【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜５の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、スカムの低減、及び、現像欠陥の低減を同時に満足したパターンを形成できるネガ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクを提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位（ａ）、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｂ）を有する高分子化合物、並びに、（Ｂ）架橋剤を含有する、ネガ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ａは−（ＣＲ²₂）_m−、Ｂは−（ＣＲ⁵₂）_n−を示し、Ｒ²、Ｒ⁵は水素原子又はアルキル基、Ｒ²同士又はＲ⁵同士が互いに結合して環を形成してもよい。ｍ、ｎは１又は２、Ｒ⁶はアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基、Ｒ³はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基であり、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。ｐは０〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】Ｃ₄〜Ｃ₈モノオレフィンモノマーおよびＣ₄〜Ｃ₁₄マルチオレフィンモノマーを含むモノマー混合物から誘導されたコポリマーをハロゲン化することにより製造されたポリマーと比べて、向上した特性を有するハロゲン化ターポリマーを提供する。
【解決手段】８０〜９９質量％のＣ₄〜Ｃ₈モノオレフィンモノマー、０．５〜５質量％のＣ₄〜Ｃ₁₄マルチオレフィンモノマーおよび０．５〜１５質量％のp-メチルスチレンモノマーからなるハロゲン化ブチルターポリマーであって、該ターポリマーは、分子量分布を有しており、該モノマーは、分子量分布全体にわたって組成が等質であるターポリマーを形成するようにランダムに分布している、ハロゲン化ブチルターポリマー （もっと読む）

【課題】 洗浄時に優れた再汚染防止能を発揮することができ、界面活性剤との相溶性にも優れたアミノ基含有重合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 特定の構造を有する（ｉ）アミノ基含有単量体に由来する構造単位と、（ｉｉ）ノニオン性単量体および／または上記以外のアミノ基含有含有単量体に由来する構造単位、とを必須とするアミノ基含有重合体である。 （もっと読む）

【課題】化学増幅ネガ型レジスト組成物の構成成分として用いた場合、レジストパターン形成後に得られるパターンのラインエッジラフネスが小さく、かつ、分子量が低くても十分な実用感度を与える高分子化合物、この高分子化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物、及びこのレジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】Ｎ，Ｎ’−ビス（アルコキシメチル）テトラヒドロピリミジノン骨格又はＮ，Ｎ’−ビス（ヒドロキシメチル）テトラヒドロピリミジノン骨格を側鎖に有する不飽和カルボン酸エステルエステル系重合体及び芳香族ビニル系重合体より選ばれる高分子化合物。
【効果】上記高分子化合物を化学増幅ネガ型レジスト組成物に配合することで、微細パターンが要求されるネガ型レジストパターンの形成において、ラインエッジラフネスが改善され、高解像度で微細なパターンを得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】下記一般式（１）で示されることを特徴とする重合性モノマー。


（式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基である。Ｒ²は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ³は、酸不安定基である。ｍは、１〜４の整数である。）
【効果】本発明の重合性モノマーを（共）重合して得られる高分子化合物をベース樹脂とするポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、本発明によれば、特に超ＬＳＩ製造用又はフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料等として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光弾性係数が小さく、位相差が大きく、偏光子との貼合性に優れた光学フィルムを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表わされる単量体と水酸基もしくはアミド結合を有する単量体とを少なくとも含む重合体（Ａ）とセルロースエステル（Ｂ）とを含有するフィルム。


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、または炭素原子、酸素原子、窒素原子、リン原子及びケイ素原子、スズ原子のいずれか１種類以上を含む置換基を表し、ｎは０〜４の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】 露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さい、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作製における微細パターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及びフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】 少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位ａを含む、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。
【化１】
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【課題】より一層優れた光反射性を得ることができ、しかも液晶表示装置の構成部材として使用した場合に、より一層の精彩性を得ることができる反射フィルムを提案する。
【解決手段】シクロオレフィン系樹脂を主たる構成成分とするシクロオレフィン系樹脂組成物を含有する反射フィルムであって、該反射フィルムの黄色度（ＹＩ値）が１．４未満であり、波長６１５ｎｍ、５４５ｎｍ及び４４０ｎｍの光に対する光反射率がいずれも９７％以上であることを特徴とする反射フィルムを提案する。 （もっと読む）

【課題】容易に製造可能であり、活性エネルギー線や熱によって硬化し得る飽和炭化水素系重合体、および、これを含有する硬化性に優れた組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）：
−Ｚ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−Ｒ¹−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（Ｒ²）＝ＣＨ₂
（式中、Ｒ¹は２価の有機基、Ｒ²は水素原子、または、置換あるいは非置換の炭素原子数１から２０の炭化水素基、Ｚはヘテロ原子、ＮＲ³（Ｒ³は、水素原子、または、置換あるいは非置換の炭素原子数１から２０の炭化水素基）から選択される基である。）で表される置換基を分子内に１個以上有する飽和炭化水素系重合体（Ａ）。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスの低減、温度変化に対しての線幅変動低減、また高解像性の化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】芳香環を側鎖に有する特定の繰り返し単位と、窒素原子を側鎖に有する特定の繰り返し単位を含む高分子化合物（ＰＢ）、及び、スルホン酸のスルホニウム塩を側鎖に有する特定の繰り返し単位と、酸分解性保護基で保護された酸性側鎖を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物（ＰＡ）を含有する化学増幅ポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）水性アルカリ性現像液に可溶性であり、酸触媒による反応で水性アルカリ性現像液に不溶性となるベースポリマー、及び／又は、水性アルカリ性現像液に可溶性であり、酸触媒により架橋剤と反応して水性アルカリ性現像液に不溶性になるベースポリマーと架橋剤の組み合わせ、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、上記ベースポリマーの少なくとも一部として、一般式（１）で示される高分子化合物を用いる。


【効果】酸の拡散をより均一かつ低拡散にすることができ、ラインエッジラフネスの改善、パターンの基板依存性の小さい化学増幅ネガ型レジスト組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスが小さく、また、高感度でスループットの高い、更に、パターンの基板依存性の小さなネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(Ａ)水酸基を置換した芳香族環を側鎖に有する繰り返し単位（１）を含むベースポリマーと、酸存在下に繰り返し単位（１）への求電子反応により架橋を形成する架橋剤との組み合わせ(Ｂ)酸発生剤(Ｃ)塩基性成分として窒素含有化合物を有し、上記ベースポリマーの少なくとも一部は、式(３)


(Ｒ³はアルキル、ヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、メルカプトアルキル又はアルキルチオアルキル。)で示される基を有する化学増幅ネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、レジスト材料として用いることのできるスルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式（１）で示されるスルホニウム塩。


（式中、Ｘ、Ｙは重合性官能基を有する基を示す。Ｚはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３３の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３６の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３０の一価の炭化水素基を示すか、あるいはＲ^２及びＲ^３が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。） （もっと読む）

【課題】レジスト組成物自体の熱安定性・保存安定性が良好で、ＣｌやＮａなどのイオン性の不純物が少なく、広い波長領域で透明性に優れ、厚膜かつアスペクト比の高いレジストパターンが得られるイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】次の成分（Ａ）および（Ｂ）を含有するイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物並びに上記のネガ型レジスト組成物を利用するパターン形成方法。（Ａ）下記式（１）または環状オレフィンを開環重合した後水素添加した重合体単位、ビニルエーテル重合体単位から選ばれ、イオンビームの照射により現像液に難溶又は不溶となる樹脂、（Ｂ）樹脂（Ａ）を溶解する少なくとも一種以上の有機溶剤。
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【解決手段】カルボキシル基のＨが下記一般式（１）の酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、ヒドロキシ基、ラクトン環、エーテル基、エステル基、カルボニル基、シアノ基、環状の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、環状の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、カーボネート基から選ばれる密着性基を有する繰り返し単位とを共重合してなる樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】ポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高解像性で、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好な上、酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】ブリッジが発生しにくく、また、基板依存性が小さく、解像性に優れたパターンを形成することができるネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ネガ型レジスト組成物であって、ベース樹脂は、スチレン系繰り返し単位を含み、重量平均分子量が１，０００〜１０，０００であり、塩基性成分として窒素を含有する化合物は、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を有しないアミン化合物の１種以上を含むものであることを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】パターン形成時にブリッジが発生しにくく、高い解像性を与えることができるネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）アルカリ可溶性であり、酸の作用によりアルカリ不溶性となるベースポリマー、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）塩基性成分を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記ベースポリマーは、少なくとも、フェノール性水酸基を側鎖に有するアクリレート単位及びエポキシシクロヘキシル基を有するアクリレートの繰り返し単位を含み、ポリマー間で酸架橋性を有する重量平均分子量が１，０００〜１０，０００である高分子化合物を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）