【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス、スカムの低減、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるネガ型化学増幅レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクの提供。
【解決手段】（Ａ）酸及びアルカリに安定な下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｐ）、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（Ｑ）を有する高分子化合物、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに、（Ｃ）架橋剤を含有する、ネガ型化学増幅レジスト組成物。


一般式（Ｉ）中、Ｒ_１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｌ_１は、酸素原子又は−ＮＨ−を表す。Ｌ_２は、単結合又はアルキレン基を表す。Ａは、多環炭化水素基を表す。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン製造時のラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好なレジスト組成物を構成する酸発生剤の提供。
【解決手段】式（１）で表される基を有するヒドロキシ芳香族誘導体。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。＊は、ヒドロキシ芳香族環との結合手を表す。］ （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、優れたパターン形状、高解像性（高い限界解像性など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が６以上のアルキル基、炭素数が６以上のシクロアルキル基、炭素数が９以上のアリール基、炭素数が１０以上のアラルキル基、少なくとも１個の炭素数３以上のアルキル基で置換された芳香環基、及び、少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される１つ以上の基を有する樹脂と、（Ｄ）溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有するパターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】高感度で、現像後のパターン倒れの発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスの提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ａ０）で表される部分構造を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程（４）を有するパターン形成方法。


上記一般式中、Ａｒは樹脂（Ａ）の主鎖と直接又は間接的に結合する芳香環基を表し、Ｒ_ａは水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性、摩擦摺動特性および吸収振動性を有する硬化物が得られるフェノール樹脂組成物を提供する。
【解決手段】アクリル酸エステル類モノマーとアルケニルフェノール類モノマーとの共重合体（Ｉ）およびフェノール樹脂（ＩＩ）を含むフェノール樹脂組成物であって、共重合体（Ｉ）は下記要件（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を満たす、フェノール樹脂組成物。（Ａ）前記アクリル酸エステル類モノマー／前記アルケニルフェノール類モノマーの重量比が９５／５〜６５／３５である。（Ｂ）重量平均分子量が４００００以上９００００以下である。（Ｃ）ガラス転移温度が−１０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】耐溶剤性に優れ、低比誘電な硬化膜を形成できるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）カルボキシル基を有するモノマー単位および／またはフェノール性水酸基を有するモノマー由来の繰り返し単位（ａ１）と、オキセタニル残基を有するモノマー由来の繰り返し単位（ａ２）と、を有する共重合体、ならびに（Ｂ）感放射線酸発生化合物、を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
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【課題】加工性、低燃費性、ウェットグリップ性能、耐摩耗性をバランスよく改善できるタイヤ用ゴム組成物、及びこれを用いた空気入りタイヤを提供する。
【解決手段】特定の窒素含有化合物に由来する構成単位を主鎖中に有する変性スチレンブタジエンゴムと、シリカと、下記式（１）で表される化合物とを含むタイヤ用ゴム組成物に関する。
［化１］
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【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造できるレジスト組成物及び該レジスト組成物に含まれる樹脂製造用化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｎ−又は炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基を表す。ｎは１〜６の整数を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^２は、水素原子又は酸に不安定な基を表す。］ （もっと読む）

【課題】押出機内でのサージングの発生を抑制できるＳＰＳペレットの製造方法を提供する。
【解決手段】重合器において、重合触媒を用いてスチレンモノマーを重合して、シンジオタクチック構造を主に有するスチレン系重合体を含む粉体状物を製造し、前記粉体状物を押出機で押出溶融するスチレン系重合体ペレットの製造方法であって、前記粉体状物を重合器から前記押出機に供給する前に、前記粉体状物に前記重合触媒の失活剤を添加するスチレン系重合体ペレットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ラジカル分子を用いた二次電池において、高速充放電することができる二次電池を提供する。
【解決手段】二次電池用の正極材又は負極材は、下記構造（１）式によって示されるイオン液体であって、ラジカル分子Rがアルキル鎖を介してカチオン部位に担持され、アルキル鎖の炭素数nが１〜１０であるイオン液体を用いる。
【化１】
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【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも１種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分（Ｃ）と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ）（ただし前記樹脂成分（Ｃ）を除く。）と、を含有し、前記樹脂成分（Ｃ）中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が２０モル％以上であることを特徴とするＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、保存安定性に優れたレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明の酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、即ち溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する効果が非常に高い特徴を有する。このレジスト膜を用いてドットパターン又は格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】水溶性やイオン性のビニルモノマー、溶媒、あるいは両者を用いても、高収率で重合体を得ることができる重合開始剤を提供し、さらにこれを用いたビニルモノマーの重合方法を提供する。
【解決の手段】
ｔ−Ｂｕ_ｎＺｎＸ_{（２−ｎ）}・（ＭＹ_ｍ）_ｌ （１）
（式（１）中、ｎは１〜２の実数であり、Ｘはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のいずれかを表し、Ｍは周期表第１族および第２族から選ばれる金属を示し、Ｙはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のいずれかを表し、ｍは１〜２の整数を示し、ｌは０．１〜６の実数である。）で示される有機亜鉛化合物と金属塩との錯体からなる重合開始剤および、この重合開始剤を用いるビニルモノマーの重合方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れ、ディフェクトを低減可能なレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつフッ素原子を含む構成単位（ｆ１）を有する重合体；該重合体は主鎖の少なくとも一方の末端に式（Ｉ−１）で表される基を有することが好ましい；該重合体を含有するレジスト組成物；該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
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【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】分子内に、ベンジルチオカルバメート基（−Ｐｈ−ＣＨ_２−ＳＣＳＮＲ_２）を含有する高分子化合物（Ａ）と、分子内に２個以上の不飽和二重結合を含有する不飽和二重結合化合物（Ｂ）とを含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 （もっと読む）

【課題】適用し得る高分子化合物の範囲が広く、且つ、簡便に光学活性の付与された高分子化合物を得る方法の提供。
【解決手段】下記式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物に、円偏光を照射する、高分子化合物の変性方法。


（式中、Ｒ^１は置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は下記式（２）の２価の基、）
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【課題】スルホン酸基含有ビニルモノマーの重合体を、活性プロトンを有するモノマー、溶媒、あるいは両者を用いても、高収率で重合体を得ることができるスルホン酸基含有ビニルモノマーの重合方法を提供する。
【解決の手段】
ｔ−Ｂｕ_ｎＲ_３−ｎＺｎＭ またはｔ−Ｂｕ_ｍＲ’_４−ｍＺｎＭ_ｌ
（式中、ｎは１〜３の整数であり、ｍは１〜４の整数であり、ｌは１〜２の実数であり、Ｒ及びＲ’は各々同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはアリールアルキル基を示す。Ｍはリチウム、マグネシウムあるいはＭｇＸ（Ｘは塩素、臭素、ヨウ素のいずれかを表す）で示されるハロゲン化マグネシウムを表す。）で示される亜鉛アート錯体を重合開始剤として用いる、スルホン酸基含有ビニルモノマーの重合方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が高く、かつ、電気特性に優れた硬化膜が得られる新規な化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示される化合物。一般式（Ｉ）中、Ｆは電荷輸送性骨格を示し、Ｌは−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−基を含む２価の連結基を示し、ｍは１以上８以下の整数を示し、ｎは３以上６以下の整数を示す。


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