【課題】 焦点深度ラチチュード（Ｄｅｐｔｈ Ｏｆ Ｆｏｃｕｓ）が大きく、経時でのパーティクル発生が少ないという液物性を有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】 （Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｂ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記化合物（Ａ）として、特定の２種の化合物からなる組み合わせ（Ａ−１）、又は、特定の２種の化合物からなる組み合わせ（Ａ−２）を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】感度、解像性及びリソグラフィー特性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、一般式（ａ５−０）で表される構成単位（ａ５）と、露光により酸を発生する構成単位（ａ６）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】 重合性液晶組成物を構成した場合に高い保存安定性、高いコレステリック配向性及び短いピッチを示す重合性化合物及び当該重合性化合物を含有する重合性液晶組成物を提供する。更に、当該重合性液晶組成物を重合させることで得られる重合体及び当該重合体を用いた光学異方体を提供する。
【解決手段】 一般式（Ｉ）
【化１】


で表される重合性化合物を提供する。更に、当該重合性液晶化合物を含有する重合性液晶組成物、並びに当該重合性液晶組成物を重合させることで得られる重合体及び当該重合体を用いた光学異方体を提供する。 （もっと読む）

【課題】パターン位相差フィルムの形成に用いることで、配向方向をより厳密に制御し、また、帯電による外観不良を改善する重合性液晶組成物を提供する。
【解決手段】本発明の重合性液晶組成物は、酸素原子以外の孤立電子対を有する原子を有さない孤立電子対非含有化合物のみで構成されている１種又は２種以上の重合性液晶化合物を含有する。重合性液晶化合物は、分子中にシアノ基又はハロゲン基を有さないこと、分子末端にシアノ基又はハロゲン基を有さないこと、フェニル基のパラ位をシアノ基又はハロゲン基で置換したｐ−置換フェニル基を分子末端に有さないことが好適である。また、重合性液晶組成物はパターン位相差フィルムに用いられ、パターン位相差フィルムは、基材上に、偏光照射により光配向性を発揮する光配向材料を含むパターン配向層が形成され、このパターン配向層上に上記重合性液晶組成物を含む位相差層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】矩形性の高い良好な断面形状、高い残膜率及びブリッジ欠陥の低減を鼎立し得る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いて形成されたレジスト膜及び該組成物を用いたパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位と、ラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位と、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位とを有する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


一般式（１）中、
Ｌは、単結合又は２価の連結基を表し、
Ｒ_１は、水素原子又はアルキル基を表し、
Ｚは、環状酸無水物基を表す。 （もっと読む）

【課題】機械的強度、配向性等の特性に優れ、かつ重合後の透明性に優れる重合性化合物、該重合性化合物を含有する重合性組成物であって、かかる重合性組成物を硬化して得られる重合膜を薄膜化しても、均一な膜状態を維持し、耐熱性や配向制御及び光学特性に優れる重合性組成物、及び該重合性組成物を重合して得られる重合物を含有する重合膜を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される重合性化合物、該重合性化合物を含有する重合性組成物及び該重合性組成物を重合して得られる重合物を含有する重合膜。


（式中、環Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃及びＡ₄は、それぞれ独立に、ベンゼン環、シクロヘキサン環又はナフタレン環を表し、Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。ｍ及びｎはそれぞれ独立に０か１である。） （もっと読む）

【課題】ネガ型パターンを高解像性で、かつ、良好な形状で形成できるレジストパターン形成方法と、これに用いるのに好適なレジスト組成物の提供。
【解決手段】基材成分（Ａ）及び光塩基発生剤成分を含有するレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後にベークを行う工程、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物であって、（Ａ）成分は酸分解性基を含む構成単位、−ＳＯ_２−又はラクトン含有環式基を含む構成単位、式（ａ３−１）で表される構成単位（但し１０モル％以下）を有する高分子化合物を含む。
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【課題】ディフェクトの発生が低減され、リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、−ＳＯ_２−含有環式基を含むモノマーと、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含むモノマーとを共重合して高分子化合物（但し、該高分子化合物は露光により酸を発生するモノマーから誘導される構成単位を含まない）を製造する方法であって、前記共重合を、前記−ＳＯ_２−含有環式基を含むモノマーに対して、０．００１〜１．０モル％の塩基性化合物の存在下で行うことを特徴とする高分子化合物の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】マスクエラーファクター優れたレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表すか又はＲ^１及びＲ^２が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数５〜２０の環を形成する。Ｒ^４は、エチレン性二重結合を含む基を表す。Ｗは、炭素数６〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表す。Ｔ^１は、単結合、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｔ^２は、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。］ （もっと読む）

【課題】感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性に優れる高分子化合物、レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、（ａ５−０）で表される構成単位を有する高分子化合物を含む基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（式（ａ５−０）中、Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Ｒ^１は硫黄原子又は酸素原子である。Ｒ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｙは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基である。）
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【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】形状に優れたレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
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【課題】良好な形状を有するレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、脂肪族炭化水素基を表すか、Ｒ^１及びＲ^２が互いに結合し環を形成する；Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基等；ｍ及びｎは、それぞれ０又は１；Ｘ^１は、単結合、−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｌ−＊（ｌは１〜６の整数、＊はＯとの結合手を表す。）等を表す］ （もっと読む）

【課題】アゾ顔料の結着樹脂への分散性が良好で、良好な色調を有し、画像カブリ抑制、転写効率が良好で長期的に安定した画像が得られるトナーの提供。
【解決手段】少なくとも、結着樹脂、特定の高分子樹脂ユニットに特定のビスアゾ骨格ユニットが結合した化合物、及び、着色剤としてアゾ顔料を含有するトナー母粒子を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部が良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、及び、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】酸によって分解しカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ａ１）を含む樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含み、繰り返し単位（ａ１）が、酸分解後のカルボキシル基を生じた際の該単位中に含まれる各原子の数を下式に代入し得られる値Ｘが０＜Ｘ≦５であるパターン形成方法。Ｘ＝（酸による分解後の繰り返し単位を構成する原子数の合計）／｛（炭素原子の数）−（炭素原子でも水素原子でもない原子の数）｝ （もっと読む）

【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージンが広いレジスト組成物に用いられる樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を含む樹脂。


［Ｔ^１は、環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を有する炭素数３〜３４の脂環式炭化水素基を表し、置換基を有してもよい。Ｘ^１は、酸素原子又は−Ｎ（Ｒ^ｃ）−；Ｒ^ｃは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基；Ｚ^１は、−Ｘ^２−又は−Ｘ^３−Ｘ^４−ＣＯ−Ｘ^５−；Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^５は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルカンジイル基；Ｘ^４は、酸素原子又は−Ｎ（Ｒ^ｄ）−；Ｒ^ｄは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基；Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。］ （もっと読む）