【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れ、また、高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる硬化物を形成でき、更には物理的、化学的安定性にも優れる含フッ素ポリマー、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物を提供する。
【解決手段】本発明は、下記式（Ｌ）：
［化１］


（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なり、Ｈ又はＦである。Ｘ^３は、Ｈ、Ｆ、ＣＨ_３又はＣＦ_３である。Ｘ^４及びＸ^５は、夫々同一又は異なり、Ｈ、Ｆ又はＣＦ_３である。Ｒｆは、炭素数４〜４０の含フッ素炭化水素基、又は、炭素数５〜１００のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基である。ａは０〜３の整数である。ｂ及びｃは同一又は異なり、０又は１である。）で表される構造単位を有する含フッ素ポリマーである。 （もっと読む）

【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、保存安定性に優れたレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥が少なくかつ良好なパターン形状を有するレジストパターンを形成できるフォトレジスト組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有するベース重合体、［Ｂ］塩基解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有し、［Ａ］重合体よりもフッ素原子含有率が高い重合体、及び［Ｃ］酸発生体を含有し、上記［Ａ］重合体のポリスチレン換算重量平均分子量が、１０，０００以上４０，０００以下であるフォトレジスト組成物である。上記塩基解離性基は、フッ素原子を有することが好ましい。上記塩基解離性基は、芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。構造単位（ＩＩ）が、下記式（２）で表されることが好ましい。
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【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも１種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分（Ｃ）と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ）（ただし前記樹脂成分（Ｃ）を除く。）と、を含有し、前記樹脂成分（Ｃ）中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が２０モル％以上であることを特徴とするＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明に係るレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】ディフェクトの発生を低減することができ、且つ保存安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、末端にフッ素化アルキルエステル基を有するフッ素含有有機基を側鎖に有する化合物成分（Ｆ）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性で、レジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）のレジストパターンを製造し得るレジスト組成物及び該レジスト組成物に用いられる新規な樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこの樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。


［Ｒ^aa１及びＲ^ab1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３は、フッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸安定基；Ａ^aa１は、炭化水素基；Ａ^ab1は、アルカンジイル基；Ｒ^ab2は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性で、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及びアルカリ現像液の作用により開裂する構造を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹³は、ハロゲン原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹⁴は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用途のために、改良された（すなわち、低減された）ライン幅ラフネスを有するフォトレジストポリマーを提供する。
【解決手段】ポリマーは、酸脱保護性モノマー、塩基可溶性モノマー、ラクトン含有モノマーおよび光酸生成モノマーを含むモノマー；下記式の連鎖移動剤；並びに場合によって開始剤の重合生成物を含む：


式中、Ｚはｙ価のＣ_１−２０有機基であり、ｘは０または１であり、Ｒ^ｄは置換もしくは非置換のＣ_１−２０アルキル、Ｃ_３−２０シクロアルキル、Ｃ_６−２０アリール、またはＣ_７−２０アラルキルである。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細加工に利用できるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表し、Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、ｍは０又は１を表し、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は２価の炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、環Ｗ^１及び環Ｗ^２は、炭素数３〜３６の炭化水素環を表し、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子等を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、ヒドロキシ基等を表し、Ｒ^５は、水素原子又はメチル基を表し、ｔは、０〜２の整数を表し、ｕは、０〜２の整数を表す。］
（もっと読む）

【課題】高い流動性、加工性、耐衝撃性、耐溶剤性、耐熱性を有するアクリル系樹脂を得
る。
【解決手段】ＪＩＳ−Ｚ８８０１に基づく篩を用いて篩い分けを行ったときの、
５００μｍ以上の粒子径の粒子の重量平均分子量（Ａ）と、
３５５μｍ〜３００μｍの粒子径の粒子の重量平均分子量（Ｂ）と、
１５０μｍ以下の粒子径の粒子の重量平均分子量（Ｃ）と、
において、下記関係式（１）、（２）を満たすアクリル系樹脂。
０≦｜[（Ａ）−（Ｂ）] ／（Ｂ）｜×１００（％）≦１０ ・・・（１）
０≦｜[（Ｃ）−（Ｂ）] ／（Ｂ）｜×１００（％）≦１０ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性を有し、かつ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂及び（Ｂ）アルカリ現像液の作用により開裂する構造を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ¹は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有し、且つ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ¹は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】フォトレジストポリマーに重合可能な新規光酸発生剤化合物、およびこの重合性光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）を有する化合物：


式中、Ｑはハロゲン化されているかもしくはハロゲン化されていないＣ_２−３０オレフィン含有基であり、Ａはフッ素置換Ｃ_１−３０アルキレン基、フッ素置換Ｃ_３−３０シクロアルキレン基、フッ素置換Ｃ_６−３０アリーレン基、もしくはフッ素置換Ｃ_７−３０アルキレン−アリーレン基であり、Ｚはスルホナート、スルホンアミドもしくはスルホンイミドを含むアニオン性基であり、並びにＧ^＋は特定のカチオンである。 （もっと読む）

【課題】 光学特性、耐久性、生産性、特に生産性に優れた立体画像表示用に用いられる複屈折レンズ材料を提供し、併せて生産性に優れた立体画像表示用複屈折レンズの製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも１つ以上の重合性官能基を有する液晶化合物、及び、少なくとも１つ以上の重合性官能基を有する非液晶化合物を含有する立体画像表示用複屈折レンズ材料及び当該立体画像表示用複屈折レンズ材料を用いた立体画像表示用複屈折レンズの製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性のレジストパターンを製造でき、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位と、式（ａｂ）で表される構造単位とを有する樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】レジスト溶剤への溶解性が高い、スルホニウム塩含有高分子化合物を提供する。
【解決手段】一般式（１ａ）、（２）及び（３）で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物。


（Ｒ¹はＨ、Ｆ、ＣＨ₃又はＣＦ₃を示す。Ｒ²〜Ｒ⁴は、いずれか１つ以上は４−フルオロフェニル基である特定の置換基。Ｒ⁸はＨ、又はアルキル基を示す。ｐは０又は１、Ｂは単結合又は２価の有機基を示す。ａは０〜３の整数、ｂは１〜３の整数、Ｘは酸不安定基を示す。） （もっと読む）

【課題】高い屈折率異方性と優れた青色レーザー耐光性を有し、膜厚むらおよび配向乱れが抑制された共重合体と光学素子、およびそれらを得るための新規な化合物を提供する。
【解決手段】
新規なビニルエーテル化合物は下式で表される。
CH₂=CH-O-(CH₂)_m-R-(CH₂)_n-O-w¹-(E¹)_h-w²-(E²)_j-(E³)_k-E⁴-R¹………（１）
式中、Ｒはアルキレン基、ポリフルオロアルキレン基等、Ｒ^１はアルキル基、シアノ基等、Ｅ^１は１，４−フェニレン基、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４は１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、またはトランス−２，６−デカヒドロナフタレニル基、
ｗ^１，ｗ^２はカルボニル基または単結合を示す。 （もっと読む）