Fターム[4J030CG03]の内容
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Fターム[4J030CG03]に分類される特許
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半導体接着用熱硬化型樹脂組成物及び半導体装置
【課題】低弾性率で、かつ高密着性の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物、及び耐半田クラック性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、(A)数平均分子量500以上30000以下、分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体、(B)エチレン性不飽和基を有する重合性モノマー、(C)ラジカル重合触媒、(D)特定のジスルフィド化合物及び(E)充填剤を含有する。半導体装置は、そのような組成物により半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなる。
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パターン形成方法及びこれに用いるケイ素含有膜形成用組成物
【課題】有機溶剤現像によるネガ型レジストパターンの形成方法として最適なパターン形成方法、及び該プロセスで使用されるケイ素含有膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】(A)下記一般式(A−1)、下記一般式(A−2−1)、及び下記一般式(A−2−2)で表される反応性化合物及び/又はこれらの加水分解物、縮合物、加水分解縮合物の各々からなる群から選ばれる各々の1種以上の化合物、からなる混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、(R2)m2(OR3)(3−m2)Si−R1−Si(R4)m4(OR5)(3−m4)(A−1)R11m11R12m12R13m13Si(OR14)(4−m11−m12−m13)(A−2−1)U(OR21)m21(OR22)m22(O)m23/2(A−2−2)(B)有機溶剤を含む組成物によるケイ素含有膜上に、有機溶剤現像のフォトレジストでネガ型パターンを得る。
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反射防止ハードマスク組成物及びそれを用いたパターン化材料を調製する方法。
有機・無機ハイブリッド組成物の製造方法、同組成物ならびに半導体装置
【課題】耐候性および耐熱性が良く、高温条件下においても長期にわたり光学的透明性を維持することが可能な硬化物を与える有機・無機ハイブリッド組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】(工程1)(A)化学改質されていない周期律表第5族の金属アルコキシドと(B)前記(A)成分と反応可能なケイ素原子に直接結合する水酸基を有する有機ケイ素化合物との混合物〔成分(A)中のアルコキシ基に対する成分(B)中の水酸基が0.03〜0.50(モル比)〕を無水条件下、かつ、加熱条件下で反応させる工程、
(工程2)前記工程1で得られた反応生成物と(C)オルガノアルコキシシラン〔成分(C)中のアルコキシ基/前記成分(A)中のアルコキシ基が0.5〜5.0(モル比)〕
を水〔成分(A)、(C)中の全アルコキシ基に対して0.15(モル比)以上〕で加水分解して縮合反応させる工程、
(工程3)前記工程2で得られた反応生成物を加熱して低沸物を留去または還流させながら、加水分解と縮合反応を促進させる工程を含むことを特徴とする有機・無機ハイブリッド組成物の製造方法、その製造方法により得られた組成物、および、その組成物により半導体素子を被覆してなる半導体装置である。
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CISおよびCIGS光起電性装置のためのポリマー前駆体
本発明は、エネルギー変換および太陽電池のためのデバイスおよびシステムが挙げられる、光起電性用途のための薄膜材料およびバンドギャップ材料を備える半導体およびオプトエレクトロニクの材料およびデバイスを調製するために使用される、ある種類の化合物、ポリマー化合物、および組成物に関する。具体的には、本発明は、光起電性層を調製するためのポリマー前駆体化合物および前駆物質に関する。前駆体化合物は、反復単位{MA(ER)(ER)}および{MB(ER)(ER)}を含み得、ここで各MAはCuであり、各MBは、InまたはGaであり、各Eは、S、Se、またはTeであり、そして各Rは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される。
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マイクロエレクトロニクスの用途のための現像液に可溶なアルコキシド金属塗布膜
【課題】反射防止組成物およびこの組成物を用いて回路を形成する方法を提供する。
【解決手段】溶媒中に拡散または溶解されたポリマーを含む。好適実施形態において、組成物のポリマーは、有機化合物と高分子アルコキシド金属とが反応することにより生成され、前記高分子アルコキシド金属は、下記式を有する連鎖ユニットを含む。
ここで、Mは、各々、チタン、ジルコニウム、シリコン、およびアルミニウムからなる群から選択される金属、各Lは、各々、ジケトおよびアルコキシド配位子とからなる群から選択され、前記有機化合物は、前記高分子アルコキシド金属のMに配位する官能基を含む。
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半導体薄膜、これを用いてなる薄膜トランジスタ及び半導体薄膜の製造方法
【課題】簡便な方法によりキャリア移動度が高い半導体薄膜を提供する。
【解決手段】一般式(I)で表わされる金属錯体からなる半導体薄膜。一般式(I)中、Mは遷移金属原子を含有する基を、Lは配位子を表わす。A1、A2、B1及びB2は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、ヘテロ原子又はヘテロ原子を含有する基を表わす。B1−Q(A1)(A2)−B2は、共役系を構成している。mは、0〜4の整数であり、nは、正の整数である。
【化1】
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膜形成用組成物、及びこれを含む絶縁膜
【課題】低誘電率性、耐湿性、耐水性及び耐熱性という、いずれの特性にも優れた被膜を形成するのに適当な材料となる化合物を含む膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】ボラジン環及びアダマンタン環を含む化合物、並びに前記ボラジン環及びアダマンタン環を含有する化合物とを含むか、ボラジン環を含有する化合物とアダマンタン環を含有する化合物とを含むか、前記ボラジン環及びアダマンタン環を含有する化合物とボラジン環を含有する化合物及び/またはアダマンタン環を含有する化合物とを含むかのいずれかである膜形成用組成物である。
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ポリボロシロキサンからなる光半導体素子封止用樹脂
【課題】耐熱性、透明性および耐光性のいずれにも優れるポリボロシロキサンからなる光半導体素子封止用樹脂、および、ポリボロシロキサンからなる前記光半導体素子封止用樹脂で封止している光半導体装置を提供すること。
【解決手段】ケイ素化合物とホウ素化合物とを反応させることにより得られる、ポリボロシロキサンからなる光半導体素子封止用樹脂、および、ポリボロシロキサンからなる前記光半導体素子封止用樹脂を用いて光半導体素子を封止してなる発光ダイオード装置。
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シリコンポリマー、シリコン化合物の重合方法、及びそのようなシリコンポリマーから薄膜を形成する方法
低炭素含量を有するシリコン膜の前駆体として、可溶性シリコンポリマーを生成するための、一般式SinH2n及びSinH2n+2のもの並びにアルキル及びアリールシランを含むヒドロシラン化合物の、制御された重合及び/又はオリゴマー化のための組成物及び方法。 (もっと読む)
シリコーン樹脂およびシリコーン組成物
本発明は、ホウ素、アルミニウムおよび/またはチタニウム、およびケイ素結合分岐状アルコキシ基を含有するシリコーン樹脂;同シリコーン樹脂を含有するシリコーン組成物;シリコーン組成物を基板に塗布して膜を形成し、膜のシリコーン樹脂を熱分解することからなる被覆基板の製造方法に関する。前記シリコーン樹脂は、(EOs/2)t(HSiO3/2)v((R1O)3SiO1/2)w((R1O)2SiO2/2)x(R1OSiO3/2)y(SiO4/2)z(各Eは独立してホウ素、アルミニウム、およびチタニウムから選択される原子であり;R1はC1からC10の分岐状アルキルであり;Eがホウ素またはアルミニウムであるときは、s=3で、Eがチタニウムであるときは、s=4であり;tは0.01から0.8であり;vは0から0.99であり;wは0から0.99であり;xは0から0.99であり;yは0から0.99であり;zは0から0.8であり;w+x+y=0.01から0.99;かつ、t+v+w+x+y+z=1)で表される。 (もっと読む)
有機絶縁体組成物、有機絶縁膜、有機薄膜トランジスタおよび電子素子
【課題】フッ素含有のシラン系化合物を用いて有機薄膜トランジスタの電荷移動度およびヒステリシスを改善させ、スレショルド電圧および電荷移動度などの物性を向上させて液晶ディスプレイ、光電変換素子などの各種電子素子の製造に有用に活用することが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板1、ゲート電極2、有機絶縁膜3、有機半導体層6、およびソース/ドレイン電極4、5を含む有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機絶縁膜3が有機絶縁体組成物から形成されることを特徴とする、有機薄膜トランジスタを提供する。
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半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】(1)固体Si−核磁気共鳴スペクトルにおいて、
(i)ピークトップの位置がケミカルシフト−40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.5ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、
(ii)ピークトップの位置がケミカルシフト−80ppm以上−40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が1.0ppm以上5.0ppm以下であるピーク
からなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、
(2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、
(3)シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下である。
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半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
【課題】透明性、耐光性、耐熱性、耐リフロー性及び耐温度サイクル性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】固体Si−核磁気共鳴スペクトルにおいて、ピークトップの位置がケミカルシフト−40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、ピークトップの位置がケミカルシフト−80ppm以上−40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上5.0ppm以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、ケイ素含有率が20重量%以上であり、シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下であり、デュロメータタイプAによる硬度測定値(ショアA)が5以上90以下である。
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シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマー
本発明は、シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーであって、チタニアドメインサイズが約5ナノメートル未満であるポリマーに関する。このようなポリマーは、例えばマイクロ電子デバイスの製造において、反射防止コーティングを形成するのに有用である。 (もっと読む)
半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】(1)固体Si−核磁気共鳴スペクトルにおいて、(i)ピークトップの位置がケミカルシフト−80ppm以上の領域にあるピークを複数本有するとともに、(ii)全ケイ素に対する、D2環状物に該当するケイ素のモル比が、5%以上、30%以下
であり、(2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、(3)150℃、真空度6.0Pa到達時における重量減少率が3%以下であるものを用いる。
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非共役のポリマーのペルアリール化ボラン、有機半導体発光材料及び/又は輸送材料としてのその使用、その製造方法及びその使用
本発明は、半導体特性を有する非共役の発光体化合物並びにその製造及び有機発光ダイオード(OLEDS)、有機太陽電池、有機受光器及び有機電界効果トランジスタ中での使用に関する。これは、タイプKのコポリアリールボランであり、これは最初に適当な電場の印加により及び/又はアリール置換基Rのドナー置換により、記号について請求項1記載の意味を有する共役ポリマーと同様に挙動する構造タイプに移行する。
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有機ホウ素高分子化合物
【課題】フィルム状に成形しやすく、n型もしくはバイポーラな半導体特性を有するπ電子系共役高分子化合物を提供する。
【解決手段】 本発明の有機ホウ素高分子化合物は、下記一般構造式(1)で表される。(式中、R1は、炭素と水素から構成される置換基を表し、式中の2つのR1はそれぞれ同じ置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよい。R2は、水素、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基からなる群から選ばれる1種類を表し、式中の3つのR2はそれぞれ同じであってもよいし、異なってもよい。nは1以上の整数を表す。)
【化1】
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電子装置及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
【課題】微粒子と有機半導体分子との結合によって構成される導電路を、一層簡素に、短時間にて形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所謂ボトムゲート/ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造方法、基体11上にゲート電極12を形成した後、基体11及びゲート電極12上にゲート絶縁層13を形成し、次いで、ゲート絶縁層13上にソース/ドレイン電極14を形成した後、ソース/ドレイン電極14間に、導電路23から成るチャネル形成領域15を形成する工程から成り、このチャネル形成領域15を形成する工程は、導体又は半導体から成る微粒子を含む溶液と有機半導体分子とを混合することによって、微粒子と有機半導体分子とが結合(反応)して成るクラスター20を得た後、該クラスター20をソース/ドレイン電極14の間のゲート絶縁層13の部分に配置する工程から成る。
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テルピリジン系の基を有するエレクトロルミネセント金属超分子
【化1】
テルピリジン系単量体および遷移金属に基づく高度に蛍光性の金属超分子が得られた。これらの強固な超分子は、紫から青、緑または黄色への発光によって、高量子収率を提供する。それらは、高輝度、高純度、低コスト、および優れた熱安定性のような所望の性質のため、高分子発光ダイオード(PLED)に対する見込みのある放射体として現れた。超分子は、式I[式中、Mは族IB、IIB VIIA、VIIIAまたはランタニド金属を表し;Rは独立して各出現において、水素、ハロゲン、アルキル、置換されたアルキル、アリール、置換されたアリール、または認められている供与体および受容体群よりなる群から選択され;Xは独立して各出現において、窒素または炭素原子であり;R'はアルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキルケトン、アリールケトン、ヘテロアリールケトン、アルキルエステル、アリールエステル、ヘテロアリールエステル、アルキルアミド、アリールアミド、ヘテロアリールアミド、アルキルチオ、アリールチオ、フルオロアルキル、フルオロアリール、アミン、イミド、カルボキシレート、スルホニル、アルキレンオキシ、ポリアルキレンオキシ、またはその組合せから選択され;nは1ないし100,000の整数であり;Zは対イオンであって、アセテート、アセチルアセトネート、シクロヘキサンブチレート、エチルヘキサノエート、ハライド、ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、ニトレート、ペルクロレート、ホスフェート、スルフェート、テトラフルオロボレートまたはフルオロメタンスルホネートの群から選択され;yは0ないし4の整数である]によって表される分子構造を有する。
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