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Fターム[4J030CB01]の内容

硫黄、リン、金属系主鎖ポリマー (6,776) | 主鎖に形成される結合 (268) | リンを含有しない化合物の反応によるもの (172)

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【課題】ネガ現像において得られるレジストパターンに適用できるだけでなく、ポジ現像で得られるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)一般式(1)で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式(2)で表される加水分解性化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、及びRm1m2m3Si(OR)(4−m1−m2−m3)(1)U(ORm4(ORm5(2)(B)一般式(3)で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式(4)で表される加水分解性ケイ素化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、Rm6m7m8Si(OR(4−m6−m7−m8)(3)Si(OR10(4)を含むケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】エレクトロルミネセンスデバイスに使用することができる更なるデンドリマー、特に、効率的であり、高分子レベルで他の有利な特性を有するデバイスを製造するために、分子レベルで良好な制御を提供することができる更なるデンドリマーを提供する。
【解決手段】式(I)、[DENDRON−CORE−[B−[X](I)[式中、COREは、金属イオン又は金属イオンを含む基、或いは非ポリマー性有機基であり;Bはフェニル環であり;aは、1〜8の整数であり;bは、3〜5の整数であり;xは、0又は1〜7の整数であり;各Xは、アリール又はヘテロアリール環であるか、或いは少なくとも部分的に共役している樹枝状分子構造であり;各DENDRONは、少なくとも部分的に共役している樹枝状分子構造であり;このデンドリマーは、1つ又は複数の表面基を更に含み;但し、COREが非金属核の場合、Xは、少なくとも1つの連結基を含む、少なくとも部分的に共役している樹枝状分子構造である]のデンドリマー。 (もっと読む)


【課題】炭化水素ガスの吸着・脱着が可能であり、該炭化水素ガスの貯蔵に適用できる炭化水素ガス吸着剤、当該炭化水素ガス吸着剤を用いる炭化水素の貯蔵方法を提供する。
【解決手段】金属イオン及び配位子が、配位結合を介して、又は配位結合とイオン結合とを介して、結合し、該配位子の一部又は全部が下記式(1)で示される配位子高分子を含む炭化水素ガス吸着剤、及び当該炭化水素ガス吸着剤を用いた炭化水素ガスの貯蔵方法の提供。


[式中、X〜Xは、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を示す。] (もっと読む)


【課題】高分子錯体の製造方法、及び該製造方法によって得られる高分子錯体を提供する
【解決手段】高分子錯体の製造方法であって、配位性部位を2つ以上有する配位子及び中心金属としての金属イオンを含み、且つ、前記配位子が前記中心金属イオンに配位して形成された第1の三次元ネットワーク構造内に、三次元的に規則正しく整列した第1の細孔を有する原料錯体を準備する工程、並びに、前記原料錯体を、液状の外相を実質的に含まない固体状態のまま、加熱を行うことによって、前記配位子及び前記中心金属イオンを含み、且つ、前記配位子が前記中心金属イオンに配位して形成された第2の三次元ネットワーク構造内に、三次元的に規則正しく整列した第2の細孔を有し、且つ、前記原料錯体よりも熱的安定性の高い高分子錯体へと変換する工程を含むことを特徴とする、高分子錯体の製造方法。 (もっと読む)


本発明は、水素貯蔵のために有用な下記の新規なポリマー:(i)繰り返し単位として−[MN]−(ここで、Mは、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Zr、Nb、Mo、及びこれらの混合物からなる群から選択される)を含むポリマー;並びに(ii)繰り返し単位として−[M]−(ここで、Mは、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Zr、Nb、Mo、及びこれらの混合物からなる群から選択される)を含むポリマー;を提供する。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法によりキャリア移動度が高い半導体薄膜を提供する。
【解決手段】一般式(I)で表わされる金属錯体からなる半導体薄膜。一般式(I)中、Mは遷移金属原子を含有する基を、Lは配位子を表わす。A、A、B及びBは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、ヘテロ原子又はヘテロ原子を含有する基を表わす。B−Q(A)(A)−Bは、共役系を構成している。mは、0〜4の整数であり、nは、正の整数である。
【化1】
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【課題】有機無機複合体を容易に回収することが可能な新規の合成方法を提供する。
【解決手段】M−O−M(Mは珪素原子または金属原子をそれぞれ独立に示す)で表される結合を含む珪素および金属の酸化物からなるとともに少なくとも一部の珪素原子に結合している有機基をもつ有機無機複合体の合成方法であって、
1以上のアルコキシ基をもち有機基と共有結合で結合した珪素原子を有するオルガノアルコキシシランおよび金属原子を含む金属化合物を極性溶媒である第一溶媒に溶解して原料溶液を調製する調製工程と、
オルガノアルコキシシランと金属化合物とを加水分解するとともに脱水縮合させて有機無機複合体を合成する反応工程と、
反応工程後の溶液に該溶液と相溶しない第二溶媒を加えて有機無機複合体を第二溶媒に溶解させた後、第二溶媒と相溶しない溶液を除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】室温におけるプロトン伝導性を高めた水分子内包配位高分子金属錯体化合物を提供する。
【解決手段】1ユニットが[MA・2{(C)−(COOH)}]・nHOで表わされる組成を有し、平面4配位構造を取る金属イオンMAと、2,3−ピラジンジカルボン酸と、結晶水としての水分子とから成る水分子内包1次元鎖状配位高分子金属錯体化合物。1ユニットが[MB・2{(C)−(COOH)}・2HO〕・HOで表わされる組成を有し、6配位八面体構造を取る金属イオンMBと、2,3−ピラジンジカルボン酸と、配位子としての水分子および細孔内の水分子とから成る水分子内包3次元配位高分子金属錯体化合物。 (もっと読む)


【課題】ハードコート特性と防錆機能を有する高分子組成物を提供する。
【解決手段】
(a)以下の式で表わされるアミノ基を含むシラン化合物
4−n−Si−(OR’)
(式中、Rはアミノ基含有の有機基を表わし、R’はメチル基、エチル基またはプロピル基を表わし、nは1〜3から選択される整数を表わす);及び
(b)HBO及びBからなる群から選択される少なくとも1種のホウ素化合物:
を、(a)成分1モルに対して(b)成分0.02モル以上の比率で反応させて得られる反応生成物を含む、高分子物質と、
(c)イミダゾール系窒素へテロ環化合物、トリアゾール系窒素へテロ環化合物、テトラゾール系窒素へテロ環化合物、及びピラゾール系窒素へテロ環化合物、並びにこれらの化合物の塩から成る群から選択される少なくとも一種の化合物と、
を含む、高分子組成物。 (もっと読む)


【課題】電位を制御することによって容易に発色および消色を制御可能、かつ、加工可能な高分子材料、その製造方法、それを用いたエレクトロクロミック素子を提供する。
【解決手段】式(1)で表される高分子材料は、ビスターピリジン誘導体と、金属イオンと、カウンターアニオンとを含む。
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【課題】新規な化学構造及び物性を有し、種々のガスの吸着及び脱着に有用な新規な有機金属錯体及びそれから成るガス吸蔵剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式[I]で示される繰返し単位から構成された有機カルボン酸金属錯体。


ただし、M1及びM2は互いに独立して例えばCuやRh等の2価をとり得る金属、R1a、R1b、R1c及びR1dは互いに独立して例えばフェニル基のような共役系を含む有機基を表わす。 (もっと読む)


【課題】微粒子と有機半導体分子との結合によって構成される導電路を、一層簡素に、短時間にて形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所謂ボトムゲート/ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造方法、基体11上にゲート電極12を形成した後、基体11及びゲート電極12上にゲート絶縁層13を形成し、次いで、ゲート絶縁層13上にソース/ドレイン電極14を形成した後、ソース/ドレイン電極14間に、導電路23から成るチャネル形成領域15を形成する工程から成り、このチャネル形成領域15を形成する工程は、導体又は半導体から成る微粒子を含む溶液と有機半導体分子とを混合することによって、微粒子と有機半導体分子とが結合(反応)して成るクラスター20を得た後、該クラスター20をソース/ドレイン電極14の間のゲート絶縁層13の部分に配置する工程から成る。 (もっと読む)


【課題】高速動作可能で耐水性に優れ、信頼性に優れた半導体装置を得る。
【解決手段】配線となる第1の銅の導電層5を有する第1の絶縁層20と、配線となる第3の銅の導電層13を有する第3の絶縁層22とが、第1の銅の導電層5と第3の銅の導電層13を連通する第2の銅の導電層10を有する第2の絶縁層21を介して半導体基板1表面上に積層され、上記第1の絶縁層20、第2の絶縁層21および第3の絶縁層22の少なくともいずれかが、無機または有機材料の分子中に、ボラジン骨格系構造を有する低誘電率材料を用いた絶縁材料からなる。 (もっと読む)


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