir から選ばれた金属を示し、QはR¹CO₂で表されるカルボキシル基（R¹は特定の置換基）を示し、TはCOおよびNOから選ばれた1種以上の原子団を示し、ZはPR²R³R⁴（R²、R³、R⁴はそれぞれ特定の置換基を示す。）を示し、ｋ，ｎ，ｐ，ｑはそれぞれ特定範囲内の値を示す。〕 （もっと読む）

本発明は、式（Ｌ_１）_ｙＭ（Ｌ_２）_ｚ−ｙ（ここで、Ｍは第５族金属又は第６族金属であり、Ｌ_１は置換又は非置換アニオン性６電子供与体リガンドであり、Ｌ_２は同じか異なり、かつ、（ｉ）置換若しくは非置換アニオン性２電子供与体リガンド、（ｉｉ）置換若しくは非置換カチオン性２電子供与体リガンド、又は（ｉｉｉ）置換若しくは非置換中性２電子供与体リガンドであり、ｙは整数１であり、ｚはＭの原子価であり、Ｍの酸化数とＬ_１及びＬ_２の電荷との合計は０に等しい）で表される有機金属化合物、有機金属化合物を製造する方法並びに有機金属前駆体化合物の熱的又はプラズマ強化解離により基体上に金属及び／又は金属炭化物／窒化物層を堆積する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】容易に入手できる出発物質から、良好な収率で、活性の高いルテニウムおよびオスミウムカルベン・メタセシス触媒を合成する方法を提供する。
【解決手段】ルテニウム水素錯体およびハロゲン化第三プロパルギル等のアセチレン基含有ハロゲン化合物、もしくはジクロロメタン、ジクロロ酢酸エステル、α，α−ジクロロトルエン等のジハロゲン化合物の反応等によりルテニウムおよびオスミウムカルベン・メタセシス触媒を合成する。 （もっと読む）

本発明は、その配位子球中に少なくとも１個のη^６−結合アレーン配位子及び１個のシリル−配位子を有するルテニウム−錯体；その配位子球中に少なくとも１個のη^６−結合アレーン配位子を有し、それに直接又はスペーサーを介して１個のシリル−又はシロキシ−基が結合されているルテニウム−錯体及びその配位子球中に少なくとも１個のη^６−結合アレーン配位子及び少なくとも１個の他の配位子を有し、それに直接又はスペーサーを介して１個のシリル−又はシロキシ−基が結合しているルテニウム−錯体を含む群から選択されるルテニウム−化合物、その製造及びヒドロシリル化での触媒としての使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｃｐ（Ｒ’）_ｘ）_ｙＭ（Ｈ）_ｚ−ｙによって表される有機金属前駆体化合物、この有機金属前駆体化合物を製造する方法及びこの有機金属前駆体化合物の熱又はプラズマ強化解離によって、例えばＣＶＤ又はＡＬＤ技法によって、基板上に金属及び／又は金属炭化物層、例えばＴａ金属及び／又はＴａＣ層を堆積させるための方法に関する。この金属及び／又は金属炭化物層は、集積回路の製造において導電性金属及び高誘電率材料のライナ又は障壁層として有用である。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン元素等を含まないタンタル含有膜及び目的とする元素を含んだ各種タンタル含有膜の作り分けが可能な新規なタンタル化合物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中Ｒ^１は炭素数２から６の直鎖状アルキル基。）等で表されるタンタル化合物。 （もっと読む）

【課題】 炭化タンタル膜や炭窒化タンタル膜を化学気相成長法により形成するための原料として、供給しやすく、高い蒸気圧を有する化合物を提供し、さらに、その製造方法およびそれを用いた炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＴａＣｌ₅とＮａ（ＥｔＣｐ）とＮａＢＨ₄とをＴＨＦ中で反応させ、未反応原料を水で失活させた後、溶媒留去し、真空蒸留することにより、蒸気圧が０．１Ｔｏｒｒ／９５℃、融点が３８℃である新規化合物ビス（エチルシクロペンタジエニル）トリヒドロタンタル（Ｔａ（ＥｔＣｐ）₂Ｈ₃）が得られ、この化合物を原料として、化学気相成長法により、炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】有機金属化学蒸着法により高い平坦性で膜を形成することができる有機ニッケル化合物の提供。
【解決手段】本発明の有機ニッケル化合物は、Ｎｉ（Ｒ¹Ｒ²Ｎ）₂で表される有機ニッケル化合物である。但し、式中のＲ¹及びＲ²は水素又は炭素数が１〜４の直鎖若しくは分岐状アルキル基をそれぞれ示し、Ｒ¹とＲ²は互いに同一又は異なっていてもよい。また、本発明のニッケル含有膜の製造方法は、上記有機ニッケル化合物を用いてＭＯＣＶＤ法によりニッケル含有膜を作製することを特徴とする。 （もっと読む）