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Fターム[4J036DC01]の内容

エポキシ樹脂 (63,436) | 活性水素化合物(N含有化合物) (7,273) | アミン (3,518)

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【課題】高い機械的強度を得ることができると共に、塗布形状の保持性を高く得ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子2を基板3に実装して形成された半導体装置4に関する。室温で液状のエポキシ樹脂組成物1を前記半導体素子2の周囲又はその一部のみに塗布し硬化させることによって前記半導体素子2と前記基板3とが接着されている。前記半導体素子2と前記基板3との隙間の全体にわたって充填させないようにしている。前記エポキシ樹脂組成物1が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有する。前記無機充填材として、平均アスペクト比が2〜150の鱗片状無機物が、前記エポキシ樹脂組成物1全量に対して0.1〜30質量%含有されている。前記エポキシ樹脂組成物1のチクソ指数が3.0〜8.0である。 (もっと読む)


【課題】基板と半導体との間隙への含浸性に優れ、ボイドの発生が抑制された液状エポキシ樹脂組成物を選択する選択方法、及び該液状エポキシ樹脂組成物を用いた信頼性に優れる半導体装置等の電子部品装置を提供する。
【解決手段】フリップチップ封止用の液状エポキシ樹脂組成物の選択方法を、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有する液状エポキシ樹脂組成物からなる群を準備する工程と、前記液状エポキシ樹脂組成物の含浸温度における粘度及び表面張力をそれぞれ測定する工程と、測定された前記粘度が0.13Pa・s以下であり、測定された前記表面張力が25mN/m以上である液状エポキシ樹脂組成物を選択する工程とを有して構成する。また選択された液状エポキシ樹脂組成物の硬化物を、基板と該基板にフリップチップ実装された半導体素子との間隙に充填して電子部品装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】重合することにより、優れた耐熱性を有する硬化物を形成することができる新規のエポキシ化合物、その製造方法、前記新規のエポキシ化合物を得る上で有用な新規のケトン化合物、その製造方法、前記新規のエポキシ化合物を含む樹脂組成物、及び前記樹脂組成物を硬化して得られる優れた耐熱性を有する硬化物を提供する。
【解決手段】本発明の脂環式エポキシ化合物は、下記式(1)で表される。式(1)中、R1、R2は、同一又は異なって、水素原子、鎖状脂肪族炭化水素基、環状脂肪族炭化水素基、及びこれらが組み合わされてなる基から選択される基を示す。R1、R2は、隣接する炭素原子と共に結合して5員環又は6員環を形成していてもよい。
【化1】
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【課題】耐衝撃性に優れた硬化物を得ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、エポキシ樹脂(A)と、ウレタンプレポリマー末端のイソシアネートがε−ポリカプロラクタム、オキシム類、ピラゾール類の少なくとも1つでブロックされ、前記ウレタンプレポリマーの骨格にビスフェノールAが含まれているウレタン樹脂(B)と、硬化剤(C)と、を含むエポキシ樹脂組成物である。 (もっと読む)


【課題】高温、高負荷環境下や油接触環境下でも、耐久性が良好な歯付きベルトを提供する。
【解決手段】歯付きベルト10は、歯ゴム部11と背ゴム部12とから構成されるベルト本体13を備える。歯ゴム部11の表面を、歯布20で被覆する。歯布20は、RFL処理され、さらに外表面21がエポキシ樹脂の硬化物によって被覆されたものである。エポキシ樹脂の硬化物の軟化点は、例えば110℃以上である。また、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば100〜1500g/eqである。 (もっと読む)


【課題】 照射したマイクロ波を減衰又は遮蔽する着色剤等の物質が高濃度で存在する場合や厚い膜厚の場合でも少エネルギー量で硬化可能なマイクロ波硬化型組成物を提供する。
【解決手段】 下記(1)〜(4)を含有するマイクロ波硬化型組成物であって、ラジカル開始剤(A)、酸発生剤(B)及び塩基発生剤(C)の内の少なくとも1つがマイクロ波の照射により活性種(H)を発生し、該活性種(H)がラジカル開始剤(A)、酸発生剤(B)及び/又は塩基発生剤(C)と反応して新たな活性種(I)を生成して該新たな活性種(I)による重合性物質(D)の重合反応が進行し、該活性種(H)又は(I)が酸又は塩基であることを特徴とするマイクロ波硬化型組成物;
(1)ラジカル開始剤(A)、
(2)酸発生剤(B)及び/又は塩基発生剤(C)、
(3)重合性物質(D)。 (もっと読む)


【課題】照射した光を減衰又は遮蔽する着色剤等の物質が高濃度で存在する場合や厚い膜厚の場合でも少エネルギー量で硬化可能な感光性組成物を提供する。
【解決手段】(1)〜(4)を含有する感光性組成物であって、(A)、(B)及び(C)の内の少なくとも1つと(L)が活性光線の照射により活性種(H)を発生し、該活性種(H)が(A)、(L)、(B)又は(C)と反応して新たな活性種(I)を生成して該新たな活性種(I)による(D)の重合反応が進行し、該活性種(H)又は(I)が酸又は塩基であることを特徴とする感光性組成物;(1)ラジカル開始剤(A)、(2)リビングラジカル重合開始剤(L)、(3)酸発生剤(B)及び/又は塩基発生剤(C)、(4)重合性物質(D)。 (もっと読む)


【課題】溶剤溶解性に優れ、かつ、硬化物の耐熱性及び難燃性に優れる新規リン原子含有エポキシ樹脂、該エポキシ樹脂を生産性よく工業的に製造する方法を提供すると共に、溶剤溶解性や硬化物の耐熱性に優れる硬化性樹脂組成物及びその硬化物、並びに、該リン原子含有エポキシ樹脂を用いたプリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】アルコキシ基を芳香核上の置換基として有する芳香族アルデヒド(a1)、及び、P−H基又はP−OH基を分子構造中に有する有機リン化合物(a2)を反応させ、次いで、得られた反応生成物を多官能型フェノール化合物(a3)と反応させてリン原子含有フェノール化合物(α)を得、次いで、これを多官能型エポキシ樹脂(β)と反応させてリン原子含有エポキシ樹脂とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、保存安定性と短時間での低温焼成による硬化を両立し、かつ十分な感度を有する感放射線性樹脂組成物、並びに耐熱性、透過率及び電圧保持率に優れる硬化膜を提供することである。
【解決手段】本発明は、[A]エポキシ基を有する構造単位を含む重合体、[B]エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物、[C]感放射線性重合開始剤、並びに[D]シアネート基を有する化合物を含有する感放射線性樹脂組成物である。[A]重合体は、カルボキシル基を有する構造単位をさらに含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、低粘度であり狭ピッチや狭ギャップへの浸入性がよいアンダーフィル材であって、低吸湿であり、かつシリコンチップやパッシベーション膜材料に対する高い接着性を有する硬化物を提供するアンダーフィル材及び該アンダーフィル材の硬化物で封止された半導体装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】
(A)(A−1)1分子中に2つ以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂及び/又はエポキシ化合物 50〜99質量部、及び(A−2)ビフェニル構造を有する単官能エポキシ化合物 1〜50質量部(但し、(A−1)と(A−2)の合計は100質量部である)
(B)アミン系硬化剤 (B)成分中のアミノ基のモル量に対する(A)成分中のエポキシ基のモル量が0.7〜1.2となる量、
(C)無機充填剤 (A)成分と(B)成分の合計100質量部に対し50〜300質量部、及び
(D)ポリオルガノシルセスキオキサン樹脂を被覆してなるシリコーン微粒子 (A)成分と(B)成分の合計100質量部に対し1〜15質量部
を含有するアンダーフィル材。 (もっと読む)


【課題】十分な耐熱性、難燃性、接着性を有し、しかも製造工程が簡単で複雑な設備を必要としない両面フレキシブル基板の製造方法を提供すること。
【解決の手段】下記式(1)で表される芳香族ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂及び有機溶剤を含むワニスを金属箔に直接塗布する工程、溶媒を除去し、樹脂層を設ける工程、及び金属箔を樹脂層側に貼り合わせて硬化させる工程からなる両面フレキシブルプリント基板の製造方法。
【化1】


(式中、m、nは平均値でありm+nは2〜200の正数であり、nは0.1以上の正数である。Ar、Arは二価の芳香族基、Arはフェノール性水酸基を有する二価の芳香族残基である。) (もっと読む)


【課題】新規なジエポキシ化合物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表わされるジエポキシ化合物であり、これは、無機塩の存在下、相当するジヒドロキシ化合物とエピハロヒドリンとを反応させることにより製造される。
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【課題】粗化処理された粗化硬化物の表面の濡れ性を高めることができるエポキシ樹脂材料を提供する。
【解決手段】本発明に係るエポキシ樹脂材料は、樹脂組成物又は該樹脂組成物がフィルム状に成形されたBステージフィルムであるエポキシ樹脂材料である。上記樹脂組成物は、エポキシ樹脂と硬化剤と無機フィラーとを含む。比較的厳しい条件で得られた第1の粗化硬化物の表面の算術平均粗さRaは50nm以上、300nm以下である。上記第1の粗化硬化物の表面の算術平均粗さRaは、比較的穏やかな条件で得られた上記第2の粗化硬化物の表面の算術平均粗さRaの4倍以下である。上記第1の粗化硬化物の表面自由エネルギーは60mJ/m以上、80mJ/m以下である。上記第2の粗化硬化物の表面自由エネルギーは60mJ/m以上、80mJ/m以下である。 (もっと読む)


【課題】エポキシ樹脂とシリコーン樹脂の特長である良好な耐熱性、光透過性などの特性を維持しつつ、薄膜硬化性、耐ガス透過性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物。(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有する化合物、又は式(1)で示されるシリコ−ン変性エポキシ化合物100質量部


(Rは、炭素数1〜20の1価炭化水素基、Rは、N,N’−ジグリシジルトリアジン基、Xは、末端にRを持つ、珪素数1〜61の(ポリ)シロキサン。a、bは0〜30の整数であり、cは0〜10の整数であり、1≦a+b+c≦70である。)(B)硬化剤10〜100質量部(C)1分子中に2個以上のヒドロキシ基又はアルコキシ基を有する、シラン又はシロキサン0.01〜50質量部(D)硬化触媒0.05〜3質量部 (もっと読む)


【課題】絶縁樹脂層表面の凹凸形状が小さい状態でも、配線導体に対して容易に高い接着力を発現し得る絶縁樹脂、配線板及び配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)紫外線活性型エステル基含有化合物、(C)イソシアネートシラン、及び(D)エポキシ樹脂硬化促進剤を含む樹脂組成物である。 (もっと読む)


【課題】 半導体素子を搭載した半導体装置を封止する際に使用される半導体封止用エポキシ樹脂組成物、詳細には、耐熱性、耐湿性に優れた硬化物を与えることができ、室温保管時の流動性低下が少なく、封止時の流動時間が長いために、ボイド等の発生や金線流れが少ないといった特徴を有する半導体封止用潜在性エポキシ樹脂組成物の提供、及び該組成物で封止された高信頼性の半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)硬化促進剤を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、
前記(C)成分である硬化促進材が、カルボキシル基を有するモノビニル単量体(c1)単位と多官能性単量体(c2)単位からなる重合体(c3)の粒子と、イミダゾール化合物(c4)との反応生成物であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】硬化前には優れたレベリング性を有し、硬化後には高硬度となり、金属およびガラスへの接着性が良好で、しかも、硬化収縮による外観異常が抑制された湿気硬化型樹脂組成物を提供する。
【解決手段】加水分解性シリル基を有する有機重合体(A)100質量部と、エポキシ樹脂(B)3〜100質量部と、ケチミン化合物(C)と、上記加水分解性シリル基に対する硬化触媒(D)とを含み、上記ケチミン化合物(C)が有するイミノ基のモル当量の上記エポキシ樹脂が有するエポキシ基のモル当量に対する比(イミノ基のモル当量/エポキシ基のモル当量)が0.5〜1.5であり、上記ケチミン化合物(C)のうち少なくとも0.2モル当量が、1013hPaにおける融点が35℃以下かつ沸点が100℃以上のポリアミンと、ケトンとの反応によって得られるケチミン化合物であり、かつ、23℃における粘度が0.1〜100Pa・sである湿気硬化型樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】
先供給方式のための半導体封止充てん用樹脂組成物として用いた場合に、優れた接続信頼性が奏され、かつ接続の際の樹脂中のボイドの発生を充分に抑制することが可能な半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】
複数のバンプが形成された半導体チップと、複数の電極を有する基板と(ただし、前記バンプ及び前記電極の少なくとも一方の表面にすず又ははんだが存在する)、を電気的に接続するために用いられる、半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、フラックス剤を必須成分とし、上記接続は、所定の方法により実施される半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】低温及び短時間での接続においても、局所的な硬化不良が起こり難く、接続領域における配線及び電極の腐食の発生が抑制され、長期の信頼性を与える接続が可能な、保存安定性の高い異方導電性接着フィルムを提供すること。
【解決手段】フィルム形成性ポリマー(A)、エポキシ樹脂(B)、潜在性硬化剤(C)及び導電粒子(D)を含有する異方導電性接着フィルムであって、潜在性硬化剤(C)が、重量平均分子量の数平均分子量に対する比として定義される分子量分布が3以下であるアミンアダクトを含有し、フィルム形成性ポリマー(A)100質量部に対し、エポキシ樹脂(B)を50質量部以上190質量部以下、及び潜在性硬化剤(C)を15質量部以上75質量部以下含有し、異方導電性接着フィルム全体に対して導電粒子(D)を0.1質量%以上30質量%以下含有する、異方導電性接着フィルム。 (もっと読む)


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