【課題】過酸化水素の使用量を低減することができ、安全かつ安価に（メタ）アクリル酸イミン重合体を酸化し、高いニトロキシド化率の（メタ）アクリル酸ニトロキシド重合体を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】（メタ）アクリル酸イミン重合体を酸化することにより、（メタ）アクリル酸ニトロキシド重合体を製造する方法であって、アミド溶媒中、タングステン酸触媒及びホスホン酸類の存在下にて、過酸化水素により式（１）（式（１）中、Ｒは水素又はメチル基を示す）で表される繰り返し単位を有する（メタ）アクリル酸イミン重合体を酸化する工程を有する（メタ）アクリル酸ニトロキシド重合体の製造方法。
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【課題】露光ラチチュード、及びＬＷＲなどのパターンラフネス特性に優れ、経時による性能の変動が少ない感放射線性樹脂組成物、それを用いた感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】放射線の照射により分解して酸を発生させる下記一般式（１）で表される化合物、及び酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感放射性樹脂組成物。一般式（１）中、Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立に、アリールを表し、Ｒ_１とＲ_２が連結していてもよい。Ｒ_３及びＲ_４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又はアリール基を表す。また、Ｒ_３とＲ_４が連結していてもよい。Ｒ_５は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、又はアルキルカルボニル基を表す。Ｒ_５は、Ｒ_３もしくはＲ_４と連結していてもよい。
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【課題】従来技術と比較して、セメント混和剤における各種の性能をより一層改善しうる手段を提供する。
【解決手段】本発明の親水性共重合体の製造方法は、化学式１で表されるカルボン酸単量体と、化学式２で表されるポリエーテル単量体とを必須成分として含有する単量体成分を反応器中、溶媒の存在下で溶液重合させることを含む。そして、初期仕込み液中に存在するナトリウム、マグネシウムおよびカルシウムの合計量が、初期仕込み液中に存在する前記ポリエーテル単量体の質量を基準として１〜３５０質量ｐｐｍである点に特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、レジスト膜に対する高い屈折率と高い吸光係数とを有し、耐パターン倒れ性に優れるレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される化合物に由来する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位及び環状カーボネート構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０〜２の整数である。
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【課題】複雑な操作や時間のかかる処理によらず、効率的に、特に半導体発光装置用封止剤として有用な二官能のイソシアヌレート化合物の濃度を高めることができるイソシアヌレート化合物の精製方法、これを用いた半導体発光装置用封止剤の製造方法、半導体発光装置用封止剤、光半導体用封止材及び光半導体素子の提供を目的とする。
【手段】イソシアヌレート化合物を含有する半導体発光装置用封止剤の製造方法であって、
下記式（ＩＩ）で表される化合物と、下記式（Ｉ）で表される化合物と、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物とを含有する原料混合物に対し、少なくとも特定の抽出工程を経ることにより、前記式（ＩＩ）で表される化合物の混合比を高める処理を含む半導体発光装置用封止剤の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、保存安定性に優れ、得られる硬化膜の信頼性（特に耐薬品性）に優れ、硬化膜製造の際の露光マージンや現像マージンが広い感光性樹脂組成物等の提供。
【解決手段】 （Ａ）酸分解性基で保護されたカルボキシ基を有するモノマー由来の繰り返し単位、および／または、酸分解性基で保護されたフェノール性水酸基を有するモノマー由来の繰り返し単位（ａ１）と、架橋基を有する繰り返し単位（ａ２）とを、同一の重合体および／または異なる重合体に含む重合体成分（Ｂ）下記一般式（ｂ１）で表されるオキシムスルホネート残基を含む化合物、および（Ｃ）溶剤、を含有し前記溶剤として、少なくとも１種の沸点が１８０℃未満の溶剤と、少なくとも１種の沸点が１８０℃以上の溶剤を含み、（沸点が１８０℃未満の溶剤の合計量）：（沸点が１８０℃以上の溶剤合計量）が質量換算で９９：１〜５０：５０である、感光性樹脂組成物。
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【課題】本発明の目的は、撥水性、耐溶出性及び溶解性についての特性を満たしつつ、剥がれ耐性及び露光余裕度をバランス良く両立することができる液浸上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ１］下記式（ｉ）で表される基を含む構造単位（Ｉ−１）を有する重合体、［Ａ２］上記［Ａ１］重合体と異なる重合体、及び［Ｂ］溶媒を含有する液浸上層膜形成用組成物である。下記式（ｉ）中、Ｒ^１は、炭素数１〜２０の（ｎ＋１）価の炭化水素基である。ｎは、１〜３の整数である。［Ａ２］重合体の成膜状態での水との後退接触角は、［Ａ１］重合体よりも大きいことが好ましい。
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【課題】半導体発光装置における封止材の光学的な特性に着目し、適切に集光された狭い照射領域を実現する配光性を有し、しかも製造効率のよい成形方法を採用することができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リフレクターパッケージ基材２と、リフレクターパッケージ基材２の凹状空間に実装された半導体発光素子１と、半導体発光素子１を封止した極性基含有アクリル系樹脂を含む封止材３とを具備する半導体発光装置１０であって、封止材３の出光面が曲面状に凹んでおり、その凹んだ出光面の曲率半径が、該出光面の平面視における直径もしくは短辺の長さの１．８倍〜４．５倍に設定される。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー３に形成したフォトレジスト膜２上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜１を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】優れたラインエッジラフネスのレジストパターンを製造し得るレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、樹脂及び酸発生剤を含有し、樹脂が、式（ａ１−０）で表される構造単位を含み、かつ、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂であるレジスト組成物。
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【課題】反射率が高く、しかも経時的に安定な反射率を有する白色反射膜を提供すると共に、そのような白色反射膜を有するＬＥＤ光源を提供すること。
【解決手段】配線パターンが形成された基板上に、アルカリ可溶感光性樹脂及び白色顔料を含有する白色反射膜形成材料から成る白色反射膜とＬＥＤチップ又はＬＥＤパッケージとを有するＬＥＤ光源に用いられるアルカリ可溶感光性樹脂の製造方法であって、カルボキシル基（ａ１）及び水酸基（ａ２）を有する（メタ）アクリル系重合体（Ａ）と、グリシジル基（ｂ１）及び（メタ）アクリル基（ｂ２）を有する化合物（Ｂ）とを、四級ホスホニウム塩（Ｃ）の存在下にエステル化反応させることを特徴とする側鎖に（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリル系重合体（Ｄ）からなるアルカリ可溶感光性樹脂の製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ａ^Ｉ１は、炭素数１〜４９の４価の炭化水素基を表し、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。ｍは２又は３を表し、複数存在する環Ｗ^Ｉ１は、それぞれ独立に炭素数２〜３６の飽和複素環を表す。ｎは１又は２を表す。但し、ｍ＋ｎ＝４の関係を満たす。］ （もっと読む）

【課題】液浸露光時における疎水性を確保しつつ、現像欠陥を抑制することができるフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】［Ａ］親水性基を含む構造単位（Ｉ）を有するフッ素原子含有重合体、［Ｂ］アルカリ解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有するフッ素原子含有重合体、及び［Ｃ］酸解離性基を有する重合体を含有し、［Ａ］重合体、［Ｂ］重合体及び［Ｃ］重合体は互いに異なる重合体であるフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】塗布面状に優れ、耐刷性および耐汚れ性に優れた平版印刷版原版の提供。
【解決手段】支持体上に、下塗り層と、画像記録層とを該順に有し、前記下塗り層が、（ａ１）一般式（Ｏ）で表される繰り返し単位と、（ａ２）エチレン性不飽和結合を側鎖に有する繰り返し単位とを含む重合体（Ａ）を含むことを特徴とする平版印刷版原版。
一般式（Ｏ）
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【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス、スカムの低減、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるネガ型化学増幅レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクの提供。
【解決手段】（Ａ）酸及びアルカリに安定な下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｐ）、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（Ｑ）を有する高分子化合物、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに、（Ｃ）架橋剤を含有する、ネガ型化学増幅レジスト組成物。


一般式（Ｉ）中、Ｒ_１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｌ_１は、酸素原子又は−ＮＨ−を表す。Ｌ_２は、単結合又はアルキレン基を表す。Ａは、多環炭化水素基を表す。 （もっと読む）

【課題】低極性被着体に対する接着性が向上したアクリル系粘着テープを提供する。
【解決手段】アクリル系粘着剤組成物は、アクリル系ポリマー（Ａ）１００質量部と、側鎖にテルペン骨格を有し、重量平均分子量が１０００以上３００００未満の（メタ）アクリル系重合体（Ｂ）１〜７０質量部と、を含む。（メタ）アクリル系重合体（Ｂ）は、粘着性組成物としてのアクリル系ポリマー（Ａ）より重量平均分子量が小さい重合体であり、粘着付与樹脂として機能する。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】第四級アンモニウム塩を含む組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）第三級アミノ基を有するマンニッヒ反応生成物であって、上記マンニッヒ反応生成物は、ヒドロカルビル置換フェノールと、アルデヒドと、アミンとの反応より調製される、マンニッヒ反応生成物；および（ｂ）上記第三級アミノ基を第四級窒素に変換するのに適切な第四級化剤の反応の反応生成物より作製される第四級アンモニウム塩清浄剤、および吸気弁デポジットを低減するための上記第四級アンモニウム塩清浄剤の燃料組成物中での使用。 （もっと読む）

【課題】パターン形状に優れるレジストパターンを形成でき、パターン倒れ耐性を向上させ、ブロッブ欠陥及びブリッジ欠陥の発生を低減できる液浸用上層膜形成組成物の提供。
【解決手段】本発明は、［Ａ］同一又は異なる重合体中にカルボキシル基を含む構造単位（Ｉ）、スルホ基を含む構造単位（ＩＩ）、α−トリフルオロメチルアルコール基を含む構造単位（ＩＩＩ）、スルホンアミド基を含む構造単位（ＩＶ）及び下記式（ｉ）で表される基を含む構造単位（Ｖ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する重合体成分を含有する液浸用上層膜形成組成物であって、この液浸用上層膜形成組成物が［Ａ］重合体成分の同一又は異なる重合体中に、芳香族含窒素複素環を含む構造単位（Ａ）をさらに有するか又は［Ｂ］芳香族含窒素複素環を有する化合物をさらに含有するかの少なくともいずれか一方であることを特徴とする。
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【課題】レジスト組成物に有用な酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分（Ｂ）が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０４はそれぞれ独立にアルキル基またはアルコキシ基であり、ｎ１は１〜５の整数であり、ｎ３およびｎ４はそれぞれ独立に０〜３の整数である。Ｘ⁻はアニオンである。
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