【課題】紫外線露光装置を用いて選択的にミクロ相分離構造を形成することが可能なブロック共重合体およびそれを用いて基板に微細パターンを低コストで形成できる基板の加工方法を提供する。
【解決手段】疎水性モノマの繰り返し構造を備えた疎水性ブロックと、親水性官能基を有する親水性モノマの繰り返し構造を備えた親水性ブロックとを基本骨格として有するブロック共重合体であって、前記親水性官能基の少なくとも一部が疎水性の保護基により被覆され、前記疎水性の保護基により被覆された親水性ブロックと前記疎水性ブロックとは互いに相溶であり、且つ前記親水性官能基を被覆している疎水性の保護基は、光照射により前記親水性官能基より脱離するブロック共重合体およびそれを用いて基板に微細パターンを形成する基板の加工方法。 （もっと読む）

（ａ）２００，０００から３００，０００のピーク見掛け分子量を有する、一般式（Ａ−Ｂ）で表される線状ジブロックコポリマー（Ｉ）、
（ｂ）一般式（Ａ−Ｂ）_２Ｘで表される、線状２腕ブロックコポリマー（ＩＩ）、
（ｃ）式（Ａ−Ｂ）_３Ｘで表される、３腕ブロックコポリマー（ＩＩＩ）、
（ｄ）式（Ａ−Ｂ）_ｎ＞３Ｘで表される、３腕を超えるブロックコポリマー（ＩＶ）、
（ｅ）前記線状ジブロックコポリマー（Ｉ）未満のピーク見掛け分子量を有する側面ポリマー構造（ＳＰＳ）、
を含み、Ａは、主としてポリ（モノビニル芳香族炭化水素）のブロックを表し、前記ポリ（モノビニル芳香族炭化水素）含有量は２０から３５重量％の範囲にあり、Ｂは、主としてポリ（共役ジエン）のブロックを表し、Ｘは、３官能および／または４官能カップリング剤の残基である高分子量結合ブロックコポリマー組成物であり、前記ブロックコポリマー組成物は、４５０，０００から８００，０００の範囲の重量平均分子量Ｍｗを有し、ブロックコポリマーの相対量は、前記全ブロックコポリマー組成物の重量に対して、それぞれ、Ｉは５から１５重量％であり、ＩＩおよびＩＩＩは合わせて７０から９０重量％であり、ＩＩＩは１０重量％超であり、ＩＶは１０重量％未満であり、ＳＰＳは１０重量％未満であることに相当し、それぞれの成分の合計は１００％になる、高分子量結合ブロックコポリマー組成物。 （もっと読む）