【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー３に形成したフォトレジスト膜２上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜１を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、優れたパターン形状、高解像性（高い限界解像性など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が６以上のアルキル基、炭素数が６以上のシクロアルキル基、炭素数が９以上のアリール基、炭素数が１０以上のアラルキル基、少なくとも１個の炭素数３以上のアルキル基で置換された芳香環基、及び、少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される１つ以上の基を有する樹脂と、（Ｄ）溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有するパターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れ、ディフェクトを低減可能なレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつフッ素原子を含む構成単位（ｆ１）を有する重合体；該重合体は主鎖の少なくとも一方の末端に式（Ｉ−１）で表される基を有することが好ましい；該重合体を含有するレジスト組成物；該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
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【課題】フルオロポリマーの製造に好適な新規組成物、及び、この組成物を使用したフルオロポリマー水性分散液を製造するための新規な製造方法を提供する。
【解決手段】炭素数が１０〜２０の全フッ素化飽和炭化水素、及び、含フッ素界面活性剤を含むことを特徴とする組成物。 （もっと読む）

【課題】ヨウ素原子を末端に有する重合体の耐熱分解性を向上させ、成型品の着色を低減させる。
【解決手段】有機ヨウ素化物の存在下でビニル単量体をラジカル重合させて得られる重合体（Ａ）を弱塩基塩及び式（１）で表される化合物の少なくとも一方と反応させて該重合体（Ａ）の末端が処理された重合体（Ｂ）を得る末端処理工程を有する重合体（Ｂ）の製造方法。前記弱塩基塩が炭酸塩、炭酸水素塩、有機酸塩またはリン酸塩であることが好ましい。前記ラジカル重合工程において、さらにリン化合物、窒素化合物または酸素化合物を存在させることが好ましい。
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【課題】ディフェクトの発生を低減することができ、且つ保存安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、末端にフッ素化アルキルエステル基を有するフッ素含有有機基を側鎖に有する化合物成分（Ｆ）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターを有し、かつ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れらマスクエラーファクターのレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこれを用いたレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３はフッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸により、酸素原子との間の結合〔Ｏ−Ｒ^aa４〕が切断される１価の基 （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターで、欠陥数の少ないのレジストパターンを製造することができるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位と、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位の１種以上とを有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となり、式（ａａ）で表される構造単位を有しない樹脂並びに酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】回路基板のような感応性基材を保護するためのバリヤコーティングとして、及び潤滑剤の移行を防ぐための抗移行コーティングとして有用な樹脂組成物、併せて組成物の硬化物としての膜を提供する。
【解決手段】フルオロアルキル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸コポリマーを含むコーティング組成物が開示されており、ここでは前記コポリマーは５重量％以下の（メタ）アクリル酸を含み、そして前記フルオロアルキル基は６以下の炭素原子を有する。 （もっと読む）

【課題】長期間連続装用を可能にする含水ソフトコンタクトレンズ、そのための新規な共重合体、及び鋳型中で該共重合体を得るための方法を提供する。
【解決手段】表面の接触角が水中気泡法で１０〜３０°かつ空気中での液滴法で４０〜８３°の範囲にあり、酸素透過係数（Ｄｋ値）が３０以上で含水率が５％以上である含水ソフトコンタクトレンズ、親水性シロキサンモノマーと親水性モノマーとを重合してなる含水ソフトコンタクトレンズ用共重合体、及び含水ソフトコンタクトレンズを、ポリアミド、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート及びエチレンビニルアルコールから選ばれた１種の樹脂から形成された鋳型中で形成する方法。 （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は炭素数２〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基のうち、環Ｗと結合するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わらない。環Ｗは、炭素数２〜３６の複素環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】相溶性が良好で、各種電気化学デバイスにも好適に用いられ、持続的に優れる帯電防止効果を有する、塩素イオン且つ金属塩フリ−の不飽和第４級アンモニウム塩、該不飽和第４級アンモニウム塩からなる帯電防止剤の提供。
【解決手段】３級アミン化合物とトリフルオロメタンスルホン酸エステルを有機溶媒の存在下で反応させた後、有機溶媒を不活性ガスバブリングで除去することにより、一般式（１）（式中、Ｒ_１は水素原子またはメチル基を、Ｒ_２及びＲ_３は各々独立に炭素数１〜３のアルキル基で互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ_４は炭素数１〜３のアルキル基又はアリール基を表し、Ｚは炭素数１〜３のアルキレン基を表す。)で示される不飽和第４級アンモニウム塩化合物を高純度、高収率で合成し、当該化合物からなるオリゴマー又は／及びポリマーを帯電防止の有効成分として帯電防止層を形成させる。
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【課題】 本発明は、短時間でＰＥＢを行うことができ、それによりスループットの向上や、酸拡散距離を短くすることができることによる解像性の向上が達成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工基板上に波長６００〜２０００ｎｍの範囲の光を吸収する下層膜を形成し、該下層膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光した後、波長６００〜２０００ｎｍの光を照射して加熱することでポストエクスポジュアーベーク（ＰＥＢ）を行い、その後現像によってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好であり、あるいはマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト組成物。


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基；Ａ^１は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）；ｓは０又は１；Ａ¹⁰及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基；Ａ¹¹は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は単結合；Ｘ¹⁰及びＸ¹¹は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基；ただし、Ａ¹⁰、Ａ¹¹、Ａ¹²、Ｘ¹⁰及びＸ¹¹の合計炭素数は６以下；Ｒ^２は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】耐熱性が高く、かつ透明性、耐湿熱性、成型加工性にも優れたメタクリル系樹脂を含む計器カバーを提供する。
【解決手段】メタクリル酸エステル単量体単位（Ａ）：７０〜９５質量％及びマレイミド系単量体単位（Ｂ）：５〜３０質量％を含有し、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した重量平均分子量が６万〜３０万であるメタクリル系樹脂を含む計器カバーを提供する。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及び式（Ｂ１）で表される塩を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基；Ｒ^２は、ヒドロキシ基又はアルキル基；Ａ¹は、単結合等；ｌは０〜３の整数；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は２価の飽和炭化水素基；Ｙは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基；Ｚ⁺は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】耐熱性が高く、吸湿性が低く、しかも金属触媒を用いずに製造できる重合体を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示される脂環式単量体（Ａ）に由来する構成単位を含むことよりなる。
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【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好で、レジストパターンを形成した場合に欠陥の発生数を低減することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、−（ＣＨ_２）_ｍ１−、−（ＣＨ_２）_ｍ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ３−等ｍ１〜ｍ３はそれぞれ１〜６の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有し、かつ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ¹は、−（ＣＨ_２）_ｍ１−、−（ＣＨ_２）_ｍ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ３−又は−（ＣＨ_２）_ｍ４−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ５−を表す。ｍ１〜ｍ５は、それぞれ独立に、１〜６の整数を表す。Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）