【課題】アゾ顔料の結着樹脂への分散性が良好で、良好な色調を有し、画像カブリ抑制、転写効率が良好で長期的に安定した画像が得られるトナーの提供。
【解決手段】少なくとも、結着樹脂、特定の高分子樹脂ユニットに特定のビスアゾ骨格ユニットが結合した化合物、及び、着色剤としてアゾ顔料を含有するトナー母粒子を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオン交換膜充電用組成物、イオン交換膜の製造方法、イオン交換膜及びレドックスフロー電池を提供する。
【解決手段】イオン伝導性物質及び水溶性支持体を含むイオン交換膜充電用組成物。前記イオン伝導性物質は、イオン伝導性モノマー及びイオン伝導性ポリマーからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。また、前記水溶性支持体は、水溶性モノマー及び水溶性ポリマーからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光酸発生剤を用いずに、特定の部分をアルカリ溶液で溶解して除去した高分子膜の提供。
【解決手段】（Ａ）窒素カチオンを有するオニウム塩と（Ｂ）アルカリ難溶性樹脂を含有する組成物を支持体の上に適用して膜を形成すること、および上記膜の表面の一部または全部に、プラズマを照射してプラズマ照射した部分をアルカリ溶液で溶解除去することを含む高分子膜の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基を含む繰り返し単位（ａ１）と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも１つを含む繰り返し単位（ａ２）と、オキシラン環を有する繰り返し単位（ａ３）を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）とマスク忠実性（ＭＥＦ）を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、新規な化合物の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有し、基材成分（Ａ）は、式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基］。
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【課題】解像性に優れるレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつ酸の作用により分解しアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。［式（Ｉ）中、環Ｈ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜２０の芳香族複素環を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基を表す。］
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【課題】低燃費性、ウェットグリップ性能、耐摩耗性をバランスよく改善できるタイヤ用ゴム組成物、及びこれを用いた空気入りタイヤを提供する。
【解決手段】ゴム成分１００質量％中、特定の窒素含有化合物に由来する構成単位を主鎖中に有する変性スチレンブタジエンゴムを５質量％以上含み、前記ゴム成分１００質量部に対して、シリカを１０〜１５０質量部、軟化点−２０〜２０℃のレジンを３〜４０質量部含むタイヤ用ゴム組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用又はＥＢ用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ａ５−０−１）又は（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）を有する重合体（Ａ１）を含有し、該構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該重合体（Ａ１）に対して１００ｐｐｍ以下であるレジスト組成物。式中、Ｑ^１及びＱ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】ポリフルオロアルキルアルコール(メタ)アクリル酸誘導体を共重合単位として含有する含フッ素共重合体であって、それを表面改質剤の有効成分として用いたとき、表面改質剤の耐熱性をさらに改善せしめたものを提供する。
【解決手段】一般式
C_nF_2n+1(CH₂CF₂)_a(CF₂CF₂)_b(CH₂CH₂)_cOCOCR=CH₂ (ここで、Rは水素原子またはメチル基であり、nは1〜6の整数であり、aは1〜4の整数であり、bは1〜3の整数であり、cは1〜3の整数である)で表されるポリフルオロアルキルアルコール(メタ)アクリル酸誘導体およびスチレンまたはその誘導体の共重合体よりなり、重量平均分子量Mwが2,000〜20,000,000である含フッ素共重合体およびそれを有効成分とする表面改質剤。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネスのレジストパターンを製造し得るレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、樹脂及び酸発生剤を含有し、樹脂が、式（ａ１−０）で表される構造単位を含み、かつ、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂であるレジスト組成物。
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【課題】現像時における未露光部の溶解を抑制することができるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）無機粒子、（成分Ｂ）酸基を有する分散剤、（成分Ｃ）溶剤、（成分Ｄ）（ａ−１）酸及び／又は熱によって脱離する基を有する構成単位と（ａ−２）架橋性基を有する構成単位とを有する重合体、並びに、（成分Ｅ）光酸発生剤を含有し、成分Ｄの酸価が、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下式（Ｉ）で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


［式中、Ｑ^Ｉ１及びＱ^Ｉ２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、ｎは、０又は１を表し、ｍ１及びｍ２は、それぞれ独立に、０又は１を表し、Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、ｎが０の時、Ｘ^１は単結合ではなく、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表し、Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性、良好なパターン形状、残渣低減、良好なラインエッジラフネスを高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガス性能が充分に良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、また、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法の提供。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生する繰り返し単位（Ａ）と、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｃ）とを有する樹脂（Ｐ）を含有し、前記樹脂（Ｐ）の分散度が１．２０以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】高感度であり、保存安定性に優れ、得られる硬化膜の信頼性（特に耐薬品性）に優れ、硬化膜製造の際の露光マージンや現像マージンが広い感光性樹脂組成物等の提供。
【解決手段】 （Ａ）酸分解性基で保護されたカルボキシ基を有するモノマー由来の繰り返し単位、および／または、酸分解性基で保護されたフェノール性水酸基を有するモノマー由来の繰り返し単位（ａ１）と、架橋基を有する繰り返し単位（ａ２）とを、同一の重合体および／または異なる重合体に含む重合体成分（Ｂ）下記一般式（ｂ１）で表されるオキシムスルホネート残基を含む化合物、および（Ｃ）溶剤、を含有し前記溶剤として、少なくとも１種の沸点が１８０℃未満の溶剤と、少なくとも１種の沸点が１８０℃以上の溶剤を含み、（沸点が１８０℃未満の溶剤の合計量）：（沸点が１８０℃以上の溶剤合計量）が質量換算で９９：１〜５０：５０である、感光性樹脂組成物。
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【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー３に形成したフォトレジスト膜２上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜１を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】加硫物とした際に低発熱性とウェットスキッド抵抗性のバランスに優れ、実用上十分な破壊強度を有し、かつ組成物の加工性にも優れている、変性共役ジエン系重合体組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）重合活性末端を持つ共役ジエン−芳香族ビニル系共重合体の該重合活性末端に、式（１）で表される変性剤を反応させて得られ、ガラス転移温度が−５０〜−５℃である変性共役ジエン−芳香族ビニル系共重合体と、（Ｂ）式（１）で表される変性剤で変性する方法以外で極性官能基を導入され、ガラス転移温度が−１２０〜−６０℃である変性共役ジエン系重合体と、を含むゴム成分、及び、（Ｃ）シリカを含有する変性共役ジエン系重合体組成物。［式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は各々独立して、Ｃ１〜２０のアルキル基又はＣ６〜２０のアリール基、Ｒ^５はＣ３〜１０のアルキレン基、Ｒ^６はＣ１〜２０のアルキレン基を表し、ｍは整数１又は２、ｎは整数２又は３である。］
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【課題】高感度、高解像性（高解像力など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有している。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス、スカムの低減、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるネガ型化学増幅レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクの提供。
【解決手段】（Ａ）酸及びアルカリに安定な下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｐ）、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（Ｑ）を有する高分子化合物、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに、（Ｃ）架橋剤を含有する、ネガ型化学増幅レジスト組成物。


一般式（Ｉ）中、Ｒ_１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｌ_１は、酸素原子又は−ＮＨ−を表す。Ｌ_２は、単結合又はアルキレン基を表す。Ａは、多環炭化水素基を表す。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン製造時のラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好なレジスト組成物を構成する酸発生剤の提供。
【解決手段】式（１）で表される基を有するヒドロキシ芳香族誘導体。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。＊は、ヒドロキシ芳香族環との結合手を表す。］ （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）