説明

Fターム[4J100BA56]の内容

付加系(共)重合体、後処理、化学変成 (209,625) | 構成元素 (28,779) | S含有基 (2,613) | 更にO原子を含有する基 (1,902) | −SO3M基、−O−SO3M基 (1,055)

Fターム[4J100BA56]に分類される特許

1 - 20 / 1,055



【課題】水/セメント比の大きな低乃至中強度の高炉スラグコンクリートにおいては、スランプロスが少なく、しかもブリーディング水の発生も少なく、また水/セメント比の小さな高強度の高炉スラグコンクリートにおいては、高炉スラグコンクリートの粘性を小さく抑えて高流動性のものを得ることができる高炉スラグコンクリート用混和剤及びこれを用いた高炉スラグコンクリートの調製方法を提供する。
【解決手段】比較的広範囲の高炉セメントの単位量及び水/セメント比とした高炉スラグコンクリート用の混和剤として、特定の水溶性ビニル共重合体と特定のポリアルキレンオキサイド付加物とを特定割合で含有するものを用いた。 (もっと読む)


【課題】感度、解像性及びリソグラフィー特性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)は、一般式(a5−0)で表される構成単位(a5)と、露光により酸を発生する構成単位(a6)とを有する高分子化合物(A1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
(もっと読む)


【目的】 本発明の目的は、高い吸湿性、放湿性を有し、かつその吸湿、放湿性能を短時間で発現することのできる吸脱湿剤を提供することにある。
【解決手段】
−SO3で表される基を1.5mmol/g以上有する重合体からなる吸脱湿剤。 (もっと読む)


【課題】
本発明の課題は、工業的な水溶性重合体の製造に適用可能な光重合法として、紫外領域の光量が小さく、作業環境上安全性の高い光源で重合できる方法を完成し、その手法を利用して水溶性重合体、およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明者らは、前記課題を達成するために鋭意研究を重ねた結果、1種以上のビニル基を有する水溶性単量体、可視領域に吸収帯を有する有機色素および過酸化物を必須として含有する水性媒体からなる溶解液に、紫外領域の光量の小さい光源で可視光照射することにより、短時間でかつ残存単量体量の低減した重合体を得ることができることを見出し、本発明の完成に至った。 (もっと読む)


【課題】EUV用又はEB用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式(a5−0−1)又は式(a5−0−2)で表される基を含む構成単位(a5)と式(a6−1)で表される構成単位とを有する樹脂成分を含有し、構成単位(a5)を誘導するモノマー量が、該構成単位(a5)を有する重合体に対して100ppm以下のレジスト組成物。式中、Q、Q、Qは単結合又は連結基;R、R、Rは有機基であり、RとRとは環を形成してもよい。式中の基−R−S(R)(R)は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。Vは対アニオン、Aはアニオンを含む基;Mm+は芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない有機カチオン;mは1〜3の整数;Rは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基;Pは芳香族炭化水素基である。
[化1]
(もっと読む)


【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位(a1)とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)とを含有する高分子化合物[A]と、光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物は、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性を示し、例えば微細トレンチパターンやホールパターンの側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】従来技術と比較して、セメント混和剤における各種の性能をより一層改善しうる手段を提供する。
【解決手段】本発明のセメント混和剤用共重合体の製造方法は、化学式1で表される不飽和カルボン酸系単量体と、化学式2で表される不飽和ポリアルキレングリコール系単量体とを必須成分として含有する単量体成分を反応器中、溶媒、重合開始剤および連鎖移動剤の存在下で溶液重合させることを含む。そして、製造方法におけるいくつかのプロセスに要する時間を精密に制御する点に特徴を有する。 (もっと読む)


【課題】高感度かつ露光後焼成が不要で、アルカリ水溶液で現像することにより得られるパターニングされた透明膜の形成に有用なポジ型感光性組成物を提供する。
【解決手段】アルコキシシリルを有するラジカル重合性モノマー(a1)と、酸性基を有するラジカル重合性モノマー(a2)と、(a1)と(a2)以外のラジカル重合性モノマー(a3)とをラジカル共重合してなるポリマー(A)、光酸発生剤(B)、及び有機溶剤(C)を含有するポジ型感光性組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するEUV用又はEB用レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)又は(a0−2)で表される基を含む構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有し、前記基材成分(A)に加えて、光反応型クエンチャー(C)を含有することを特徴とするEUV用又はEB用レジスト組成物。式中の基−R−S(R)(R)は、全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。Mm+は、芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。
(もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用であり、且つ、使用するモノマーの種類に関わらず製造が可能である、露光により分解して酸を発生する高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】アニオン基と、スルホニウム又はヨードニウムカチオンとを有するモノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、洗浄した後、当該前駆体ポリマーをスルホニウム又はヨードニウムカチオンと塩交換させる、高分子化合化合物の製造方法であって、塩交換に用いるスルホニウム又はヨードニウムカチオンが、前記モノマー中のスルホニウム又はヨードニウムカチオンよりも疎水性が高いことを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。 (もっと読む)


【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 (もっと読む)


【解決手段】(A)酸不安定基を含む繰り返し単位(a1)と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも1つを含む繰り返し単位(a2)と、オキシラン環を有する繰り返し単位(a3)を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、(B)光酸発生剤、(C)溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス(LWR)とマスク忠実性(MEF)を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】疎水性が高く液浸水への溶出が低く、酸拡散制御による、高解像性パターンプロファイルの構築。
【解決手段】(A)式(1−1)の化合物(B)式(1−2)で示される酸発生剤、(C)ベース樹脂、(D)有機溶剤を含有するArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。


(Arはアリール基。)


(R1はアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基。R2は水素原子又はトリフルオロメチル基。Arはアリール基。) (もっと読む)


【課題】高感度、高解像性、良好なパターン形状、残渣低減、良好なラインエッジラフネスを高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガス性能が充分に良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、また、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法の提供。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生する繰り返し単位(A)と、下記一般式(I)で表される繰り返し単位(C)とを有する樹脂(P)を含有し、前記樹脂(P)の分散度が1.20以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(もっと読む)


【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、OOB光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー3に形成したフォトレジスト膜2上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜1を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式(1)に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
(もっと読む)


【課題】優れたレジストパターンのCD均一性(CDU)を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


[式(I)中、QI1及びQI2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。nは、0又は1を表す。Xは、単結合又は炭素数1〜10のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、nが0のとき、Xは単結合ではない。Wは、特定式(Ia1−1)又は特定式(Ia1−2)で表される構造を表す。Rは、水素原子又はメチル基を表す。Z1+は、有機対イオンを表す。] (もっと読む)


【課題】塗布面状に優れ、耐刷性および耐汚れ性に優れた平版印刷版原版の提供。
【解決手段】支持体上に、下塗り層と、画像記録層とを該順に有し、前記下塗り層が、(a1)一般式(O)で表される繰り返し単位と、(a2)エチレン性不飽和結合を側鎖に有する繰り返し単位とを含む重合体(A)を含むことを特徴とする平版印刷版原版。
一般式(O)
(もっと読む)


【課題】優れたパターン倒れ耐性(PCM)を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下式(I)で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


[式中、QI1及びQI2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表し、nは、0又は1を表し、m1及びm2は、それぞれ独立に、0又は1を表し、Xは、単結合又は炭素数1〜10のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、nが0の時、Xは単結合ではなく、Rは、水素原子又はメチル基を表し、Z1+は、有機対イオンを表す。] (もっと読む)


【課題】高分子量のビニルスルホン酸重合体を短時間で製造する方法を提供。
【解決手段】一般式R-C(=O)-NR1R2(Rは水素原子又は低級アルキル基を表す。R1、R2は、同一又は異なって、水素原子又は低級アルキル基を表す)で表されるアミド化合物の存在下にビニルスルホン酸を光重合させるビニルスルホン酸単独重合体の製造方法であって、前記アミド化合物の量が、ビニルスルホン酸1モルに対し0.4モル以上2.5モル以下である方法。 (もっと読む)


1 - 20 / 1,055